聚偏氟乙烯高介电膜的制作方法
【专利说明】
[0001]技术领域:
[0002]本实用新型涉及一种半导体存储器件和电容器等应用的薄膜，特别是一种高介电和尚力学性能的聚偏氣乙稀尚介电月旲。
[0003]【背景技术】:
[0004]随着我国经济和科技的高速发展，高容量存储器件的需求急剧增加；聚偏氟乙烯因为比其他聚合物具有较高的介电性能，所以被广泛应用于半导体存储器件；但是，聚偏氟乙烯是聚合物，介电常数有限满足不了现在高存储器件的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中来改善聚合物的介电性能；但是掺杂量较高时，聚合物的介电性能提升不多但是力学性能显著下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求。
[0005]
【发明内容】
:
[0006]本实用新型的目的是提供一种聚偏氟乙烯高介电膜。
[0007]上述的目的通过以下的技术方案实现:
[0008]一种聚偏氟乙烯高介电膜，其组成是:纯聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸锁杂化聚偏氣乙如层。
[0009]本实用新型的有益效果:
[0010]1.本实用新型提供了一种高介电和高力学性能的聚偏氟乙烯三层杂化薄膜，与一般的钛酸钡掺杂聚合物相比，其介电性和力学性能显著提高。
[0011]本实用新型加工成型过程简单，不需要高温高压模板等复杂的加工程序，生产过程简单效果显著，可实现工业化生产。
[0012]【附图说明】:
[0013]附图1是本实用新型的结构示意图。
[0014]【具体实施方式】:
[0015]实施例1:
[0016]—种聚偏氟乙烯高介电膜，其组成是:纯聚偏氟乙烯层2，所述的纯聚偏氟乙烯层的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层3，所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层I。
[0017]实施例2:
[0018]根据实施例1所述的一种聚偏氟乙烯高介电膜，上层和底层由改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯构成，将改性后的钛酸钡溶于50mLN，N二甲基甲酰胺中超声震荡lh，加入10.25g聚偏氟乙烯粉末，在60°C温度下超声溶解反应2h，得掺杂溶胶；所述的改性后的钛酸钡与聚偏氟乙烯的质量之比为0.04:1。将掺杂溶胶进行抽滤和抽气泡，然后用铺膜机铺一层具有一定厚度的薄膜，将该薄膜在80°C下烘干得聚偏氟乙烯杂化薄膜；所述的上层和底层改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层厚度为0.0lmm到0.05m;中层纯聚偏氟乙烯由10.25g聚偏氟乙烯粉末，在60°C温度下超声震荡2h，得纯溶胶；将掺杂溶胶进行抽滤和抽气泡，然后用铺膜机在改性钛酸钡掺杂聚偏氟乙烯杂化薄膜上铺一层具有一定厚度的薄膜，将该薄膜在80°C下烘干得底层为掺杂聚偏氟乙烯薄膜中层为聚偏氟乙烯纯膜的双层杂化薄膜；所述的中层纯聚偏氟乙稀层厚度为0.0lmm到0.05mm;用铺膜机在底层为掺杂聚偏氟乙稀薄膜中层为聚偏氟乙烯纯膜的双层杂化薄膜上铺一层相同厚度的掺杂聚偏氟乙烯薄膜，将该薄膜在80°C下烘干得底层为聚偏氟乙烯杂化薄膜中层为聚偏氟乙烯纯膜上层为聚偏氟乙烯杂化薄膜的三层杂化薄膜；将三层杂化薄膜用平板硫化机在170-180°C的温度下，在10-20MPa的压力下，半个小时后得高介电和高力学性能的聚偏氟乙烯三层杂化薄膜。
【主权项】
1.一种聚偏氟乙烯高介电膜，其组成是:纯聚偏氟乙烯层，其特征是:所述的纯聚偏氟乙烯层的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层的下面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层。
【专利摘要】<b>涉及一种聚偏氟乙烯高介电膜。对于聚偏氟乙烯是聚合物，介电常数有限满足不了现在高存储器件的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中来改善聚合物的介电性能；但是掺杂量较高时，聚合物的介电性能提升不多但是力学性能显著下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求。</b><b>一种聚偏氟乙烯高介电膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层（</b><b>2</b><b>），所述的纯聚偏氟乙烯层的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（</b><b>3</b><b>），所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（</b><b>1</b><b>）。</b><b>本实用新型应用于聚偏氟乙烯高介电膜。</b>
【IPC分类】B32B27-08, H01G4-18, B32B27-32, H01L21-312
【公开号】CN204303756
【申请号】CN201520030683
【发明人】翁凌, 李红霞, 马成国
【申请人】哈尔滨理工大学
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年1月16日