光导键盘的制作方法

文档序号:8652878阅读:207来源:国知局
光导键盘的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及键盘输入设备,具体为一种利用光导纤维和光电路特性的光导键盘。
【背景技术】
[0002]目前,一般的计算机键盘等各类设备用到的输入键盘采用导体触点接触的的方式。其缺点是:随着敲击次数的增多,容易发生塑料薄膜上的连线氧化断路现象,进而造成部分按键失效失灵,另外,现有的键盘一般不具备防水防电磁辐射的功能。

【发明内容】

[0003]本实用新型的目的就在于提供一种按键使用寿命更长、按键手感轻柔、灵敏度高、且防水、防电磁福射的光导键盘。
[0004]本实用新型的技术和方案为:本实用新型包括键盘框架、设在键盘框架上的按键及设在键盘框架内的电路板、光线导通构件,其特征在于:在键盘的电路板上设置有对应每个按键的光敏元件,光敏元件按一定顺序排列,在键盘框架内设置有能照射到键盘上每个键位的有效数量个发光体,在每个按键与电路板上对应的光敏元件间设有光导纤维,每个按键下设置有能够在按键按下时将光线遮蔽的挡光部件。常态时光线照射到所有光纤的端面,光路导通,但电路板上的开关电路设置为不导通;在按下按键后,挡住相应按键下的光路,则该按键开关电路导通,进行相应字符输入。
[0005]本实用新型所述光导纤维的端面设置为球面形、或者为锥面形、或者为双曲面形、或者为平面形。所述光导纤维有不透光的包层。所述发光体为发光二极管。所述键盘电路板外设有金属屏蔽外壳。本实用新型在每个按键与上面板之间配设有按键复位弹簧。
[0006]本实用新型在采用上述技术结构后其产生的有益效果为:1)采用光导方式控制字符输入,由于各项物理损耗都很小,所以可以使得本实用新型产品的使用寿命大大延长;2)采用光导传输,使得本实用新型导电体的分布面积大幅度减少,防水能力增强;3)对本实用新型内的电路板进行电磁屏蔽,就可以防止整个键盘对外的电磁辐射;4)本实用新型的使用手感轻柔,灵敏度高,按键的键程可灵活设置;5)本实用新型在电路板上设置的光敏元件可以微型化并做成阵列的形式,除光敏元件外,简单的光控电路其他元件可以集成在芯片中,制作简单,便于推广。
【附图说明】
[0007]附图为本实用新型结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]如图所示本实用新型包括键盘框架、设在键盘框架上的按键以及设在键盘框架内的电路板I,在键盘的电路板I上设置有对应每个按键3的光敏元件2,各光敏元件2构成阵列,光敏元件2阵列可通过支架体9设在电路板上。在键盘框架内设置有能照射到键盘上每个按键3键位的有效数量个发光体,这里可以是发光二极管4。每个按键3与电路板I上对应的光敏元件2之间设有光导纤维5,每个按键3下设置有能够在按键3按下时将光线遮蔽的挡光部件6.常态时光线照射到所有光纤的端面,光路导通,但电路板上开关电路设置为不通,在按下按键后挡光部件挡住相应按键下的光路,则该按键开关电路导通,进行相应字符的输入。本实用新型在每个按键3与上面板间配设有按键复位弹簧7.在键盘电路板I外设有金属屏蔽外壳8.
[0009]本实用新型所述光导纤维的端面可以设置为球面形、或者为锥面形、或者为楔面形、或者为平面形。
[0010]本实用新型所述光导纤维有不透光包层。
【主权项】
1.光导键盘,包括键盘框架、设在键盘框架上的按键以及设在键盘框架内的电路板,其特征在于:在键盘的电路板上设置有对应每个按键的光敏元件,在键盘框架内设置有能照射到键盘上每个键位的有效数量个发光体,在每个按键与电路板上对应的光敏元件间设有光导纤维,每个按键下设置有能够在按键按下时将光线遮蔽的挡光部件。
2.根据权利要求1所述的光导键盘,其特征在于:所述光导纤维的端面设为球面形、或者为锥面形、或者为双曲面形、或者为平面形。
3.根据权利要求1所述的光导键盘,其特征在于:所述发光体为发光二极管。
4.根据权利要求1所述的光导键盘,其特征在于:所述键盘电路板外设有金属屏蔽外壳。
5.根据权利要求1所述的光导键盘,其特征在于:在每个按键与上面板间配设有按键复位弹簧。
6.根据权利要求1所述的光导键盘,其特征在于:所述光导纤维有不透光包层。
【专利摘要】本实用新型涉及键盘输入设备,具体为一种光导键盘。本实用新型包括键盘框架、设在键盘框架上的按键及设在键盘框架内的电路板、光线导通构件,其特征在于:在键盘的电路板上设置有对应每个按键的光敏元件,光敏元件按一定顺序排列,在键盘框架内设置有能照射到键盘上每个键位的有效数量个发光体,在每个按键与电路板上对应的光敏元件间设有光导纤维,每个按键下设置有能够在按键按下时将光线遮蔽的挡光部件。本实用新型具有按键使用寿命长,手感好,灵敏度高、防水、防电磁辐射等优点。
【IPC分类】H01H13-83
【公开号】CN204360981
【申请号】CN201520028070
【发明人】不公告发明人
【申请人】姜存学
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年1月16日
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