一种改进的电容器用插片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电容器用插片，尤其是一种焊接更加牢固，焊接更加规范电容器用插片。
【背景技术】
[0002]目前，现有的电容插片，如图1所示，插片本体I与电容芯子2之间是通过铜引线3焊接接通的，所以铜引线3的两端需要分别通过电阻焊与插接本体I与电容芯子2分别单独焊接，该焊接工艺复杂，耗时长，由于存在焊接连接位，会增加连接处的接触电阻，即增加等效串联电阻(ESR)。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于解决上述现有技术的不足，而提高一种结构简单、合理，结构强度大，焊接加工效率高，减少焊接工序，降低等效串联电阻的电容器用插片。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0005]一种改进的电容器用插片，包括由插片本体一体式弯接构成的插接块和安装块，插接块上通过扣接部扣接在电容壳体的开口边缘，使插接块延伸入电容壳体内，电容壳体内安装有电容芯子，使安装块延伸出电容壳体的开口外侧，其特征是，靠近电容芯子的焊接端面的插接块一侧一体式弯接延伸有焊接块，焊接块的延伸末端与电容芯子的焊接端面焊接连接。
[0006]采用该结构的电容器用插片，焊接块采用与铜件的插片本体一体化成型，然后进行机械加工折弯，同时，对弯接后的焊接块进行压扁处理(比如，插片本体Imm厚，该部位加工会被压扁为0.6-0.8mm厚)；该结构的好处是避免现阶段的产品加工时，采用直径1.0mm或其他直径的细铜丝构成的铜引线进行连接(采用铜线连接的结构，会多出一道焊接工序，同时，由于存在焊接连接位，会增加连接处的等效串联电阻)，而采用一体化的结构，减少一个焊接位，就减少了等效串联电阻，同时避免了现有技术铜引线焊接的随意性，有利于产品整体性能的提升。同时，由于一体化的结构设计，应用该结构的电容器产品的过电流能力将得到比较大的提升。
[0007]另外，根据不同大小的电容芯子，对焊接块长度的控制，可以控制焊接块与电容芯子的焊接点位置，避免目前焊接操作的随意确定焊接位，保证产品一致性的优越，同时，在设计阶段，可以通过计算，将焊接块的长度设置成可以焊接牢固的基础下的最短长度，也可以帮助减少等效串联电阻，降低生产成本。
[0008]本实用新型还可以采用以下技术措施解决:
[0009]所述插接块与安装块之间的弯接处外侧设有凹槽，对应凹槽的插接块与安装块之间的弯接处内侧设有凸台；插片本体折弯后，其抗振动能力下降的缺陷(因为插片本体折弯处形成一个90°的直角，插片本体(铜片)本身的延展性受到破坏，机械性能受到破坏)，凸台具有增强保证其抗振能力；凹槽和凸台，一般对应设置为1~2个，当插片本体宽度足够宽或者其抗振动要求更高时，可增加至3~5个，根据实际需要进行设置。
[0010]所述焊接块开设设有分隔槽，分隔槽两侧的焊接块上构成两焊接条；分开两焊接条，可以实现焊接块上的两个焊点与电容芯子焊接，更加方便焊接，并且增加焊接牢固度。
[0011]所述安装块上开设有安装通孔；方便安装。
[0012]所述焊接块的厚度小于插接块的厚度，焊接块的厚度为0.6-0.8mm ;方便安装和焊接，有效降低等效串联电阻。
[0013]本实用新型的有益效果是:
[0014]其结构简合理，焊接块采用与铜件的插片本体一体化成型，然后进行机械加工折弯，同时，对弯接后的焊接块进行压扁处理(比如，插片本体Imm厚，该部位加工会被压扁为
0.6-0.8mm厚)；该结构的好处是避免现阶段的产品加工时，采用直径1.0mm或其他直径的细铜丝构成的铜引线进行连接(采用铜线连接的结构，会多出一道焊接工序，同时，由于存在焊接连接位，会增加连接处的等效串联电阻)，而采用一体化的结构，减少一个焊接位，就减少了等效串联电阻，同时避免了现有技术铜引线焊接的随意性，有利于产品整体性能的提升。同时，由于一体化的结构设计，应用该结构的电容器产品的过电流能力将得到比较大的提升。
【附图说明】
[0015]图1是现有技术中插片本体与电容芯子连接关系示意图。
[0016]图2是本实用新型与电容壳体、电容芯子装配后的结构示意图。
[0017]图3是本实用新型与电容壳体、电容芯子装配后的结构示意图。
[0018]图4是本实用新型的结构示意图。
[0019]图5是本实用新型的结构示意图。
[0020]图6是本实用新型与电容芯子连接关系示意图。
【具体实施方式】
[0021]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0022]如图2至图6所示，一种改进的电容器用插片，包括由插片本体I 一体式弯接构成的插接块2和安装块3，插接块2上通过扣接部4扣接在电容壳体5的开口 501边缘，使插接块2延伸入电容壳体5内，电容壳体5内安装有电容芯子6，使安装块3延伸出电容壳体5的开口 501外侧，其特征是，靠近电容芯子6的焊接端面601的插接块2 —侧一体式弯接延伸有焊接块7，焊接块7的延伸末端701与电容芯子6的焊接端面601焊接连接。
[0023]采用该结构的电容器用插片，焊接块7采用与铜件的插片本体I 一体化成型，然后进行机械加工折弯，同时，对弯接后的焊接块进行压扁处理(比如，插片本体I为Imm厚，该部位加工会被压扁为0.6-0.8mm厚)；该结构的好处是避免现阶段的产品加工时，采用直径
1.0mm或其他直径的细铜丝构成的铜引线进行连接(采用铜线连接的结构，会多出一道焊接工序，同时，由于存在焊接连接位，会增加连接处的等效串联电阻)，而采用一体化的结构，减少一个焊接位，就减少了等效串联电阻，同时避免了现有技术铜引线焊接的随意性，有利于产品整体性能的提升。同时，由于一体化的结构设计，应用该结构的电容器产品的过电流能力将得到比较大的提升。
[0024]另外，根据不同大小的电容芯子，对焊接块7长度的控制，可以控制焊接块7与电容芯子6的焊接点位置，避免目前焊接操作的随意确定焊接位，保证产品一致性的优越，同时，在设计阶段，可以通过计算，将焊接块7的长度设置成可以焊接牢固的基础下的最短长度，也可以帮助减少等效串联电阻，降低生产成本。
[0025]作为本实施例更具体实施方案:
[0026]所述插接块2与安装块3之间的弯接处101外侧设有凹槽8，对应凹槽8的插接块2与安装块3之间的弯接处101内侧设有凸台9 ;插片本体I折弯后，其抗振动能力下降的缺陷(因为插片本体I折弯处形成一个90°的直角，插片本体I (铜片)本身的延展性受到破坏，机械性能受到破坏)，凸台9具有增强保证其抗振能力；凹槽8和凸台9，一般对应设置为1~2个，当插片本体I宽度足够宽或者其抗振动要求更高时，可增加至3~5个，根据实际需要进行设置。
[0027]所述焊接块7开设设有分隔槽702，分隔槽702两侧的焊接块7上构成两焊接条703 ;分开两焊接条703，可以实现焊接块7上的两个焊点与电容芯子6焊接，更加方便焊接，并且增加焊接牢固度。
[0028]所述安装块3上开设有安装通孔301 ;方便安装。
[0029]所述焊接块7的厚度小于插接块2的厚度，焊接块7的厚度为0.6-0.8mm ;方便安装和焊接，有效降低等效串联电阻。
[0030]以上所述的具体实施例，仅为本实用新型较佳的实施例而已，举凡依本实用新型申请专利范围所做的等同设计，均应为本实用新型的技术所涵盖。
【主权项】
1.一种改进的电容器用插片，包括由插片本体(I) 一体式弯接构成的插接块(2)和安装块(3)，插接块(2)上通过扣接部(4)扣接在电容壳体(5)的开口(501)边缘，使插接块(2)延伸入电容壳体(5)内，电容壳体(5)内安装有电容芯子(6)，使安装块(3)延伸出电容壳体(5 )的开口( 501)外侧，其特征是，靠近电容芯子(6 )的焊接端面(601)的插接块(2 ) —侧一体式弯接延伸有焊接块(7)，焊接块(7)的延伸末端(701)与电容芯子(6)的焊接端面(601)焊接连接。
2.根据权利要求1所述改进的电容器用插片，其特征是，所述插接块(2)与安装块(3)之间的弯接处(101)外侧设有凹槽(8)，对应凹槽(8)的插接块(2)与安装块(3)之间的弯接处(101)内侧设有凸台(9)。
3.根据权利要求1所述改进的电容器用插片，其特征是，所述焊接块(7)开设设有分隔槽(702 )，分隔槽(702 )两侧的焊接块(7 )上构成两焊接条(703 )。
4.根据权利要求1所述改进的电容器用插片，其特征是，所述安装块(3)上开设有安装通孔(301)。
5.根据权利要求1或2或3所述改进的电容器用插片，其特征是，所述焊接块(7)的厚度小于插接块(2)的厚度，焊接块(7)的厚度为0.6-0.8mm。
【专利摘要】本实用新型涉及一种改进的电容器用插片，包括由插片本体一体式弯接构成的插接块和安装块，插接块上通过扣接部扣接在电容壳体的开口边缘，使插接块延伸入电容壳体内，电容壳体内安装有电容芯子，使安装块延伸出电容壳体的开口外侧，靠近电容芯子的焊接端面的插接块一侧一体式弯接延伸有焊接块，焊接块的延伸末端与电容芯子的焊接端面焊接连接；采用一体化的结构，减少一个焊接位，就减少了等效串联电阻，同时避免了现有技术铜引线焊接的随意性，采用焊接块焊接可以使焊接块与电容芯子的焊接，有利于产品整体性能的提升。同时，由于一体化的结构设计，应用该结构的电容器产品的过电流能力将得到比较大的提升，凸台具有增强保证其抗振能力。
【IPC分类】H01G4-236
【公开号】CN204303563
【申请号】CN201420839190
【发明人】尤枝辉
【申请人】佛山市顺德区创格电子实业有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年12月26日