远场高增益天线的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及天线技术领域，具体是一种远场高增益天线。
【背景技术】
[0002] 根据腔模理论，一个形状规则的单片微带天线由一点馈电时，可以产生极化正交、 幅度相等的两个简并模，但是这两者的相位并非90度。所以如果需要使得天线具有圆极化 的特性，就务必设法使得这两个简并模之间产生90度的相位差。处理的方法就是在这片 形状规则的单片微带天线上附加一个简并模的分离单元，使简并正交模的谐振频率产生分 离。天线的工作频率选取在两个谐振频率之间，当简并模分离单元大小合适时，对工作频率 而言，如果一个简并模的等效阻抗相角超前45度，而另一个滞后45度时，圆极化辐射就可 以产生。
[0003] 常规单片微带天线的缺陷是：1、一般只有一个辐射盘，带来的不利影响是天线的 增益较低；2、天线的馈电点位于辐射盘的外部，每片辐射盘的空间占用较多；3、需要为辐 射盘单独做方形的支撑板，四个角都需要支撑柱，安装较为不便；4、调试过程较为繁琐，需 要多次调节辐射盘的微扰片才能达到预定效果。 【实用新型内容】
[0004] 本实用新型要解决的技术问题是克服上述【背景技术】的不足，提供一种远场高增益 天线，该天线应当具有空间占用少、增益高、安装和调试方便的特点。
[0005] 本实用新型采用的技术方案是：远场高增益天线，其特征在于：包括金属基板以 及阵列天线；所述阵列天线包括至少两个辐射盘以及至少一个功分器，每个辐射盘的中部 通过一个支柱固定在金属基板上；每个辐射盘的馈电点位于辐射盘的盘面内，并且各辐射 盘的馈电点分别通过导线与功分器连接；每个辐射盘的边缘制有若干个向外凸出的简并模 分离单元，其中至少有两个简并模分离单元的末端制有凸片。
[0006] 作为优选，所述导线的阻抗五十欧姆。
[0007] 本实用新型的有益效果是：1.采用阵列天线（有两个或两个以上的辐射盘），并且 使用功分器来为辐射盘提供工作功率，使得增益比传统的设计提高了两倍以上；2、每个辐 射盘的馈电点位于辐射盘的内部，因此各辐射盘相对于现有技术更节省空间；3、简并模分 离单元的末端制有凸片，通过调节凸片的大小即可改变辐射盘中的电流相位差，从而使得 天线非常容易调试；4、只需要辐射盘中部的支柱即可固定辐射盘，不需要单独制作方形的 支撑板，安装方便。
【附图说明】
[0008] 图1是本实用新型的结构示意图。
[0009] 图2是本实用新型中辐射盘与基板的连接示意图。
[0010] 图3是本实用新型中辐射盘的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011] 下面对本实用新型作进一步说明，但本实用新型并不局限于以下实施例。
[0012] 如图1到图3所示，本实用新型所述的远场高增益天线，包括金属基板1以及阵列 天线。所述阵列天线包括至少两个辐射盘2以及至少一个功分器4,每个辐射盘的中部通过 一个支柱5固定在金属基板上，该支柱为金属支柱，一是起到与基板短路的作用，二是起到 固定辐射盘的作用。每个辐射盘的馈电点6位于辐射盘的盘面内（具体位置根据辐射盘的 规格计算得出，现有技术不作详细介绍），并且各辐射盘的馈电点分别通过导线3与功分器 连接。每个辐射盘的边缘制有若干个向外凸出的简并模分离单元2-1、2-2 (现有技术），其 中至少有两个简并模分离单元的末端制有凸片2-3(面积根据需要确定）。所述导线采用阻 抗为五十欧姆或七十五欧姆的阻抗线，根据需要确定。图2中，两个凸片从简并模分离单元 的边缘朝着同一方向伸出。
【主权项】
1. 远场高增益天线，其特征在于：包括金属基板（1)以及阵列天线；所述阵列天线包括 至少两个辐射盘（2)以及至少一个功分器（4)，每个辐射盘的中部通过一个支柱（5)固定 在金属基板上；每个辐射盘的馈电点（6)位于辐射盘的盘面内，并且各辐射盘的馈电点分 别通过导线（3)与功分器连接；每个辐射盘的边缘制有若干个向外凸出的简并模分离单元 (2-1、2-2)，其中至少有两个简并模分离单元的末端制有凸片（2-3)。
2. 根据权利要求1所述的远场高增益天线，其特征在于：所述导线的阻抗五十欧姆。
【专利摘要】本实用新型涉及远场高增益天线。目的是提供的天线应当具有空间占用少、增益高、安装和调试方便的特点。技术方案是：远场高增益天线，其特征在于：包括金属基板以及阵列天线；所述阵列天线包括至少两个辐射盘以及至少一个功分器，每个辐射盘的中部通过一个支柱固定在金属基板上；每个辐射盘的馈电点位于辐射盘的盘面内，并且各辐射盘的馈电点分别通过导线与功分器连接；每个辐射盘的边缘制有若干个向外凸出的简并模分离单元，其中至少有两个简并模分离单元的末端制有凸片。
【IPC分类】H01Q1-36, H01Q1-12, H01Q23-00
【公开号】CN204315714
【申请号】CN201420866643
【发明人】杨利东, 庄晓东, 淡江
【申请人】杭州美思特电子科技有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年12月31日