一种电致发光器件及其制作方法
【专利摘要】本发明实施例公开了一种电致发光器件及其制作方法。该电致发光器件包括位于衬底基板上的阴极电极层，所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；还包括：位于所述阴极电极层上的辅助阴极层，所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料。该方案中，在阴极电极层上设置了辅助阴极层，该辅助阴极层采用透明金属材料，能够较好的满足器件对透过率的需求，可在保证电子注入能力和透过率的前提下，降低方块电阻，有利于提升驱动电压的稳定性，提升显示画质；且该辅助阴极层与阴极电极层中均具有透明金属材料，因而在生产过程中，可以利用同一种工艺制备，不会使得工艺复杂化，有利于提高生产效率。
【专利说明】
-种电致发光器件及其制作方法
技术领域
[0001] 本发明设及显示技术领域，尤其设及一种电致发光器件及其制作方法。
【背景技术】
[0002] 现有技术中的有机发光二极管(OrCanic Light-emitting Diode,OLED)器件，包 括顶发射型化抓，该顶发射型化抓的光从阴极电极层一侧出射，因而阴极电极层不仅要具 有较佳的电子注入能力和较低的方块电阻，还要具有较佳的透过率。
[0003] 现有的一种阴极电极层是采用低功函数金属(功函数低于4.OeV)和高功函数金属 (功函数高于4.OeV)共蒸得到的共蒸膜层，例如，由儀(Mg)和银(Ag)共蒸得到的共蒸膜层， 在该共蒸膜层中，为了得到较佳的电子注入能力，增加Mg和Ag的比例，但是透过率会降低， 为了保证较佳的透过率，就必须将阴极做的很薄，但是运样会导致方块电阻增加，驱动电压 升高，且电压稳定性降低。为了解决该问题，现有技术的方案中，有在阴极电极层上制作石 墨締辅助阴极层的方案，但是由于该石墨締辅助阴极层的材料与阴极电极层的材料是完全 不同的种类，需要不同的工艺制备，导致工艺复杂化，降低了生产效率。
【发明内容】
[0004] 本发明实施例的目的是提供一种电致发光器件及其制作方法，用于解决在保证阴 极电极层电子注入能力和透过率的前提下，降低方块电阻且不增加工艺复杂度的问题。
[0005] 本发明实施例的目的是通过W下技术方案实现的：
[0006] -种电致发光器件，包括位于衬底基板上的阴极电极层，所述阴极电极层为具有 至少一种透明金属材料的共蒸膜层;还包括:位于所述阴极电极层上的辅助阴极层，所述辅 助阴极层的材料为至少一种透明金属材料。
[0007] 较佳地，所述辅助阴极层中的至少一种透明金属材料与所述共蒸膜层中的至少一 种透明金属材料相同。
[000引较佳地，所述共蒸膜层还包括:无机化合物，导电有机物，或功函数低于所述共蒸 膜层中的透明金属材料的金属。
[0009] 较佳地，所述共蒸膜层中的透明金属材料的功函数高于4.OeV;所述共蒸膜层中的 金属的功函数低于4. OeV。
[0010] 较佳地，所述辅助阴极层中的透明金属材料为透明金属银Ag或透明金属侣Al。
[0011] 较佳地，所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Ag或透明金属Al;所述功函 数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属为金属儀Mg,金属巧化，金属镜化或金属筑 Sc;所述无机化合物的材料为氣化裡LiF;所述导电有机物的材料为哇嘟裡或献菁类衍生 物。
[0012] 较佳地，所述辅助阴极层中的透明金属材料为透明金属Ag;所述共蒸膜层中的透 明金属材料为透明金属Ag,所述功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属为金属 Mg。
[OOU]较佳地，所述共蒸膜层中的Mg与Ag的粒子浓度的共蒸比例范围为1:1~20:1;
[0014]所述共蒸膜层的膜层厚度范围是50 A~150A;
[001引所述辅助阴极层的膜层厚度范围;^200A~500A;
[0016] 所述共蒸膜层和所述辅助阴极层的总透过率的范围是30%~50%。
[0017] 较佳地，所述辅助阴极层的透明金属材料为透明金属Al;所述共蒸膜层中的透明 金属材料为透明金属Al，所述无机化合物的材料为LiF。
[0018] 较佳地，所述辅助阴极层的透明金属材料为透明金属Al;所述共蒸膜层中的透明 金属材料为透明金属Al，所述导电有机物的材料为哇嘟裡。
[0019] 较佳地，所述辅助阴极层包覆所述阴极电极层的表面。
[0020] 较佳地，所述电致发光器件为顶发射型有机发光二极管0LED。
[0021 ] -种电致发光器件的制作方法，该方法包括：
[0022] 在衬底基板上形成阴极电极层;所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的 共黒胺层；
[0023] 在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层;所述辅助阴极层的材料 为至少一种所述透明金属材料。
[0024] 较佳地，在衬底基板上形成阴极电极层之前，该方法还包括:根据所需的所述阴极 电极层和所述辅助阴极层的目标总透过率，确定所述阴极电极层的预设透过率和所述辅助 阴极层的预设透过率；
[0025] 根据预先确定的在不同共蒸比例时所述阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合 关系，所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，W及确定出的所述阴极电极层的 预设透过率和所述辅助阴极层的预设透过率，分别确定所述阴极电极层的预设膜层厚度和 所述辅助阴极层的预设膜层厚度；
[0026] 根据所述阴极电极层的预设膜层厚度在白玻璃上形成阴极电极层，根据所述阴极 电极层的预设膜层厚度在形成有阴极电极层的白玻璃上形成辅助阴极层，并测量该阴极电 极层和辅助阴极层的实际的总透过率;将该阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与 所述目标总透过率进行对比，计算透过率误差，并判断该透过率误差是否在预设范围内；
[0027] 如果是，则确定所述阴极电极层的预设膜层厚度和所述辅助阴极层的预设膜层厚 度校正准确，否则，根据阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与所述目标总透过率 的差值，W及所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，调整所述辅助阴极层的预 设膜层厚度。
[0028] 较佳地，在衬底基板上形成阴极电极层，包括：
[0029] 根据校正准确后的所述阴极电极层的膜层厚度，按照相应的共蒸比例在衬底基板 上形成所述阴极电极层；
[0030] 在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层，包括：
[0031] 根据校正准确后的所述辅助阴极层的膜层厚度，在形成有所述阴极电极层的衬底 基板上形成辅助阴极层。
[0032] 较佳地，所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可W是通过如下方式确 定的：蒸锻不同膜层厚度的辅助阴极层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行 拟合得到拟合关系；
[0033] 在不同共蒸比例时所述阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可W是通过 如下方式确定的：在一定共蒸比例下，蒸锻不同膜层厚度的阴极电极层并测试透过率，对各 膜层厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合关系；其中，蒸锻的阴极电极层的膜层厚度在 预设厚度范围内。
[0034] 本发明实施例的有益效果如下：
[0035] 本发明实施例提供的一种电致发光器件及其制作方法中，在阴极电极层上设置了 辅助阴极层，增加了膜层厚度，该辅助阴极层采用透明金属材料，能够较好的满足器件对透 过率的需求，可在保证电子注入能力和透过率的前提下，降低方块电阻，有利于提升驱动电 压的稳定性，提升显示画质;且该辅助阴极层与阴极电极层中均具有透明金属材料，因而在 生产过程中，可W利用同一种工艺制备，不会使得工艺复杂化，有利于提高生产效率。
【附图说明】
[0036] 图1为本发明实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图；
[0037] 图2为本发明实施例提供的另一种电致发光器件的结构示意图；
[0038] 图3为本发明实施例提供的一种电致发光器件的制作方法流程图；
[0039] 图4为本发明实施例提供的又一种电致发光器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0040] 下面结合附图和实施例对本发明提供的一种电致发光器件及其制作方法进行更 详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本
【发明内容】
。
[0041] 本发明实施例提供一种电致发光器件，如图1所示，包括位于衬底基板Ol上的阴极 电极层02,阴极电极层02为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层;还包括:位于阴极电极 层02上的辅助阴极层03,辅助阴极层03的材料为至少一种透明金属材料。
[0042] 本发明实施例中，在阴极电极层上设置了辅助阴极层，增加了膜层厚度，该辅助阴 极层采用透明金属材料，能够较好的满足器件对透过率的需求，可在保证电子注入能力和 透过率的前提下，降低方块电阻，有利于提升驱动电压的稳定性，提升显示画质;且该辅助 阴极层与阴极电极层中均具有透明金属材料，因而在生产过程中，可W利用同一种工艺制 备，不会使得工艺复杂化，有利于提高生产效率。
[0043] 较佳地，辅助阴极层中的至少一种透明金属材料与共蒸膜层中的至少一种透明金 属材料相同。运样，辅助阴极层采用的透明金属材料与阴极电极层中具有的透明金属材料 相同，因而在生产过程中，可W进一步简化工艺，提高生产效率。
[0044] 具体实施时，较佳地，上述共蒸膜层还包括:无机化合物，导电有机物，或功函数低 于该共蒸膜层中的透明金属材料的金属。
[0045] 本实施例中的共蒸膜层，可W是透明金属材料与无机化合物的共蒸膜层，可W是 透明金属材料与导电有机物的共蒸膜层，还可W是透明金属材料与功函数低于该透明金属 材料的至少一种金属的共蒸膜层。
[0046] 具体实施时，较佳地，共蒸膜层中的透明金属材料的功函数高于4.OeV;共蒸膜层 中的金属的功函数低于4.OeV。本实施例中，共蒸膜层中的透明金属材料为高功函数的透明 金属材料，共蒸膜层中的金属为低功函数的透明金属材料。
[0047] 具体实施时，辅助阴极层中的透明金属材料有多种，较佳地，辅助阴极层中的透明 金属材料可W为透明金属Ag或透明金属侣(Al)。
[0048] 具体实施时，较佳地，共蒸膜层中的透明金属材料可W但不限于为透明金属Ag或 透明金属Al;功函数低于共蒸膜层中的透明金属材料的金属可W但不限于为金属Mg,金属 巧(Ca)，金属镜(Yb)或金属筑(Sc)。本实施例中，共蒸膜层中的透明金属材料Ag和Al为功函 数高于4.OeV的透明高功函数金属，可耐腐蚀;共蒸膜层中的金属Mg,化，孔或Sc为功函数低 于4. OeV的低功函数金属，可作为电子发射材料。
[0049] 在一种可能的实施例中，较佳地，辅助阴极层中的透明金属材料为透明金属Ag;共 蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Ag,功函数低于共蒸膜层中的透明金属材料为金属 Mg。实施中，较佳地，共蒸膜层中的Mg与Ag的粒子浓度的共蒸比例范围为1:1~20:1;共蒸膜 层的膜层厚度范围是50A~150A;辅助阴极层的膜层厚度范围是200 A~500 A;共蒸膜 层和辅助阴极层的总透过率的范围是30%~50%。本实施例中，Mg与Ag的粒子浓度的共蒸 比例范围可W有效的保证电子注入能力，且阴极电极层的厚度与现有技术中的膜层厚度范 围IOOA~200A相比，大大减小了，又由于在阴极电极层上还设置有辅助阴极层，即透明金 属Ag膜层，该透明金属Ag膜层在降低方块电阻的同时，又能够保证有较佳的透过率。另外， 阴极电极层中有透明金属Ag,辅助阴极层中也利用了透明金属Ag,可W在采用相同的制备 工艺。因而，本实施的方案，实现了在保证阴极电极层电子注入能力和透过率的前提下，降 低方块电阻且不增加工艺复杂度。
[0050] 较佳地，共蒸膜层中的Mg与Ag的粒子浓度的共蒸比例范围为5:1~10:1。
[0051] 基于W上相关实施例，无机化合物的材料可W但不限于为氣化裡化iF)。基于此， 在另一种可能的实施例中，较佳地，辅助阴极层的透明金属材料为透明金属Al;共蒸膜层中 的透明金属材料为金属Al,无机化合物的材料为LiF。本实施例中，共蒸膜层中的Al与LiF的 粒子浓度的共蒸比例范围、膜层厚度范围等等可W根据实际需要设置，在此不做具体限定。
[0052] 基于W上相关实施例，导电有机物的材料可W但不限于为哇嘟裡或献菁类衍生 物。相应的，在又一种可能的实施例中，较佳地，辅助阴极层的透明金属材料为透明金属Al; 共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Al,导电有机物的材料为哇嘟裡。本实施例中，共蒸 膜层中的Al与哇嘟裡的粒子浓度的共蒸比例范围、膜层厚度范围等等可W根据实际需要设 置，在此不做具体限定。
[0053] 基于W上任意实施例，较佳地，如图2所示，辅助阴极层03包覆阴极电极层02的表 面。运样，辅助阴极层03可W对阴极电极层02起到保护作用。
[0054] 基于W上任意实施例，较佳地，电致发光器件为顶发射型0LED。
[0055] 基于同样的发明构思，本发明实施例还提供一种电致发光器件的制作方法，如图3 所示，该方法至少包括如下步骤：
[0056] 步骤310、在衬底基板上形成阴极电极层;该阴极电极层为具有至少一种透明金属 材料的共蒸膜层；
[0057] 步骤320、在形成有阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层;该辅助阴极层的材 料为至少一种透明金属材料。
[0058] 本发明实施例中，在阴极电极层上设置了辅助阴极层，增加了膜层厚度，该辅助阴 极层采用透明金属材料，能够较好的满足器件对透过率的需求，可在保证电子注入能力和 透过率的前提下，降低方块电阻，有利于提升驱动电压的稳定性，提升显示画质;且该辅助 阴极层与阴极电极层中均具有透明金属材料，因而在生产过程中，可W利用同一种工艺制 备，不会使得工艺复杂化，有利于提高生产效率。
[0059] 在制作过程中，对阴极电极层的膜层厚度，辅助阴极层的膜层厚度，阴极电极层和 辅助阴极层的总透过率的精确控制，是得到稳定性较佳的器件的重要因素。本发明实施例 中，需要按照阴极电极层和辅助阴极层的目标总透过率（即实际需要的总透过率），分配阴 极电极层的预设膜层厚度和辅助阴极层的预设膜层厚度。因而需要事先对阴极电极层的预 设膜层厚度，辅助阴极层的预设膜层厚度，相应的阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透 过率进行校正，W避免影响对器件的其它参数的控制。为了实现对阴极电极层的预设膜层 厚度，辅助阴极层的预设膜层厚度，阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率的精准控 审IJ，本发明实施例提供了相应的校正方式。具体如下：
[0060] 较佳地，在衬底基板上形成阴极电极层之前，本发明实施例提供的制作方法还包 括:根据所需的阴极电极层和辅助阴极层的目标总透过率，确定阴极电极层的预设透过率 和辅助阴极层的预设透过率；
[0061] 根据预先确定的在不同共蒸比例时阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系， 辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，W及确定出的阴极电极层的预设透过率和辅 助阴极层的预设透过率，分别确定阴极电极层的预设膜层厚度和辅助阴极层的预设膜层厚 度；
[0062] 根据阴极电极层的预设膜层厚度在白玻璃上形成阴极电极层，根据阴极电极层的 预设膜层厚度在形成有阴极电极层的白玻璃上形成辅助阴极层，并测量阴极电极层和辅助 阴极层的实际的总透过率;将该阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与目标总透过 率进行对比，计算透过率误差，并判断该透过率误差是否在预设范围内；
[0063] 如果是，则确定阴极电极层的预设膜层厚度和辅助阴极层的预设膜层厚度校正准 确，否则，根据实际的总透过率与目标总透过率的差值，W及辅助阴极层的膜层厚度与透过 率的拟合关系，调整辅助阴极层的预设膜层厚度。
[0064] 基于此，相应的，上述步骤310中，在衬底基板上形成阴极电极层，具体可W是：根 据校正准确后的阴极电极层的膜层厚度，按照相应的共蒸比例在衬底基板上形成阴极电极 层;上述步骤320中，在形成有阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层，具体可W是:根据 校正准确后的辅助阴极层的膜层厚度，在形成有阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极 层。
[0065] 其中，辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可W是通过如下方式确定的： 蒸锻不同膜层厚度的辅助阴极层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合得 到拟合关系。
[0066] 其中，在不同共蒸比例时阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可W是通过 如下方式确定的：在一定共蒸比例下，蒸锻不同膜层厚度的阴极电极层并测试透过率，对各 膜层厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合关系。其中，蒸锻的阴极电极层的膜层厚度在 预设厚度范围内。其中，预设厚度范围可W是200A~800A，较佳地，该预设厚度范围为 300A~500 A。运样，预设厚度相对较厚，如果阴极电极层发生氧化对膜层厚度的影响也相 对较小，可W忽略，得到的拟合关系越准确。
[0067] 下面W电致发光器件为顶发射型OLm)器件为例，对本发明实施例提供的一种电致 发光器件及其制作方法进行更加详细地描述。
[0068] 本实施例中的电致发光器件的具体结构如图4所示，包括:衬底基板01，依次层叠 在衬底基板上的阳极层04、空穴注入层05、空穴传输层06、电致发光层07、电子传输层08、电 子注入层09、阴极电极层02、辅助阴极层03、光取出层10。其中，阴极电极层02为金属Mg与透 明金属Ag的共蒸膜层，辅助阴极层03为Ag膜层，辅助阴极层03包覆阴极电极层02的表面，W 便保护阴极电极层02。
[00例其中，Mg与Ag的共蒸膜层中，Mg与Ag的粒子浓度的共蒸比例范围为5:1~10:1 ;Mg 与Ag的共蒸膜层的膜层厚度范围是50A:~150朵;Ag膜层的膜层厚度范围是200A~500A; Mg与Ag的共蒸膜层和Ag膜层的总透过率的范围是30%~50%。
[0070] 下面对上述图4所示的电致发光器件的制作流程进行具体介绍：
[0071] -、预先对Ag膜层的预设膜层厚度，Mg与Ag的共蒸膜层的预设膜层厚度，Mg与Ag的 共蒸膜层和Ag膜层的实际的总透过率进行校正。
[0072] 首先，预先确定Ag膜层的膜层厚度与透过率的拟合关系，具体的，蒸锻不同膜层厚 度的Ag膜层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合，得到Ag膜层的膜层厚 度与透过率的拟合关系。还要预先确定在实际需要的共蒸比例时Mg与Ag的共蒸膜层的膜层 厚度与透过率的拟合关系，具体的，在实际需要的共蒸比例下，蒸锻不同膜层厚度的Mg与Ag 的共蒸膜层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合，得到Mg与Ag的共蒸膜 层的膜层厚度与透过率的拟合关系。其中，蒸锻的Mg与Ag的共蒸膜层的膜层厚度在 3娜A~撕0 A。
[0073] 然后，根据所需的Mg与Ag的共蒸膜层和Ag膜层在500nm的可见光下的目标总透过 率，确定Mg与Ag的共蒸膜层的预设透过率和Ag膜层的预设透过率。其中的目标总透过率的 范围是30%~50%。基于W上确定的Ag膜层的膜层厚度与透过率的拟合关系，在实际需要 的共蒸比例时Mg与Ag的共蒸膜层的膜层厚度与透过率的拟合关系，W及确定的Mg与Ag的共 蒸膜层的预设透过率和Ag膜层的预设透过率，分别确定Mg与Ag的共蒸膜层的预设膜层厚 度、Ag膜层的预设膜层厚度。
[0074] 在干净的白玻璃上根据确定的Mg与Ag的共蒸膜层的预设膜层厚度，按照相应的共 蒸比例形成Mg与Ag的共蒸膜层;根据确定的Ag膜层的预设膜层厚度，在该Mg与Ag的共蒸膜 层上蒸锻Ag膜层;利用紫外可见分光光度计，测量Mg与Ag的共蒸膜层W及Ag膜层在500nm可 见光下的实际的总透过率;将测量的实际的总透过率与所需的Mg与Ag的共蒸膜层和Ag膜层 的目标总透过率进行对比，计算透过率误差;判断该透过率误差是否在预设误差范围内；如 果是，则判断确定的Mg与Ag的共蒸膜层的预设膜层厚度和Ag膜层的预设膜层厚度是校正准 确的；否则，根据实际的总透过率与目标总透过率的差值，Ag膜层的膜层厚度与透过率的拟 合关系，对Ag膜层的预设膜层厚度进行调整，W使得实际的总透过率与目标总透过率相比 在预设误差范围内。
[0075] 二、在上述流程基础上，进行如下制作步骤：
[0076] 步骤一、在衬底基板上依次形成层叠的阳极层04、空穴注入层05、空穴传输层06、 电致发光层07、电子传输层08和电子注入层09。
[0077] 步骤二、根据实际需要的共蒸比例，W及校正准确后的Mg与Ag的共蒸膜层的膜层 厚度，在步骤一形成的衬底基板上蒸锻^te与Ag的共蒸膜层(即阴极电极层02)。
[0078] 步骤S、根据校正准确后的Ag膜层的膜层厚度，在蒸锻有Mg与Ag的共蒸膜层的衬 底基板上蒸锻包覆该Mg与Ag的共蒸膜层的表面的Ag膜层(即辅助阴极层03)。
[0079] 步骤四、在Ag膜层上形成光取出层10。
[0080] 本发明实施例提供的一种电致发光器件及其制作方法中，在阴极电极层上设置了 辅助阴极层，增加了膜层厚度，该辅助阴极层采用透明金属材料，能够较好的满足器件对透 过率的需求，可在保证电子注入能力和透过率的前提下，降低方块电阻，有利于提升驱动电 压的稳定性，提供显示画质；且该辅助阴极采用的透明金属材料与阴极电极层中具有的透 明金属材料相同，因而在生产过程中，可W利用与该阴极电极层同样的工艺制备，不会使得 工艺复杂化，有利于提高生产效率。
[0081] 显然，本领域的技术人员可W对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精 神和范围。运样，倘若本发明的运些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围 之内，则本发明也意图包含运些改动和变型在内。
【主权项】
1. 一种电致发光器件，包括位于衬底基板上的阴极电极层，所述阴极电极层为具有至 少一种透明金属材料的共蒸膜层;其特征在于，还包括:位于所述阴极电极层上的辅助阴极 层，所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料。2. 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助阴极层中的至少一种透 明金属材料与所述共蒸膜层中的至少一种透明金属材料相同。3. 根据权利要求1或2所述的电致发光器件，其特征在于，所述共蒸膜层还包括:无机化 合物，导电有机物，或功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属。4. 根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述共蒸膜层中的透明金属材料 的功函数高于4. OeV;所述共蒸膜层中的金属的功函数低于4. OeV。5. 根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助阴极层中的透明金属材 料为透明金属银Ag或透明金属侣A1。6. 根据权利要求5所述的电致发光器件，其特征在于，所述共蒸膜层中的透明金属材料 为透明金属Ag或透明金属A1;所述功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属为金 属儀Mg，金属巧化，金属镜孔或金属筑Sc;所述无机化合物的材料为氣化裡LiF;所述导电有 机物的材料为哇嘟裡或献菁类衍生物。7. 根据权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助阴极层中的透明金属材 料为透明金属Ag;所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Ag，所述功函数低于所述共 蒸膜层中的透明金属材料的金属为金属Mg。8. 根据权利要求7所述的电致发光器件，其特征在于，所述共蒸膜层中的Mg与Ag的粒子 浓度的共蒸比例范围为1:1~20:1; 所述共蒸膜层的膜层厚度范围是50 A~1 50Λ; 所述辅助阴极层的膜层厚度范围;^200Α~500Α; 所述共蒸膜层和所述辅助阴极层的总透过率的范围是30%~50%。9. 根据权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助阴极层的透明金属材料 为透明金属Α1;所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Α1，所述无机化合物的材料为 LiF。10. 根据权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助阴极层的透明金属材 料为透明金属A1;所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属A1，所述导电有机物的材料 为哇嘟裡。11. 根据权利要求1或2所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助阴极层包覆所述阴 极电极层的表面。12. 根据权利要求1或2所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件为顶发射 型有机发光二极管0LED。13. -种电致发光器件的制作方法，其特征在于，该方法包括： 在衬底基板上形成阴极电极层;所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸 胺层； 在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层;所述辅助阴极层的材料为至 少一种透明金属材料。14. 根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，在衬底基板上形成阴极电极层之 前，该方法还包括:根据所需的所述阴极电极层和所述辅助阴极层的目标总透过率，确定所 述阴极电极层的预设透过率和所述辅助阴极层的预设透过率； 根据预先确定的在不同共蒸比例时所述阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系， 所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，W及确定出的所述阴极电极层的预设透 过率和所述辅助阴极层的预设透过率，分别确定所述阴极电极层的预设膜层厚度和所述辅 助阴极层的预设膜层厚度； 根据所述阴极电极层的预设膜层厚度在白玻璃上形成阴极电极层，根据所述阴极电极 层的预设膜层厚度在形成有阴极电极层的白玻璃上形成辅助阴极层，并测量该阴极电极层 和辅助阴极层的实际的总透过率;将该阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与所述 目标总透过率进行对比，计算透过率误差，并判断该透过率误差是否在预设范围内； 如果是，则确定所述阴极电极层的预设膜层厚度和所述辅助阴极层的预设膜层厚度校 正准确，否则，根据阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与所述目标总透过率的差 值，W及所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，调整所述辅助阴极层的预设膜 层厚度。15. 根据权利要求14所述的制作方法，其特征在于，在衬底基板上形成阴极电极层，包 括： 根据校正准确后的所述阴极电极层的膜层厚度，按照相应的共蒸比例在衬底基板上形 成所述阴极电极层； 在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层，包括： 根据校正准确后的所述辅助阴极层的膜层厚度，在形成有所述阴极电极层的衬底基板 上形成辅助阴极层。16. 根据权利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述辅助阴极层的膜层厚度与透过 率的拟合关系可W是通过如下方式确定的：蒸锻不同膜层厚度的辅助阴极层并测试透过 率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合关系； 在不同共蒸比例时所述阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可W是通过如下 方式确定的:在一定共蒸比例下，蒸锻不同膜层厚度的阴极电极层并测试透过率，对各膜层 厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合关系；其中，蒸锻的阴极电极层的膜层厚度在预设 厚度范围内。
【文档编号】H01L51/52GK106098955SQ201610515980
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年7月1日
【发明人】李杰威
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥鑫晟光电科技有限公司