背面保护薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法

背面保护薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法
【专利摘要】一种背面保护薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。第一本发明的目的在于，提供在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口且能够防止背面保护薄膜露出的背面保护薄膜等。第二本发明的目的在于，提供将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的背面保护薄膜等。第一本发明涉及用于粘贴在半导体晶片背面的背面保护薄膜等。背面保护薄膜的外周小于半导体晶片的外周，背面保护薄膜上设置有缺口。第二本发明涉及波长555nm的总透光率为3％以上的背面保护薄膜等。
【专利说明】
背面保护薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护巧片的制 造方法
技术领域
[0001] 本发明设及背面保护薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护忍片的制造方法。
【背景技术】
[0002] 近年来，广泛利用在基板上通过倒装忍片接合而安装有半导体忍片等半导体元件 的倒装忍片型半导体装置。倒装忍片型的半导体装置中，为了防止半导体元件的损伤等，有 时在半导体元件的背面设置背面保护薄膜。通常，为了能够目视识别用激光印刷的标识（W 下称为"激光标识"），背面保护薄膜进行了着色(例如参照专利文献1)。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1:日本特许4762959号公报

【发明内容】

[OOOW 发明要解决的问题
[0007]由于背面保护薄膜进行了着色，因此将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后难 W检测半导体晶片的缺口。另外，通过将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴，有时发生背 面保护薄膜的露出。
[000引第一本发明的目的在于，提供在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检 测半导体晶片的缺口且能够防止背面保护薄膜露出的背面保护薄膜和薄膜。第一本发明的 目的在于，提供在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口且 能够防止背面保护薄膜露出的半导体装置的制造方法和保护忍片的制造方法。
[0009] 第二本发明的目的在于，提供在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检 测半导体晶片的缺口的背面保护薄膜和薄膜。第二本发明的目的在于，提供在将背面保护 薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的半导体装置的制造方法和保 护忍片的制造方法。
[0010] 用于解决问题的方案
[0011] 第一本发明设及用于粘贴在半导体晶片背面的背面保护薄膜。背面保护薄膜的外 周小于半导体晶片的外周，背面保护薄膜上设置有缺口。通过使背面保护薄膜的外周小于 半导体晶片的外周，能够防止背面保护薄膜的露出。由于背面保护薄膜上设置有缺口，因此 在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口。
[0012] 第一本发明还设及薄膜，其包括:隔离膜和配置在隔离膜上的背面保护薄膜。薄膜 优选呈现卷状。
[0013] 第一本发明还设及半导体装置的制造方法，其包括将半导体晶片和背面保护薄膜 进行粘贴的工序。将半导体晶片和背面保护薄膜进行粘贴的工序优选为通过将半导体晶片 和背面保护薄膜进行粘贴而形成层叠板的工序。层叠板包括半导体晶片和与半导体晶片的 背面接触的背面保护薄膜。
[0014] 将背面保护薄膜配置于面前并从垂直于半导体晶片的方向观察层叠板时，有时背 面保护薄膜的缺口呈现与设置于半导体晶片的缺口的一部分轮廓重合的轮廓。将背面保护 薄膜配置于面前并从垂直于半导体晶片的方向观察层叠板时，有时设置于半导体晶片的缺 口的轮廓与背面保护薄膜的缺口的轮廓相比位于半导体晶片的半径方向的外侧。
[0015] 第一本发明还设及保护忍片的制造方法，其包括将半导体晶片和背面保护薄膜进 行粘贴的工序。保护忍片包括半导体元件和配置在半导体元件的背面上的保护膜。
[0016] 本发明人发现:通过提高背面保护薄膜的波长555nm的总透光率，在将背面保护薄 膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口，从而完成了第二本发明。
[0017] 第二本发明设及用于粘贴在半导体晶片背面的背面保护薄膜。背面保护薄膜的波 长555nm的总透光率为3% W上。通过为3% W上，将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后 能够检测半导体晶片的缺口。
[0018] 第二本发明还设及薄膜，其包括:隔离膜和配置在隔离膜上的背面保护薄膜。
[0019] 第二本发明还设及半导体装置的制造方法，其包括将半导体晶片和背面保护薄膜 进行粘贴的工序。
[0020] 第二本发明还设及保护忍片的制造方法，其包括将半导体晶片和背面保护薄膜进 行粘贴的工序。保护忍片包括半导体元件和配置在半导体元件背面上的保护膜。
【附图说明】
[0021] 图1是实施方式1中的薄膜的概略俯视图。
[0022] 图2是薄膜的一部分的概略截面图。
[0023] 图3是背面保护薄膜的概略俯视图。
[0024] 图4是半导体晶片的概略俯视图。
[0025] 图5是层叠板的概略俯视图。
[0026] 图6是半导体装置的制造工序的概略截面图。
[0027] 图7是半导体装置的制造工序的概略截面图。
[0028] 图8是半导体装置的制造工序的概略截面图。
[0029] 图9是变形例1中的层叠板的概略俯视图。
[0030] 图10是变形例2中的背面保护薄膜的概略俯视图。
[0031 ]图11是变形例3中的背面保护薄膜的概略俯视图。
[0032] 图12是实施方式2中的薄膜的概略俯视图。
[0033] 图13是薄膜的一部分的概略截面图。
[0034] 图14是背面保护薄膜的概略俯视图。
[0035] 图15是层叠板的概略俯视图。
[0036] 图16是半导体装置的制造工序的概略截面图。
[0037] 图17是半导体装置的制造工序的概略截面图。
[0038] 图18是半导体装置的制造工序的概略截面图。
[0039] 附图标记说明
[0040] 1 薄膜
[0041] 12 隔离膜
[00创 13 隔离膜
[0043] 111 背面保护薄膜
[0044] 101 缺口
[0045] 4 半导体晶片
[0046] 41 缺口
[0047] 7 层叠板
[004引 17 切割带
[0049] 171 基材
[00加]172 粘合剂层
[0051 ] 8 吸附基座
[0化2] 41 半导体元件
[0053] 5 保护忍片
[0054] 6 被粘物
[0化引 51 凸块
[0056] 61 导电材料
[0057] 9 薄膜
[0化引911 背面保护薄膜
[0059] 2 层叠板
[0060] 3 保护忍片
【具体实施方式】
[0061] W下列举出实施方式来详细说明本发明，但本发明不仅限定于运些实施方式。
[0062] [实施方式1]
[0063] (半导体装置的制造方法/保护忍片5的制造方法）
[0064] 如图1和图2所示那样，薄膜1呈现卷状。薄膜1包括隔离膜12和配置在隔离膜12上 的背面保护薄膜llla、mb、lllc、……、111111(^下统称为"背面保护薄膜111"。）。薄膜1还 包括配置在背面保护薄膜111上的隔离膜13。背面保护薄膜111可W用其与隔离膜12接触的 第1面和位于第1面对侧的第2面来定义两个表面。第2面与隔离膜13接触。
[0065] 背面保护薄膜Illa与背面保护薄膜11化之间的距离、背面保护薄膜11化与背面保 护薄膜Illc之间的距离、……背面保护薄膜1111与背面保护薄膜Illm之间的距离是一定 的。隔离膜13可W用其与卷忍接触的第1端和与第1端成对的第2端来定义两端。缺口 101a、 l(Hb、l〇lc、……、l〇lm(W下统称为"缺口 lOr。）位于连结第1端与第2端的方向上的靠近第 1端的一侧。通过位于靠近第1端的一侧，可容易地粘贴背面保护薄膜111和半导体晶片4。
[0066] 如图3所示那样，背面保护薄膜111呈现设置有缺口 101的圆盘状。
[0067] 设置于背面保护薄膜111的缺口 101的形状与缺口41的一部分形状相同。由于背面 保护薄膜111上设置有缺口 101，在将背面保护薄膜111与半导体晶片4进行粘贴后能够检测 半导体晶片4的缺口 41。
[0068] 背面保护薄膜111的外周小于半导体晶片4的外周。由于背面保护薄膜111的外周 小，因此能够防止背面保护薄膜111的露出。
[0069] 如图4所示那样，半导体晶片4上设置有缺口 41。半导体晶片4可W用电路面和位于 电路面对侧的背面(也称为非电路面、非电极形成面等)来定义两个表面。作为半导体晶片 4,可适合地使用娃晶片。
[0070] 如图5所示那样，通过将背面保护薄膜111和半导体晶片4进行粘贴，从而形成层叠 板7。具体而言，通过剥掉隔离膜13并将背面保护薄膜111和半导体晶片4进行粘贴，从而形 成层叠板7。
[0071] 层叠板7包括半导体晶片4W及与半导体晶片4的背面接触的背面保护薄膜111。将 背面保护薄膜111配置于面前并从垂直于半导体晶片4的方向观察层叠板7时，背面保护薄 膜111的缺口 101呈现与半导体晶片4的缺口 41的一部分轮廓重合的轮廓。
[0072] 根据需要通过加热层叠板7而使背面保护薄膜111固化。加热溫度可适当设定。
[0073] 通过用于检测缺口 41的检测传感器来检测与背面保护薄膜111接触的半导体晶片 4的缺口41。由此能够获得设置于半导体晶片4的缺口41的位置信息，能够确认背面保护薄 膜111中的接触激光的区域。作为检测传感器，可列举出显微镜等。
[0074] 根据需要，用激光对层叠板7的背面保护薄膜111进行印刷。需要说明的是，激光印 刷时，可W利用公知的激光标记装置。另外，作为激光，可W利用气体激光、固体激光、液体 激光等。具体而言，作为气体激光，没有特别限定，可W利用公知的气体激光，适合为二氧化 碳激光(0)2激光）、准分子激光(ArF激光、KrF激光、XeCl激光、XeF激光等）。另外，作为固体 激光，没有特别限定，可W利用公知的固体激光，适合为YAG激光(Nd:YAG激光等）、YV04激 光。
[0075] 通过用于检测缺口 41的检测传感器来检测与背面保护薄膜111接触的半导体晶片 4的缺口41。由此能够获得设置于半导体晶片4的缺口41的位置信息，能够将切割带17的位 置与半导体晶片4的位置进行对准。
[0076] 如图6所示那样，将层叠板7与切割带17进行粘贴。切割带17包括基材171和配置在 基材171上的粘合剂层172。粘合剂层172优选具有利用福射线而进行固化的性质。作为福射 线，优选为紫外线。
[0077] 如图7所示那样，进行半导体晶片4的切割。由此形成保护忍片5。保护忍片5包括半 导体元件41和配置在半导体元件41的背面上的保护膜112。半导体元件41可W用电路面(也 称为表面、电路图案形成面、电极形成面等)和位于电路面对侧的背面来定义两个表面。在 使切割带17真空吸附于吸附基座8的状态下，例如按照常规方法从半导体晶片4的电路面侧 进行切割。可W采用被称为全切的切断方式等。作为本工序中使用的切割装置，没有特别限 定，可W使用现有公知的装置。半导体元件41优选为倒装忍片。
[0078] 接着，将保护忍片5从粘合剂层172剥离。即，拾取保护忍片5。作为拾取方法，没有 特别限定，可W采用现有公知的各种方法。例如可列举出：用针形件将保护忍片5顶起，利用 拾取装置拾取被顶起的保护忍片5的方法等。
[0079] 如图8所示那样，通过倒装忍片接合方式(倒装忍片安装方式），将保护忍片5固定 于被粘物6。具体而言，在半导体元件41的电路面与被粘物6相对的形态下，将保护忍片5固 定于被粘物6。例如，通过使设置在半导体元件41的电路面上的凸块51与覆盖于被粘物6的 连接垫的接合用导电材料(焊料等)61相接触，并且一边按押一边使导电材料61烙融，从而 能够确保半导体元件41与被粘物6的电导通、将保护忍片5固定于被粘物6(倒装忍片接合工 序）。此时，保护忍片5与被粘物6之间形成有空隙，其空隙间距离通常为30WI1~300WI1左右。 需要说明的是，可W将保护忍片5倒装忍片接合(倒装忍片连接)在被粘物6上，然后对保护 忍片5与被粘物6的对侧面、间隙进行清洗，向间隙中填充密封材料(密封树脂等），从而进行 密封。
[0080] 作为被粘物6,可W使用引线框、电路基板(布线电路基板等)等基板。作为运种基 板的材质，没有特别限定，可列举出陶瓷基板、塑料基板。作为塑料基板，例如可列举出环氧 基板、双马来酷亚胺=嗦基板、聚酷亚胺基板等。
[0081] 作为凸块、导电材料的材质，没有特别限定，例如可列举出锡-铅系金属材料、锡- 银系金属材料、锡-银-铜系金属材料、锡-锋系金属材料、锡-锋-祕系金属材料等焊料类(合 金）；金系金属材料、铜系金属材料等。
[0082] 需要说明的是，导电材料61烙融时的溫度通常为260°C左右（例如为250°C~300 °C)。背面保护薄膜111因包含环氧树脂而能够耐受所述溫度。
[0083] 该工序中，优选进行保护忍片5与被粘物6的对侧面(电极形成面）、间隙的清洗。作 为清洗所用的清洗液，没有特别限定，例如可列举出有机系的清洗液、水系的清洗液。
[0084] 接着，进行密封工序，其用于密封进行了倒装忍片接合的保护忍片5与被粘物6之 间的间隙。密封工序使用密封树脂来进行。作为此时的密封条件，没有特别限定，通常通过 W175°C进行60秒钟~90秒钟的加热来进行密封树脂的热固化，但本发明不限定于此，例如 可W W165°C~185°C固化(cure)数分钟。另外，通过该工序，能够使保护膜112完全或大致 完全地进行热固化。进而，保护膜112即使为未固化状态，在该密封工序时也能够与密封材 料一同热固化，因此，无需重新追加用于使保护膜112热固化的工序。
[0085] 作为密封树脂，只要是具有绝缘性的树脂(绝缘树脂)就没有特别限定。作为密封 树脂，更优选为具有弹性的绝缘树脂。作为密封树脂，例如可列举出包含环氧树脂的树脂组 合物等。另外，作为由包含环氧树脂的树脂组合物得到的密封树脂，作为树脂成分，除了环 氧树脂之外，还可W包含环氧树脂W外的热固性树脂(酪醒树脂等）、热塑性树脂等。需要说 明的是，作为酪醒树脂，也可W用作环氧树脂的固化剂。密封树脂的形状为薄膜状、平板状 等。
[0086] 通过如上方法而得到的半导体装置(倒装忍片安装的半导体装置)包括被粘物6和 固定于被粘物6的保护忍片5。能够利用激光对所述半导体装置的保护膜112进行印刷。
[0087] W倒装忍片安装方式进行安装而得到的半导体装置与W忍片接合安装方式进行 安装而得到的半导体装置相比薄且小。因此，可适合地用作各种电子设备/电子部件或它们 的材料/构件。具体而言，作为利用倒装忍片安装半导体装置的电子设备，可列举出所谓的 "手机"、"PHS(personal handy地one system,个人手持机系统r、小型计算机（例如所谓的 "PM"(便携信息终端）、所谓"笔记本电脑"、所谓"肥TBOOK(商标)"、所谓的"可穿戴电脑" 等）、"手机"与计算机一体化而成的小型电子设备、所谓的"Digital Camera(商标)"、所谓 的"数字式摄像机"、小型电视、小型游戏机、小型数字式音频播放器、所谓的"电子记事本"、 所谓的"电子词典"、所谓的"电子书"用电子设备终端、小型数字式钟表等移动型电子设备 (可携带的电子设备）等，当然，还可W是移动型W外（设置型等）的电子设备（例如所谓的 "台式计算机"、薄型电视、录像/播放用电子设备(硬盘记录器、DVD播放器等）、投影仪、微型 机械等)等。另外，作为电子部件或者电子设备/电子部件的材料/构件，例如可列举出所谓 的"CPU"的构件、各种存储装置(所谓的"存储器"、硬盘等)的构件等。
[0088] 如上所述，半导体装置的制造方法包括将半导体晶片4与背面保护薄膜111进行粘 贴的工序。半导体装置的制造方法还包括:在将半导体晶片4与背面保护薄膜111进行粘贴 的工序之后，用激光对背面保护薄膜111进行印刷的工序。用激光对背面保护薄膜111进行 印刷的工序包括检测半导体晶片4的缺口 41的步骤。半导体装置的制造方法还包括将层叠 板7与切割带17进行粘贴的工序，所述层叠板7是通过将半导体晶片4与背面保护薄膜111进 行粘贴的工序而形成的。将层叠板7与切割带17进行粘贴的工序包括检测半导体晶片4的缺 口 41的步骤。
[0089] 还包括在将层叠板7与切割带17进行粘贴的工序之后，通过切割而形成保护忍片5 的工序。半导体装置的制造方法还包括将保护忍片5固定于被粘物6的工序。将保护忍片5固 定于被粘物6的工序优选为通过倒装忍片连接将保护忍片5固定于被粘物6的工序。
[0090] (背面保护薄膜111)
[0091] 背面保护薄膜111优选为有色。通过使背面保护薄膜111为有色，可容易地对激光 标识进行目视识别。背面保护薄膜111例如优选为黑色、蓝色、红色等深色。特别优选为黑 色。
[0092] 深色是指基本上L*a*b*色度体系所规定的L*达到60W下（0~60)[优选为50W下 (0~50)、进一步优选为40W下(0~40)]的深色。
[0093] 另外，黑色是指基本上L相帥*色度体系所规定的L*达到35W下(0~35)[优选为30 W下(0~30)、进一步优选为25W下(0~25)]的黑色系颜色。需要说明的是，对于黑色而言， L*a*b*色度体系所规定的a*、b*可分别根据L*值来适当选择。作为a*、b*，例如两者均优选 为-10~10、更优选为-5~5、特别适合为-3~3的范围(尤其是为0或大致为0)。
[0094] 需要说明的是，L*a*b*色度体系所规定的L*、a*、b*可通过使用色彩色差计（商品 名乂R-20(T、K0NICA MINOLTA，INC.制造;色彩色差计)进行测定来求出。需要说明的是，L* a*b*色度体系是国际照明委员会(CIE)于1976年推荐的颜色空间，是指被称为CIE1976(L* a*b*)色度体系的颜色空间。另外，L*a*b*色度体系在日本工业标准中由JIS Z 8729进行规 定。
[00M]背面保护薄膜111通常为未固化状态。未固化状态包括半固化状态。背面保护薄膜 111优选为半固化状态。
[0096] 在85°C和85%RH的气氛下放置了 168小时时的背面保护薄膜111的吸湿率优选为1 重量％ ^下、更优选为0.8重量％^下。通过为1重量％ ^下，能够提高激光标记性。吸湿率 可通过无机填充剂的含量等来控制。
[0097] 背面保护薄膜111的吸湿率的测定方法如下所示。即，将背面保护薄膜111在85°C、 85%畑的恒溫恒湿槽中放置168小时，由放置前后的减重率(wei曲t-loss ratio)求出吸湿 率。
[0098] 将通过使背面保护薄膜111固化而得到的固化物在85°C和85%W1的气氛下放置了 168小时时的吸湿率优选为1重量％ W下、更优选为0.8重量％ W下。通过为1重量％ W下，能 够提高激光标记性。吸湿率可通过无机填充剂的含量等来控制。
[0099] 固化物的吸湿率的测定方法如下所示。即，将固化物在85°C、85%畑的恒溫恒湿槽 中放置168小时，由放置前后的减重率求出吸湿率。
[0100] 背面保护薄膜111中的乙醇提取的凝胶率优选为50% W上、更优选为70% W上、更 进一步优选为90% W上。为50% W上时，能够防止其粘附于半导体制造工艺中的夹具等。
[0101] 需要说明的是，背面保护薄膜111的凝胶率可通过树脂成分的种类、其含量、交联 剂的种类、其含量、W及加热溫度、加热时间等来控制。
[0102] 背面保护薄膜111的未固化状态下的23°C下的拉伸储能模量优选为0.5G化W上、 更优选为〇.75GPaW上、进一步优选为IG化W上。为IG化W上时，能够防止背面保护薄膜111 附着于载带。23°C下的拉伸储能模量的上限例如为50GPa"23°C下的拉伸储能模量可通过树 脂成分的种类、其含量、填充材料的种类、其含量等来控制。
[0103] 背面保护薄膜111可W是导电性，也可W是非导电性。
[0104] 背面保护薄膜111对于半导体晶片4的粘接力(23°C、剥离角度为180°、剥离速度为 300mm/分钟）优选为IN/lOmm宽度W上、更优选为2N/10mm宽度W上、进一步优选为4N/10mm 宽度W上。另一方面，所述粘接力优选为lON/lOmm宽度W下。通过为IN/lOmm宽度W上，背面 保护薄膜111W优异的密合性粘贴于半导体晶片4、半导体元件，能够防止浮起等的发生。另 夕h在切割半导体晶片4时还能够防止忍片飞散的发生。需要说明的是，背面保护薄膜111对 于半导体晶片4的粘接力例如是如下操作而测定的值。即，在背面保护薄膜111的一个面上 粘贴粘合带（商品名"BT315"、日东电工株式会社制造)而对背面进行增强。其后，用5(TC且 2kg的漉往复一次而利用热层压法将厚度0.6mm的半导体晶片4粘贴在进行了背面增强的长 度150mm、宽度IOmm的背面保护薄膜111的表面(正面）。其后，在热板上巧(TC)静置2分钟后， 在常溫(23 °C左右)下静置20分钟。静置后，使用剥离试验机(商品名"AUTOGRAPH AGS-J"、岛 津制作所社制造），在23°C的溫度下，在剥离角度:180°、拉伸速度:300mm/分钟的条件下，剥 掉进行了背面增强的背面保护薄膜111。背面保护薄膜111对于半导体晶片4的粘接力是此 时在背面保护薄膜111与半导体晶片4的界面进行剥离而测定的值(N/lOmm宽度）。
[0105] 背面保护薄膜111的厚度优选为上、更优选为化mW上、进一步优选为6wiiW 上、特别优选为lOwnW上。另一方面，背面保护薄膜111的厚度优选为200 W11W下、更优选为 160WI1W下、进一步优选为IOOwii W下、更进一步优选为sown W下、特别优选为SOwiiW下。
[0106] 背面保护薄膜111优选包含着色剂。作为着色剂，例如可列举出染料、颜料。其中优 选为染料。
[0107] 作为染料，优选为深色系染料。作为深色系染料，例如可列举出黑色染料、蓝色染 料、红色染料等。其中，优选为黑色染料。色料可W单独使用或者组合使用巧巾W上。
[0108] 背面保护薄膜111中的着色剂的含量优选为0.5重量％ ^上、更优选为1重量％ W 上、进一步优选为2重量％^上。背面保护薄膜111中的着色剂的含量优选为10重量％ W下、 更优选为8重量％ W下、进一步优选为5重量％ W下。
[0109] 背面保护薄膜111可W包含热塑性树脂。
[0110] 作为热塑性树脂，例如可列举出天然橡胶、下基橡胶、异戊橡胶、氯下橡胶、乙締- 醋酸乙締醋共聚物、乙締-丙締酸共聚物、乙締-丙締酸醋共聚物、聚下二締树脂、聚碳酸醋 树脂、热塑性聚酷亚胺树脂、6-尼龙和/或6，6-尼龙等聚酷胺树脂、苯氧基树脂、丙締酸类树 月旨、PET(聚对苯二甲酸乙二醇醋)和/或PBT(聚对苯二甲酸下二醇醋)等饱和聚醋树脂、聚酷 胺酷亚胺树脂或氣树脂等。热塑性树脂可W单独使用或者组合使用巧巾W上。其中，适合为 丙締酸类树脂、苯氧基树脂。
[0111] 作为丙締酸类树脂，没有特别限定，可列举出W具有碳数为30W下(碳数优选为4 ~18、碳数进一步优选为6~10、碳数特别优选为8或9)的直链或支链烷基的丙締酸或甲基 丙締酸的醋中的1种或巧中W上作为成分的聚合物等。即，本发明中，丙締酸类树脂是指还包 括甲基丙締酸类树脂的广义概念。作为烷基，例如可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正下 基、叔下基、异下基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸 基、异癸基、十一烷基、十二烷基（月桂基）、十=烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。
[0112] 另外，作为用于形成丙締酸类树脂的其它单体(烷基的碳数为30W下的丙締酸或 甲基丙締酸的烷基醋W外的单体），没有特别限定，例如可列举出丙締酸、甲基丙締酸、丙締 酸簇基乙醋、丙締酸簇基戊醋、衣康酸、马来酸、富马酸或己豆酸等各种含簇基单体;马来酸 酢或衣康酸酢等各种酸酢单体；（甲基)丙締酸2-径基乙醋、（甲基)丙締酸2-径基丙醋、（甲 基）丙締酸4-径基下醋、（甲基）丙締酸6-径基己醋、（甲基）丙締酸8-径基辛醋、（甲基）丙締 酸10-径基癸醋、（甲基）丙締酸12-径基月桂醋或(4-径基甲基环己基)-甲基丙締酸醋等各 种含径基单体;苯乙締横酸、締丙基横酸、2-(甲基)丙締酷胺-2-甲基丙横酸、（甲基)丙締酷 胺丙横酸、（甲基)丙締酸横基丙醋或（甲基)丙締酷氧基糞横酸等各种含横酸基单体;或者 2-径基乙基丙締酷基憐酸醋等各种含憐酸基单体等。需要说明的是，（甲基)丙締酸是指丙 締酸和/或甲基丙締酸，本发明的（甲基)均为相同的意义。
[0113] 背面保护薄膜111中的热塑性树脂的含量优选为10重量％ ^上、更优选为30重 量％ W上。背面保护薄膜111中的热塑性树脂的含量优选为90重量％ ^下、更优选为70重 量％^下。
[0114] 背面保护薄膜111可W包含热固性树脂。
[0115] 作为热固性树脂，可列举出环氧树脂、酪醒树脂、氨基树脂、不饱和聚醋树脂、聚氨 醋树脂、有机娃树脂、热固性聚酷亚胺树脂等。热固性树脂可W单独使用或者组合使用巧中 W上。作为热固性树脂，特别适合为会腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的环氧树 月旨。另外，作为环氧树脂的固化剂，可适合地使用酪醒树脂。
[0116] 作为环氧树脂，没有特别限定，例如可W使用双酪A型环氧树脂、双酪F型环氧树 月旨、双酪S型环氧树脂、漠化双酪A型环氧树脂、氨化双酪A型环氧树脂、双酪AF型环氧树脂、 联苯型环氧树脂、糞型环氧树脂、巧型环氧树脂、苯酪酪醒清漆型环氧树脂、邻甲酪酪醒清 漆型环氧树脂、=径基苯基甲烧型环氧树脂、四径基苯基乙烧型环氧树脂等二官能环氧树 月旨、多官能环氧树脂或乙内酷脈型环氧树脂、=缩水甘油基异氯脈酸醋型环氧树脂或缩水 甘油胺型环氧树脂等环氧树脂。
[0117] 其中，特别优选为酪醒清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、=径基苯基甲烧型环氧 树脂、四径基苯基乙烧型环氧树脂。运是因为，运些环氧树脂与作为固化剂的酪醒树脂富有 反应性、耐热性等优异。
[0118] 进而，酪醒树脂作为环氧树脂的固化剂而起作用，例如可列举出苯酪酪醒清漆树 月旨、苯酪芳烷基树脂、甲酪酪醒清漆树脂、叔下基苯酪酪醒清漆树脂、壬基苯酪酪醒清漆树 脂等酪醒清漆型酪醒树脂、甲阶型酪醒树脂、聚对径基苯乙締等聚氧苯乙締等。酪醒树脂可 W单独使用或者组合使用巧巾W上。运些酪醒树脂之中，特别优选为苯酪酪醒清漆树脂、苯 酪芳烷基树脂。运是因为能够提高半导体装置的连接可靠性。
[0119] 关于环氧树脂与酪醒树脂的配混比例，例如适合的是，W酪醒树脂中的径基相对 于环氧树脂中的环氧基1当量达到0.5当量~2.0当量的方式进行配混。更适合为0.8当量~ 1.2当量。
[0120] 背面保护薄膜111中的热固性树脂的含量优选为2重量％ ^上、更优选为5重量％ W上。背面保护薄膜111中的热固性树脂的含量优选为40重量％ ^下、更优选为20重量％ W 下。
[0121] 背面保护薄膜111可W包含环氧树脂和酪醒树脂的热固化促进催化剂。作为热固 化促进催化剂，没有特别限定，可W从公知的热固化促进催化剂中适当选择并使用。热固化 促进催化剂可W单独使用或者组合使用巧巾W上。作为热固化促进催化剂，例如可W使用胺 系固化促进剂、憐系固化促进剂、咪挫系固化促进剂、棚系固化促进剂、憐-棚系固化促进剂 等。
[0122] 为了使背面保护薄膜111预先进行某种程度的交联，优选的是，在制作时，作为交 联剂而预先添加与聚合物的分子链末端的官能团等发生反应的多官能性化合物。由此能够 提高高溫下的粘接特性并实现耐热性的改善。
[0123] 作为交联剂，没有特别限定，可W使用公知的交联剂。具体而言，例如可列举出异 氯酸醋系交联剂、环氧系交联剂、=聚氯胺系交联剂、过氧化物系交联剂、脈系交联剂、金属 醇盐系交联剂、金属馨合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、嗯挫嘟系交联 剂、氮丙晚系交联剂、胺系交联剂等。作为交联剂，适合为异氯酸醋系交联剂、环氧系交联 剂。另外，交联剂可W单独使用或者组合使用巧巾W上。
[0124] 作为异氯酸醋系交联剂，例如可列举出1,2-亚乙基二异氯酸醋、1,4-亚下基二异 氯酸醋、1，6-六亚甲基二异氯酸醋等低级脂肪族多异氯酸醋类;环亚戊基二异氯酸醋、环亚 己基二异氯酸醋、异佛尔酬二异氯酸醋、氨化甲苯二异氯酸醋、氨化二甲苯二异氯酸醋等脂 环族多异氯酸醋类;2,4-甲苯二异氯酸醋、2,6-甲苯二异氯酸醋、4,4'-二苯基甲烧二异氯 酸醋、苯二亚甲基二异氯酸醋等芳香族多异氯酸醋类等，除此之外，还可W使用=径甲基丙 烧/甲苯二异氯酸醋S聚体加成物[Ni卵on Polyurethane IndustiT Co.,Ltd.制造、商品 名"CORONATE L" ]、甲基丙烷/六亚甲基二异氯酸醋S聚体加成物[Nippon 化Iyurethane Industiy Co.,Ltd.制造、商品名乂 ORONATE HL"]等。另外，作为环氧系交联 剂，例如可列举出N，N，N'，N'-四缩水甘油基间苯二胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N，N-缩 水甘油基氨基甲基)环己烧、1,6-己二醇二缩水甘油酸、新戊二醇二缩水甘油酸、乙二醇二 缩水甘油酸、丙二醇二缩水甘油酸、聚乙二醇二缩水甘油酸、聚丙二醇二缩水甘油酸、山梨 糖醇多缩水甘油酸、甘油多缩水甘油酸、季戊四醇多缩水甘油酸、聚甘油多缩水甘油酸、脱 水山梨糖醇多缩水甘油酸、=径甲基丙烷多缩水甘油酸、己二酸二缩水甘油醋、邻苯二甲酸 二缩水甘油醋、=缩水甘油基=(2-径基乙基）异氯脈酸醋、间苯二酪二缩水甘油酸、双酪- S-二缩水甘油酸、W及分子内具有2个W上环氧基的环氧系树脂等。
[0125] 需要说明的是，本发明中，还可W照射电子射线、紫外线等来代替使用交联剂，或 者与在使用交联剂的同时照射电子射线、紫外线等，由此实施交联处理。
[0126] 背面保护薄膜111可W包含填充剂。通过包含填充剂，能够实现背面保护薄膜111 的弹性模量的调节等。
[0127] 作为填充剂，可W是无机填充剂、有机填充剂中的任一种，适合为无机填充剂。作 为无机填充剂，例如可列举出二氧化娃、粘±、石膏、碳酸巧、硫酸领、氧化侣、氧化被、碳化 娃、氮化娃等陶瓷类;侣、铜、银、金、儀、铭、铅、锡、锋、钮、焊料等金属;或者合金类、其它包 含碳等的各种无机粉末等。填充剂可W单独使用或者组合使用巧巾W上。作为填充剂，其中 适合为二氧化娃、特别适合为烙融二氧化娃。需要说明的是，无机填充剂的平均粒径优选在 O. Iwii~80WI1的范围内。无机填充剂的平均粒径例如可通过激光衍射型粒度分布测定装置 来测定。
[01%]背面保护薄膜111中的填充剂的含量优选为10重量％ ^上、更优选为20重量％ W 上。背面保护薄膜111中的填充剂的含量优选为70重量％^下、更优选为50重量％ W下。
[0129] 背面保护薄膜111可W适当包含其它添加剂。作为其它添加剂，例如可列举出阻燃 剂、硅烷偶联剂、离子捕获剂、增量剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂等。
[0130] 作为阻燃剂，例如可列举出=氧化錬、五氧化錬、漠化环氧树脂等。阻燃剂可W单 独使用或者组合使用巧巾W上。作为硅烷偶联剂，例如可列举出e-(3,4-环氧环己基）乙基S 甲氧基硅烷、丫-环氧丙氧基丙基二甲氧基硅烷、丫-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。 硅烷偶联剂可W单独使用或者组合使用巧巾W上。作为离子捕获剂，例如可列举出水滑石 类、氨氧化祕等。离子捕获剂可W单独使用或者组合使用巧巾W上。
[0131] 通过将热固性树脂、热塑性树脂和溶剂等混合而制备混合液，将混合液涂布在剥 离纸上并干燥的方法等，能够获得背面保护薄膜111。
[0132] (隔离膜 12)
[0133] 作为隔离膜12,可列举出聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)薄膜等。隔离膜12优选实施 了脱模处理。隔离膜12的厚度可适当设定。
[0134] (隔离膜 13)
[0135] 作为隔离膜13,可列举出聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)薄膜等。隔离膜13优选实施 了脱模处理。隔离膜13的厚度可适当设定。
[0136] (变形例1)
[0137] 如图9所示那样，将背面保护薄膜111配置于面前并从垂直于半导体晶片4的方向 观察层叠板7时，层叠板7呈现特定的形状。即，半导体晶片4的缺口41的轮廓与背面保护薄 膜111的缺口 101的轮廓相比位于半导体晶片4的半径方向的外侧。
[013引（变形例2)
[0139] 如图10所示那样，缺口 101为V字状。
[0140] (变形例3)
[0141] 如图11所示那样，缺口 101为矩形状。
[0142] (变形例4)
[0143] 缺口 101与缺口 41相似。缺口 101大于缺口 41。
[0144] (变形例5)
[0145] 缺口 101的形状与缺口 41的形状相同。
[0146] (变形例6)
[0147] 背面保护薄膜111呈现包括第1层和配置在第1层上的第2层的多层形状。
[014引（其它变形例）
[0149] 变形例1~变形例6等可任意地组合。
[0150] [实施方式2]
[0151] W下说明实施方式2。基本上省略与实施方式1中说明的构件相同的构件的说明。
[0152] (半导体装置的制造方法）
[0153] 如图12和图13所示那样，薄膜9呈现卷状。薄膜9包括隔离膜12和配置在隔离膜12 上的背面保护薄膜911a、9Ub、911c、……、911m( W下统称为"背面保护薄膜911"。）。薄膜9 还包括配置在背面保护薄膜911上的隔离膜13。背面保护薄膜911可W用其与隔离膜12接触 的第1面和位于第1面对侧的第2面来定义两个表面。第2面与隔离膜13接触。
[0154] 背面保护薄膜911a与背面保护薄膜91化之间的距离、背面保护薄膜91化与背面保 护薄膜911c之间的距离、……背面保护薄膜9111与背面保护薄膜911m之间的距离是一定 的。
[01W]如图14所示那样，背面保护薄膜911呈现圆盘状。
[0156] 背面保护薄膜911的外周小于半导体晶片4的外周。由于背面保护薄膜911的外周 小，因此能够防止背面保护薄膜911的露出。
[0157] 如图15所示那样，通过将背面保护薄膜911与半导体晶片4进行粘贴，从而形成层 叠板2。具体而言，剥掉隔离膜13并将背面保护薄膜911和半导体晶片4进行粘贴，从而形成 层叠板2。
[0158] 层叠板2包括半导体晶片4W及与半导体晶片4的背面接触的背面保护薄膜911。
[0159] 根据需要通过加热层叠板2而使背面保护薄膜911固化。加热溫度可适当设定。
[0160] 通过用于检测缺口 41的检测传感器来检测与背面保护薄膜911接触的半导体晶片 4的缺口41。由此能够获得设置于半导体晶片4的缺口41的位置信息，能够确认背面保护薄 膜911中的接触激光的区域。作为检测传感器，可列举出显微镜、透射型传感器、反射型传感 器等。
[0161] 根据需要，用激光对层叠板2的背面保护薄膜911进行印刷。
[0162] 通过用于检测缺口 41的检测传感器来检测与背面保护薄膜911接触的半导体晶片 4的缺口41。由此能够获得设置于半导体晶片4的缺口41的位置信息，能够将切割带17的位 置与半导体晶片4的位置进行对准。
[0163] 如图16所示那样，将层叠板2与切割带17进行粘贴。
[0164] 如图17所示那样，进行半导体晶片4的切割。由此形成保护忍片3。保护忍片3包括 半导体元件41和配置在半导体元件41的背面上的保护膜912。半导体元件41可W用电路面 (也称为表面、电路图案形成面、电极形成面等)和位于电路面对侧的背面来定义两个表面。 在使切割带17真空吸附于吸附基座8的状态下，例如按照常规方法从半导体晶片4的电路面 侧进行切割。可W采用被称为全切的切断方式等。作为本工序中使用的切割装置，没有特别 限定，可W使用现有公知的装置。
[0165] 接着，将保护忍片3从粘合剂层172剥离。即，拾取保护忍片3。
[0166] 如图18所示那样，通过倒装忍片接合方式(倒装忍片安装方式），将保护忍片3固定 于被粘物6。具体而言，在半导体元件41的电路面与被粘物6相对的形态下，将保护忍片3固 定于被粘物6。例如，通过使设置在半导体元件41的电路面上的凸块51与覆盖于被粘物6的 连接垫的接合用导电材料(焊料等)61相接触，并且一边按押一边使导电材料61烙融，从而 能够确保半导体元件41与被粘物6的电导通、将保护忍片3固定于被粘物6(倒装忍片接合工 序）。此时，保护忍片3与被粘物6之间形成有空隙，其空隙间距离通常为30WI1~300WI1左右。 需要说明的是，可W将保护忍片3倒装忍片接合(倒装忍片连接)在被粘物6上，然后对保护 忍片3与被粘物6的对侧面、间隙进行清洗，向间隙中填充密封材料(密封树脂等），从而进行 密封。
[0167] 本工序中，优选进行保护忍片3与被粘物6的对侧面(电极形成面）、间隙的清洗。
[0168] 接着，进行密封工序，其用于密封进行了倒装忍片接合的保护忍片3与被粘物6之 间的间隙。密封工序使用密封树脂来进行。作为此时的密封条件，没有特别限定，通常通过 W175°C进行60秒钟~90秒钟的加热来进行密封树脂的热固化，但本发明不限定于此，例如 可WW165°C~185°C固化数分钟。另外，通过该工序，能够使背面保护薄膜911完全或大致 完全地热固化。进而，背面保护薄膜911即使为未固化状态，在该密封工序时也能够与密封 材料一同热固化，因此，无需重新追加用于使背面保护薄膜911热固化的工序。
[0169] 通过如上方法而得到的半导体装置(倒装忍片安装的半导体装置)包括被粘物6和 固定于被粘物6的保护忍片3。能够利用激光对所述半导体装置的保护膜912进行印刷。
[0170] 如上所述，半导体装置的制造方法包括将半导体晶片4与背面保护薄膜911进行粘 贴的工序。半导体装置的制造方法还包括:在将半导体晶片4与背面保护薄膜911进行粘贴 的工序之后，用激光对背面保护薄膜911进行印刷的工序。用激光对背面保护薄膜911进行 印刷的工序包括检测半导体晶片4的缺口 41的步骤。半导体装置的制造方法还包括将层叠 板2与切割带17进行粘贴的工序，所述层叠板2是通过将半导体晶片4与背面保护薄膜911进 行粘贴的工序而形成的。将层叠板2与切割带17进行粘贴的工序包括检测半导体晶片4的缺 口 41的步骤。
[0171] 半导体装置的制造方法还包括在将层叠板2与切割带17进行粘贴的工序之后，通 过切割而形成保护忍片3的工序。半导体装置的制造方法还包括将保护忍片3固定于被粘物 6的工序。将保护忍片3固定于被粘物6的工序优选为通过倒装忍片连接将保护忍片3固定于 被粘物6的工序。
[0172] (背面保护薄膜911)
[0173] 背面保护薄膜911的波长555nm的总透光率为3% W上、优选为5% W上、更优选为 7% W上。通过为3% W上，在将背面保护薄膜911与半导体晶片4进行粘贴后能够检测半导 体晶片4的缺口41。背面保护薄膜911的波长555nm的总透光率的上限例如为50%、30%、 20%。
[0174] 波长555nm的总透光率可通过背面保护薄膜911的厚度、着色剂的种类等来控制。 例如通过减小背面保护薄膜911的厚度、使用颜料作为着色剂，能够提高波长555nm的总透 光率。
[0175] 背面保护薄膜911优选为有色。通过使背面保护薄膜911为有色，可容易地对激光 标识进行目视识别。背面保护薄膜911例如优选为黑色、蓝色、红色等深色。特别优选为黑 色。
[0176] 深色是指基本上L*a*b*色度体系所规定的L*达到60W下（0~60)[优选为50W下 (0~50)、进一步优选为40W下(0~40)]的深色。
[0177] 另外，黑色是指基本上L相帥*色度体系所规定的L*达到35W下(0~35)[优选为30 W下(0~30)、进一步优选为25W下(0~25)]的黑色系颜色。需要说明的是，对于黑色而言， L*a*b*色度体系所规定的a*、b*可分别根据L*值来适当选择。作为a*、b*，例如两者均优选 为-10~10、更优选为-5~5、特别适合为-3~3的范围(尤其是为O或大致为0)。
[0178] 需要说明的是，L*a*b*色度体系所规定的L*、a*、b*可通过使用色彩色差计（商品 名乂R-20(T、K0NICA MINOLTA，INC.制造;色彩色差计)进行测定来求出。需要说明的是，L* a*b*色度体系是国际照明委员会(CIE)于1976年推荐的颜色空间，是指被称为CIE1976(L* a*b*)色度体系的颜色空间。另外，L*a*b*色度体系在日本工业标准中由JIS Z 8729进行规 定。
[0179] 背面保护薄膜911通常为未固化状态。未固化状态包括半固化状态。背面保护薄膜 911优选为半固化状态。
[0180] 在85°C和85%RH的气氛下放置了 168小时时的背面保护薄膜911的吸湿率优选为1 重量％ ^下、更优选为0.8重量％^下。通过为1重量％ ^下，能够提高激光标记性。吸湿率 可通过无机填充剂的含量等来控制。
[0181] 背面保护薄膜911的吸湿率的测定方法如下所示。即，将背面保护薄膜911在85°C、 85%I?H的恒溫恒湿槽中放置168小时，由放置前后的减重率求出吸湿率。
[0182] 将通过使背面保护薄膜911固化而得到的固化物在85°C和85%畑的气氛下放置了 168小时时的吸湿率优选为1重量％ W下、更优选为0.8重量％ W下。通过为1重量％ W下，能 够提高激光标记性。吸湿率可通过无机填充剂的含量等来控制。
[0183] 固化物的吸湿率的测定方法如下所示。即，将固化物在85 °C、85 %畑的恒溫恒湿槽 中放置168小时，由放置前后的减重率求出吸湿率。
[0184] 背面保护薄膜911中的乙醇提取的凝胶率优选为50% W上、更优选为70% W上、更 进一步优选为90% W上。为50% W上时，能够防止其粘附于半导体制造工艺中的夹具等。
[0185] 需要说明的是，背面保护薄膜911的凝胶率可通过树脂成分的种类、其含量、交联 剂的种类、其含量、W及加热溫度、加热时间等来控制。
[0186] 背面保护薄膜911的未固化状态下的23°C下的拉伸储能模量优选为0.5G化W上、 更优选为〇.75GPaW上、进一步优选为IG化W上。为IG化W上时，能够防止背面保护薄膜911 附着于载带。23°C下的拉伸储能模量的上限例如为50GPa"23°C下的拉伸储能模量可通过树 脂成分的种类、其含量、填充材料的种类、其含量等来控制。
[0187] 背面保护薄膜911可W是导电性，也可W是非导电性。
[0188] 背面保护薄膜911对于半导体晶片4的粘接力(23°C、剥离角度为180°、剥离速度为 300mm/分钟）优选为IN/lOmm宽度W上、更优选为2N/10mm宽度W上、进一步优选为4N/10mm 宽度W上。另一方面，所述粘接力优选为lON/lOmm宽度W下。通过为IN/lOmm宽度W上，背面 保护薄膜911W优异的密合性粘贴于半导体晶片4、半导体元件，能够防止浮起等的发生。另 夕h在切割半导体晶片4时还能够防止忍片飞散的发生。需要说明的是，背面保护薄膜911对 于半导体晶片4的粘接力例如是如下操作而测定的值。即，在背面保护薄膜911的一个面上 粘贴粘合带（商品名"BT315"、日东电工株式会社制造)而对背面进行增强。其后，用5(TC且 2kg的漉往复一次而利用热层压法将厚度0.6mm的半导体晶片4粘贴在进行了背面增强的长 度150mm、宽度IOmm的背面保护薄膜911的表面(正面）。其后，在热板上巧(TC)静置2分钟后， 在常溫(23 °C左右)下静置20分钟。静置后，使用剥离试验机(商品名"AUTOGRAPH AGS-J"、岛 津制作所社制造），在23°C的溫度下，在剥离角度:180°、拉伸速度:300mm/分钟的条件下，剥 掉进行了背面增强的背面保护薄膜911。背面保护薄膜911对于半导体晶片4的粘接力是此 时在背面保护薄膜911与半导体晶片4的界面进行剥离而测定的值(N/lOmm宽度）。
[0189] 背面保护薄膜911的厚度优选为上、更优选为化mW上、进一步优选为6wiiW 上、特别优选为lOwnW上。另一方面，背面保护薄膜911的厚度优选为200 W11W下、更优选为 160WI1W下、进一步优选为IOOwii W下、更进一步优选为sown W下、特别优选为SOwiiW下。
[0190] 背面保护薄膜911优选包含着色剂。作为着色剂，例如可列举出染料、颜料。其中优 选为染料。
[0191] 作为染料，优选为深色系染料。作为深色系染料，例如可列举出黑色染料、蓝色染 料、红色染料等。其中，优选为黑色染料。色料可W单独使用或者组合使用巧巾W上。
[0192] 背面保护薄膜911中的着色剂的含量优选为0.5重量％ ^上、更优选为1重量％ W 上、进一步优选为2重量％^上。背面保护薄膜911中的着色剂的含量优选为10重量％ W下、 更优选为8重量％ W下、进一步优选为5重量％ W下。
[0193] 背面保护薄膜911可W包含热塑性树脂。
[0194] 作为热塑性树脂，例如可列举出天然橡胶、下基橡胶、异戊橡胶、氯下橡胶、乙締- 醋酸乙締醋共聚物、乙締-丙締酸共聚物、乙締-丙締酸醋共聚物、聚下二締树脂、聚碳酸醋 树脂、热塑性聚酷亚胺树脂、6-尼龙和/或6，6-尼龙等聚酷胺树脂、苯氧基树脂、丙締酸类树 月旨、PET(聚对苯二甲酸乙二醇醋)和/或PBT(聚对苯二甲酸下二醇醋)等饱和聚醋树脂、聚酷 胺酷亚胺树脂或氣树脂等。热塑性树脂可W单独使用或者组合使用巧巾W上。其中，适合为 丙締酸类树脂、苯氧基树脂。
[0195] 作为丙締酸类树脂，没有特别限定，可列举出W具有碳数为30W下(碳数优选为4 ~18、碳数进一步优选为6~10、碳数特别优选为8或9)的直链或支链烷基的丙締酸或甲基 丙締酸的醋中的1种或巧中W上作为成分的聚合物等。即，本发明中，丙締酸类树脂是指还包 括甲基丙締酸类树脂的广义概念。作为烷基，例如可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正下 基、叔下基、异下基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸 基、异癸基、十一烷基、十二烷基（月桂基）、十=烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。
[0196] 另外，作为用于形成丙締酸类树脂的其它单体(烷基的碳数为30W下的丙締酸或 甲基丙締酸的烷基醋W外的单体），没有特别限定，例如可列举出丙締酸、甲基丙締酸、丙締 酸簇基乙醋、丙締酸簇基戊醋、衣康酸、马来酸、富马酸或己豆酸等各种含簇基单体;马来酸 酢或衣康酸酢等各种酸酢单体；（甲基)丙締酸2-径基乙醋、（甲基)丙締酸2-径基丙醋、（甲 基）丙締酸4-径基下醋、（甲基）丙締酸6-径基己醋、（甲基）丙締酸8-径基辛醋、（甲基）丙締 酸10-径基癸醋、（甲基）丙締酸12-径基月桂醋或(4-径基甲基环己基)-甲基丙締酸醋等各 种含径基单体;苯乙締横酸、締丙基横酸、2-(甲基)丙締酷胺-2-甲基丙横酸、（甲基)丙締酷 胺丙横酸、（甲基)丙締酸横基丙醋或（甲基)丙締酷氧基糞横酸等各种含横酸基单体;或者 2-径基乙基丙締酷基憐酸醋等各种含憐酸基单体等。需要说明的是，（甲基)丙締酸是指丙 締酸和/或甲基丙締酸，本发明的（甲基)均为相同的意义。
[0197] 背面保护薄膜911中的热塑性树脂的含量优选为10重量％ ^上、更优选为30重 量％ W上。背面保护薄膜911中的热塑性树脂的含量优选为90重量％ ^下、更优选为70重 量％^下。
[0198] 背面保护薄膜911可W包含热固性树脂。
[0199] 作为热固性树脂，可列举出环氧树脂、酪醒树脂、氨基树脂、不饱和聚醋树脂、聚氨 醋树脂、有机娃树脂、热固性聚酷亚胺树脂等。热固性树脂可W单独使用或者组合使用巧中 W上。作为热固性树脂，特别适合为会腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的环氧树 月旨。另外，作为环氧树脂的固化剂，可适合地使用酪醒树脂。
[0200] 作为环氧树脂，没有特别限定，例如可W使用双酪A型环氧树脂、双酪F型环氧树 月旨、双酪S型环氧树脂、漠化双酪A型环氧树脂、氨化双酪A型环氧树脂、双酪AF型环氧树脂、 联苯型环氧树脂、糞型环氧树脂、巧型环氧树脂、苯酪酪醒清漆型环氧树脂、邻甲酪酪醒清 漆型环氧树脂、=径基苯基甲烧型环氧树脂、四径基苯基乙烧型环氧树脂等二官能环氧树 月旨、多官能环氧树脂或乙内酷脈型环氧树脂、=缩水甘油基异氯脈酸醋型环氧树脂或缩水 甘油胺型环氧树脂等环氧树脂。
[0201] 其中，特别优选为酪醒清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、=径基苯基甲烧型环氧 树脂、四径基苯基乙烧型环氧树脂。运是因为，运些环氧树脂与作为固化剂的酪醒树脂富有 反应性、耐热性等优异。
[0202] 进而，酪醒树脂作为环氧树脂的固化剂而起作用，例如可列举出苯酪酪醒清漆树 月旨、苯酪芳烷基树脂、甲酪酪醒清漆树脂、叔下基苯酪酪醒清漆树脂、壬基苯酪酪醒清漆树 脂等酪醒清漆型酪醒树脂、甲阶型酪醒树脂、聚对径基苯乙締等聚氧苯乙締等。酪醒树脂可 W单独使用或者组合使用巧巾W上。运些酪醒树脂之中，特别优选为苯酪酪醒清漆树脂、苯 酪芳烷基树脂。运是因为能够提高半导体装置的连接可靠性。
[0203] 关于环氧树脂与酪醒树脂的配混比例，例如适合的是，W酪醒树脂中的径基相对 于环氧树脂中的环氧基1当量达到0.5当量~2.0当量的方式进行配混。更适合为0.8当量~ 1.2当量。
[0204] 背面保护薄膜911中的热固性树脂的含量优选为2重量％ ^上、更优选为5重量％ W上。背面保护薄膜911中的热固性树脂的含量优选为40重量％ ^下、更优选为20重量％ W 下。
[0205] 背面保护薄膜911可W包含环氧树脂和酪醒树脂的热固化促进催化剂。作为热固 化促进催化剂，没有特别限定，可W从公知的热固化促进催化剂中适当选择并使用。热固化 促进催化剂可W单独使用或者组合使用巧巾W上。作为热固化促进催化剂，例如可W使用胺 系固化促进剂、憐系固化促进剂、咪挫系固化促进剂、棚系固化促进剂、憐-棚系固化促进剂 等。
[0206] 为了使背面保护薄膜911预先进行某种程度的交联，优选的是，在制作时，作为交 联剂而预先添加与聚合物的分子链末端的官能团等发生反应的多官能性化合物。由此能够 提高高溫下的粘接特性并实现耐热性的改善。
[0207] 作为交联剂，没有特别限定，可W使用公知的交联剂。具体而言，例如可列举出异 氯酸醋系交联剂、环氧系交联剂、=聚氯胺系交联剂、过氧化物系交联剂、脈系交联剂、金属 醇盐系交联剂、金属馨合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、嗯挫嘟系交联 剂、氮丙晚系交联剂、胺系交联剂等。作为交联剂，适合为异氯酸醋系交联剂、环氧系交联 剂。另外，交联剂可W单独使用或者组合使用巧巾W上。
[020引作为异氯酸醋系交联剂，例如可列举出1,2-亚乙基二异氯酸醋、1,4-亚下基二异 氯酸醋、1，6-六亚甲基二异氯酸醋等低级脂肪族多异氯酸醋类;环亚戊基二异氯酸醋、环亚 己基二异氯酸醋、异佛尔酬二异氯酸醋、氨化甲苯二异氯酸醋、氨化二甲苯二异氯酸醋等脂 环族多异氯酸醋类;2,4-甲苯二异氯酸醋、2,6-甲苯二异氯酸醋、4,4'-二苯基甲烧二异氯 酸醋、苯二亚甲基二异氯酸醋等芳香族多异氯酸醋类等，除此之外，还可W使用=径甲基丙 烧/甲苯二异氯酸醋S聚体加成物[Ni卵on Polyurethane IndustiT Co.,Ltd.制造、商品 名"CORONATE L" ]、甲基丙烷/六亚甲基二异氯酸醋S聚体加成物[Nippon 化Iyurethane Industiy Co.,Ltd.制造、商品名乂 ORONATE HL"]等。另外，作为环氧系交联 剂，例如可列举出N，N，N'，N'-四缩水甘油基间苯二胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N，N-缩 水甘油基氨基甲基)环己烧、1,6-己二醇二缩水甘油酸、新戊二醇二缩水甘油酸、乙二醇二 缩水甘油酸、丙二醇二缩水甘油酸、聚乙二醇二缩水甘油酸、聚丙二醇二缩水甘油酸、山梨 糖醇多缩水甘油酸、甘油多缩水甘油酸、季戊四醇多缩水甘油酸、聚甘油多缩水甘油酸、脱 水山梨糖醇多缩水甘油酸、=径甲基丙烷多缩水甘油酸、己二酸二缩水甘油醋、邻苯二甲酸 二缩水甘油醋、=缩水甘油基=(2-径基乙基）异氯脈酸醋、间苯二酪二缩水甘油酸、双酪- S-二缩水甘油酸、W及分子内具有2个W上环氧基的环氧系树脂等。
[0209] 需要说明的是，本发明中，还可W照射电子射线、紫外线等来代替使用交联剂，或 者在使用交联剂的同时照射电子射线、紫外线等，由此实施交联处理。
[0210] 背面保护薄膜911可W包含填充剂。通过包含填充剂，能够实现背面保护薄膜911 的弹性模量的调节等。
[0211] 作为填充剂，可W是无机填充剂、有机填充剂中的任一种，适合为无机填充剂。作 为无机填充剂，例如可列举出二氧化娃、粘±、石膏、碳酸巧、硫酸领、氧化侣、氧化被、碳化 娃、氮化娃等陶瓷类;侣、铜、银、金、儀、铭、铅、锡、锋、钮、焊料等金属;或者合金类、其它包 含碳等的各种无机粉末等。填充剂可W单独使用或者组合使用巧巾W上。作为填充剂，其中 适合为二氧化娃、特别适合为烙融二氧化娃。需要说明的是，无机填充剂的平均粒径优选在 0.1 wii~80WI1的范围内。无机填充剂的平均粒径例如可通过激光衍射型粒度分布测定装置 来测定。
[0212] 背面保护薄膜911中的填充剂的含量优选为10重量％ ^上、更优选为20重量％ W 上。背面保护薄膜911中的填充剂的含量优选为70重量％^下、更优选为50重量％ W下。
[0213] 背面保护薄膜911可W适当包含其它添加剂。作为其它添加剂，例如可列举出阻燃 剂、硅烷偶联剂、离子捕获剂、增量剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂等。
[0214] 作为阻燃剂，例如可列举出=氧化錬、五氧化錬、漠化环氧树脂等。阻燃剂可W单 独使用或者组合使用巧巾W上。作为硅烷偶联剂，例如可列举出e-(3,4-环氧环己基）乙基S 甲氧基硅烷、丫-环氧丙氧基丙基二甲氧基硅烷、丫-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。 硅烷偶联剂可W单独使用或者组合使用巧巾W上。作为离子捕获剂，例如可列举出水滑石 类、氨氧化祕等。离子捕获剂可W单独使用或者组合使用巧巾W上。
[0215] 通过将热固性树脂、热塑性树脂和溶剂等混合而制备混合液，将混合液涂布在剥 离纸上并干燥的方法等，能够获得背面保护薄膜911。
[0216] (变形例1)
[0217] 背面保护薄膜911呈现包括第1层和配置在第1层上的第2层的多层形状。
[0218] 实施例
[0219] W下例示性地详细说明本发明的适合实施例。其中，在没有特别限定性记载的情 况下，该实施例中记载的材料、配混量等并不表示将本发明的范围仅限定于运些材料、配混 量。
[0220][背面保护薄膜的制作]
[0221 ]针对用于制作背面保护薄膜的成分进行说明。
[0222] 环氧树脂:DIC Co巧oration制造、"HP-4700"
[0223] 酪醒树脂：明和化成株式会社制造、"MEH-785ltf'
[0224] 丙締酸类橡胶：Nagase QiemteX Coloration.制造、"I'eisan Resin SG-P3"
[02巧]二氧化娃填料:Admatechs.公司制造、。沈-2050-MCV''(平均一次粒径为0.5WI1) [02%]着色剂l:〇rient Chemical Industries Co. ,Ltd.制造、"NUBIAN BLACK TN877" [0227]着色剂2:0;rient Qiemical Industries Co. ,Ltd.制造、"S0MA-0543"
[022引 着色剂3:0rient Chemical Industries Co. ,Ltd.制造、"ORIPACS B-35"
[0229] 按照表1所述的配混比，将各成分溶于甲乙酬，从而制备固体成分浓度为22重量％ 的粘接剂组合物的溶液。将粘接剂组合物的溶液涂布在剥离衬垫(进行了有机娃脱模处理 且厚度为50WI1的聚对苯二甲酸乙二醇醋薄膜)上，然后W130°C干燥2分钟，从而制作背面保 护薄膜。将背面保护薄膜的厚度示于表1。
[0230] [评价]
[0231] 针对背面保护薄膜进行W下的评价。将结果示于表1。
[0232] (波长555nm的总透光率）
[0233] 针对背面保护薄膜，按照下述条件测定波长555nm的总透光率（％ )。
[0234] <光线透过率测定条件〉
[0235] 测定装置:紫外可见近红外分光光度计V-670DS(日本分光株式会社制造）
[0236] 速度：2000nm/分钟
[0237] 测定范围：400~1600nm [023引积分球：ISN-723
[0239] 光斑直径：1cm见方
[0240] (缺口检测）
[0241] 将背面保护薄膜与8英寸的镜面晶片W7(TC进行粘贴，利用数字式显微镜W50% 的光量能够检测到缺口时判定为O、无法检测到缺口时判定为X。
[0242] (凝胶率）
[0243] 从背面保护薄膜取样约0.1 g并精密称量(试样的重量），将样品用网状片包裹后， 在约50ml乙醇中W室溫浸溃1星期。其后，将溶剂不溶成分（网状片的内容物)从乙醇中取 出，W130°C干燥约2小时，称量干燥后的溶剂不溶成分(浸溃/干燥后的重量），利用下述式 (a)算出凝胶率（％)。
[0244] 凝胶率（％ )=[(浸溃/干燥后的重量)/(试样的重量)]X 100 (a)
[0245] (拉伸储能模量）
[0246] 使用I?heome1:;ric Scientific Ltd制造的动态粘弹性测定装置"Solid Analyzer RS A2"，在拉伸模式下，在样品宽度：10mm、样品长度:22.5mm、样品厚度:0.2mm下，在频率： IHz、升溫速度:1 (TC /分钟、氮气气氛下，W规定溫度(23 °C)测定拉伸储能模量。
[0247] [表1]
[0248] (背而保护薄膛）
[0249]
【主权项】
1. 一种设置有缺口的背面保护薄膜，其用于粘贴在半导体晶片的背面，所述背面保护 薄膜的外周小于所述半导体晶片的外周。2. -种薄膜，其包括： 隔离膜、以及 配置在所述隔离膜上的权利要求1所述的背面保护薄膜。3. 根据权利要求2所述的薄膜，其呈现卷状。4. 一种半导体装置的制造方法，其包括将半导体晶片和外周小于所述半导体晶片的外 周且设置有缺口的背面保护薄膜进行粘贴的工序。5. 根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，将所述半导体晶片和所述背面 保护薄膜进行粘贴的工序是通过将所述半导体晶片和所述背面保护薄膜进行粘贴而形成 层叠板的工序，所述层叠板包括所述半导体晶片以及与所述半导体晶片的背面接触的所述 背面保护薄膜，将所述背面保护薄膜配置于面前并从垂直于所述半导体晶片的方向进行观 察时，所述层叠板呈现所述背面保护薄膜的所述缺口与设置于所述半导体晶片的缺口的一 部分轮廓重合的轮廓。6. 根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，将所述半导体晶片和所述背面 保护薄膜进行粘贴的工序是通过将所述半导体晶片和所述背面保护薄膜进行粘贴而形成 层叠板的工序，所述层叠板包括所述半导体晶片以及与所述半导体晶片的背面接触的所述 背面保护薄膜，将所述背面保护薄膜配置于面前并从垂直于所述半导体晶片的方向进行观 察时，所述层叠板呈现设置于所述半导体晶片的缺口的轮廓与所述背面保护薄膜的所述缺 口的轮廓相比位于所述半导体晶片的半径方向的外侧的形状。7. -种保护芯片的制造方法，其中，所述保护芯片包括半导体元件和配置在所述半导 体元件的背面上的保护膜， 所述制造方法包括将半导体晶片和外周小于所述半导体晶片的外周且设置有缺口的 背面保护薄膜进行粘贴的工序。8. -种背面保护薄膜，其用于粘贴在半导体晶片的背面， 该背面保护薄膜的波长555nm的总透光率为3%以上。9. 一种薄膜，其包括： 隔离膜、以及 配置在所述隔离膜上的权利要求8所述的背面保护薄膜。10. -种半导体装置的制造方法，其包括将半导体晶片和波长555nm的总透光率为3% 以上的背面保护薄膜进行粘贴的工序。11. 一种保护芯片的制造方法，其中，所述保护芯片包括半导体元件和配置在所述半导 体元件的背面上的保护膜， 该制造方法包括将半导体晶片和波长555nm的总透光率为3%以上的背面保护薄膜进 行粘贴的工序。
【文档编号】H01L21/683GK106098607SQ201610274684
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年4月28日 公开号201610274684.3, CN 106098607 A, CN 106098607A, CN 201610274684, CN-A-106098607, CN106098607 A, CN106098607A, CN201610274684, CN201610274684.3
【发明人】高本尚英, 木村龙一
【申请人】日东电工株式会社