一种单面受光hit太阳能电池的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种单面受光HIT太阳能电池。
【背景技术】
[0002]随着光伏产业的迅速发展，市场迫切需求一种工艺流程简单、光电转化效率高的太阳能电池产业化制备技术来降低光伏发电成本，使光伏发电成本达到与市电同价或低于市电价格的目标。当前市场上传统的晶体硅太阳能电池随着技术的进步，在转换效率提升和成本降低方面都取得了较大的进步，但受其自身材料和结构特征的影响，电池转换效率提升和成本降低方面面临一个瓶颈。目前，在光伏业内已经提出了多种电池结构解决方案，包括选择性发射极太阳能电池、背接触式太阳能电池技术、异质结(HIT)太阳能电池技术等。同时，新技术，如激光技术、LIP技术、光刻技术等的出现为太阳能电池进一步转换效率提升和成本降低提供了可能性。
[0003]在目前的高效太阳能电池领域中，日本三洋公司研发的HIT电池以其高效和高稳定性一直成为太阳能电池研宄领域研宄和发展的热点。传统的日本三洋公司研发的双面受光HIT太阳能电池尽管转换效率高，但是其背面电极采用ITO透明导电膜加金属栅线电极，导致电池工艺流程复杂、制造成本高。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于克服现有HIT太阳能电池技术中存在的问题，提供一种单面受光HIT太阳能电池，其生产工艺流程简单、制造成本低。
[0005]为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0006]一种单面受光HIT太阳能电池，其包括:
[0007]N型单晶硅片；
[0008]设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征非晶硅钝化层；
[0009]设在N型单晶硅片受光面本征非晶硅钝化层上的P型掺杂非晶硅层；
[0010]设在N型单晶硅片背光面本征非晶硅钝化层上的N型掺杂非晶硅层；
[0011]设在P型掺杂非晶硅层上的ITO透明导电膜层；
[0012]设在ITO透明导电膜层的金属栅线电极；
[0013]设在N型掺杂非晶硅层上的AZO透明导电膜层；
[0014]设在AZO透明导电膜层上的金属复合电极。
[0015]优选的，所述本征非晶娃钝化层的厚度为Inm?1nm0
[0016]优选的，所述P型掺杂非晶娃层的厚度为Inm?20nm。
[0017]优选的，所述N型掺杂非晶娃层的厚度为Inm?20nm。
[0018]优选的，所述ITO透明导电膜层和AZO透明导电膜层的厚度分别为1nm?200nmo
[0019]优选的，所述金属栅线电极为印刷或电镀的Cu栅线电极。
[0020]优选的，所述金属复合电极为Al/Ni复合电极。
[0021]本实用新型采用以上设计方案，其与现有工艺相比，单面受光的HIT电池在背光面采用磁控溅射方法连续沉积AZO透明导电膜和金属复合电极，金属复合电极覆盖在AZO透明导电膜整个面上，降低了电池背光面电极的接触电阻，提升了电池的填充因子，同时，工艺流程简化也提高了生产效率，降低了制造成本。
【附图说明】
[0022]图1为本实用新型一种单面受光HIT太阳能电池示意图。
【具体实施方式】
[0023]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0024]如图1所述，本实用新型公开了一种单面受光HIT太阳能电池，其包括:
[0025]N型单晶硅片I ;
[0026]设在N型单晶硅片I受光面和背光面的本征非晶硅钝化层2 ；
[0027]设在N型单晶硅片I受光面本征非晶硅钝化层上的P型掺杂非晶硅层3 ；
[0028]设在N型单晶硅片I背光面本征非晶硅钝化层上的N型掺杂非晶硅层4 ；
[0029]设在P型掺杂非晶硅层3上的ITO透明导电膜层5 ；
[0030]设在ITO透明导电膜层5的金属栅线电极6 ；
[0031]设在N型掺杂非晶硅层4上的AZO透明导电膜层7 ；
[0032]设在AZO透明导电膜层7上的金属复合电极8。
[0033]其中，所述本征非晶硅钝化层2的厚度为Inm?10nm，所述P型掺杂非晶硅层3的厚度为Inm?20nm，所述N型掺杂非晶娃层4的厚度为Inm?20nm，所述ITO透明导电膜层5和AZO透明导电膜层7的厚度分别为10nm-200nm，所述金属栅线电极6为印刷或电镀的Cu栅线电极，所述金属复合电极8为Al电极81和Ni电极82形成的Al/Ni复合电极。
[0034]本实用新型所述的单面受光HIT太阳能电池的具体制作过程可以如下:
[0035]步骤1:先在N型单晶硅片的的受光面和背光面上分别通过PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)沉积一层本征非晶硅膜层(1-a-Si:H);
[0036]步骤2:在N型单晶硅片受光面本征非晶硅钝化层上通过PECVD法沉积P型掺杂非晶娃层(P-a-Si:H)；
[0037]步骤3:在N型单晶硅片背光面本征非晶硅钝化层上通过PECVD法沉积N型掺杂非晶娃层(N_a_Si:H)；
[0038]步骤4:在P型掺杂非晶硅膜层(P-a-Si:H)上通过PVD (物理气相沉积)磁控溅射一层10nm厚的ITO透明导电膜。
[0039]步骤5:在N型掺杂非晶硅膜层(P-a-Si:H)上通过PVD依序磁控溅射10nm厚的AZO透明导电膜，以及Al/Ni金属复合电极层。
[0040]步骤6:在ITO透明导电膜上采用丝网印刷或电镀金属栅线电极。
[0041]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种单面受光HIT太阳能电池，其特征在于，包括: N型单晶娃片； 设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征非晶硅钝化层； 设在N型单晶硅片受光面本征非晶硅钝化层上的P型掺杂非晶硅层； 设在N型单晶硅片背光面本征非晶硅钝化层上的N型掺杂非晶硅层； 设在P型掺杂非晶硅层上的ITO透明导电膜层； 设在ITO透明导电膜层的金属栅线电极； 设在N型掺杂非晶硅层上的AZO透明导电膜层； 设在AZO透明导电膜层上的金属复合电极。
2.根据权利要求1所述的单面受光HIT太阳能电池，其特征在于:所述本征非晶硅钝化层的厚度为Inm?1nm0
3.根据权利要求1所述的单面受光HIT太阳能电池，其特征在于:所述P型掺杂非晶娃层的厚度为Inm?20nmo
4.根据权利要求1所述的单面受光HIT太阳能电池，其特征在于:所述N型掺杂非晶娃层的厚度为Inm?20nmo
5.根据权利要求1所述的单面受光HIT太阳能电池，其特征在于:所述ITO透明导电膜层和AZO透明导电膜层的厚度分别为1nm?200nm。
6.根据权利要求1所述的单面受光HIT太阳能电池，其特征在于:所述金属栅线电极为印刷或电镀的Cu栅线电极。
7.根据权利要求1所述的单面受光HIT太阳能电池，其特征在于:所述金属复合电极为Al/Ni复合电极。
【专利摘要】本实用新型公开了一种单面受光HIT太阳能电池，其包括：N型单晶硅片；设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征非晶硅钝化层；设在N型单晶硅片受光面本征非晶硅钝化层上的P型掺杂非晶硅层；设在N型单晶硅片背光面本征非晶硅钝化层上的N型掺杂非晶硅层；设在P型掺杂非晶硅层上的ITO透明导电膜层；设在ITO透明导电膜层的金属栅线电极；设在N型掺杂非晶硅层上的AZO透明导电膜层；设在AZO透明导电膜层上的金属复合电极。本实用新型降低了电池背光面电极的接触电阻，提升了电池的填充因子，同时，工艺流程简化也提高了生产效率，降低了制造成本。
【IPC分类】H01L31-0224, H01L31-04
【公开号】CN204332973
【申请号】CN201420719497
【发明人】杨与胜, 葛洪, 张超华
【申请人】泉州市博泰半导体科技有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2014年11月25日