一种等离子体刻蚀装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体元器件加工的刻蚀装置。
【背景技术】
[0002]等离子刻蚀装置，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。现有的等离子刻蚀装置存在的缺点是效率低，对产品的刻蚀不够均匀，整机使用寿命有限，性价比低。
【实用新型内容】
[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种等离子体刻蚀装置，能对产品的刻蚀更加均匀，并且提高效率。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种等离子体刻蚀装置，包括主机柜，所述主机柜内设有反应室，所述反应室上方与一送气管连接，反应室下方与一抽气管连接，所述反应室内设有一静电吸盘，所述反应室上方中央设有射频电源，所述射频电源的四周设有射频电感线圈，所述射频电源与所述射频电感线圈连接，所述射频电源还与所述静电吸盘连接，所述静电吸盘与所述射频电源的距离为20mm-40mm。
[0005]优选地，所述主机柜的上方还设有一控制单元，所述控制单元包括控制板和触摸显示屏，所述控制单元与所述射频电源连接，控制单元具有自动/手动控制切换功能。
[0006]优选地，所述射频电源的功率为5KW-40KW，所述射频电源的频率为2MHz至40MHz，所述射频电感线圈的匝数为3圈至6圈。可精确、连续调节功率，电源稳定性好。
[0007]优选地，所述抽气管一端与所述反应室连接，另一端与一真空泵连接，所述抽气管还与所述控制单元连接。
[0008]优选地，所述静电吸盘内部设有多个独立温控区，每个独立温控区的温度范围在20 0C -180 °C。
[0009]优选地，所述真空泵采用水冷双级旋片泵，可延长了使用寿命。
[0010]如上所述，本实用新型的一种等离子体刻蚀装置，具有以下有益效果:反应室上方设有射频电源，射频电源的四周设有射频电感线圈，能更好的控制等离子体的刻蚀速率及刻蚀深度，射频电源放置于反应室上方的中央位置，保证了放电用的电场的对称性分布，使亥IJ蚀速率具有良好的均匀性，静电吸盘与射频电源的距离为20mm-40mm，该距离能更好的控制刻蚀深度和宽度。
【附图说明】
[0011]图1为等离子体刻蚀装置的示意图。
[0012]元件标号说明:
[0013]1-主机柜，2-反应室，3-送气管，4-抽气管，5-静电吸盘，6_射频电源，7_射频电感线圈，8-真空泵。
【具体实施方式】
[0014]以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
[0015]请参阅图1。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。
[0016]如图1所示，本实用新型提供一种等离子体刻蚀装置，包括主机柜1，所述主机柜I内设有反应室2，所述反应室2上方与一送气管3连接，反应室2下方与一抽气管4连接，所述反应室2内设有一静电吸盘5，所述反应室2上方中央设有射频电源6，所述射频电源6的四周设有射频电感线圈7，所述射频电源6与所述射频电感线圈7连接，所述射频电源6还与所述静电吸盘5连接，所述静电吸盘5与所述射频电源6的距离为20mm-40mm。
[0017]作为一种具体实施例，主机柜的上方还设有一控制单元，所述控制单元包括控制板和触摸显示屏，所述控制单元与所述射频电源连接，控制单元具有自动/手动控制切换功能。
[0018]作为一种具体实施例，射频电源6的功率为5KW-40KW，所述射频电源6的频率为2MHz至40MHz，所述射频电感线圈7的匝数为3圈至6圈。可精确、连续调节功率，电源稳定性好。
[0019]作为一种具体实施例，抽气管4 一端与所述反应室2连接，另一端与一真空泵8连接，所述抽气管4还与所述控制单元连接。
[0020]作为一种具体实施例，静电吸盘5内部设有多个独立温控区，每个独立温控区的温度范围在20°C _180°C，温度对于刻蚀效率也有影响，因此，将静电吸盘上的温度进行控制调节，可使得待刻蚀产品表面得到更好的刻蚀和控制。
[0021]作为一种具体实施例，真空泵8采用水冷双级旋片泵，可延长了使用寿命。
[0022]进行工作时，将待刻蚀的产品放置在反应室的静电吸盘上，抽取反应室内本底真空，通入工作气体，调节工作压强。抽取所述反应室内的气体，使得所述反应室的压强进入预定的本底真空范围，预定本底真空范围为l(T5-l(T3Pa ;向所述反应室混合通入工作气体，调整所述反应室的抽气速度，使得所述反应室的压强进入预定的工作压强范围，预定工作压强范围为lPa_20Pa。启动线圈射频电源，产生适当密度的等离子体，促使等离子体辉光放电，并将设备维持在一个稳定的等离子体环境中，调节选取合适的刻蚀工艺参数，使待刻蚀产品表面生成大范围、高密度的表面纳米结构。
[0023]如上所述，本实用新型提供的一种等离子体刻蚀装置，反应室上方设有射频电源，射频电源的四周设有射频电感线圈，能更好的控制等离子体的刻蚀速率及刻蚀深度，射频电源放置于反应室上方的中央位置，保证了放电用的电场的对称性分布，使刻蚀速率具有良好的均匀性，静电吸盘与射频电源的距离为20mm-40mm，该距离能更好的控制刻蚀深度和宽度。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0024]上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于:包括主机柜，所述主机柜内设有反应室，所述反应室上方与一送气管连接，反应室下方与一抽气管连接，所述反应室内设有一静电吸盘，所述反应室上方中央设有射频电源，所述射频电源的四周设有射频电感线圈，所述射频电源与所述射频电感线圈连接，所述射频电源还与所述静电吸盘连接，所述静电吸盘与所述射频电源的距离为20mm-40mmo
2.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀装置，其特征在于:所述主机柜的上方还设有一控制单元，所述控制单元包括控制板和触摸显示屏，所述控制单元与所述射频电源连接。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀装置，其特征在于:所述射频电源的功率为5KW-40KW，所述射频电源的频率为2MHz至40MHz，所述射频电感线圈的匝数为3圈至6圈。
4.根据权利要求2所述的一种等离子体刻蚀装置，其特征在于:所述抽气管一端与所述反应室连接，另一端与一真空泵连接，所述抽气管还与所述控制单元连接。
5.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀装置，其特征在于:所述静电吸盘内部设有多个独立温控区，每个独立温控区的温度范围在20°C -180°C。
6.根据权利要求4所述的一种等离子体刻蚀装置，其特征在于:所述真空泵采用水冷双级旋片泵。
【专利摘要】本实用新型提供一种等离子体刻蚀装置，包括主机柜，所述主机柜内设有反应室，所述反应室上方与一送气管连接，反应室下方与一抽气管连接，所述反应室内设有一静电吸盘，所述反应室上方中央设有射频电源，所述射频电源的四周设有射频电感线圈，所述射频电源与所述射频电感线圈连接，所述射频电源还与所述静电吸盘连接，所述静电吸盘与所述射频电源的距离为20mm-40mm。能更好的控制等离子体的刻蚀速率及刻蚀深度，保证了放电用的电场的对称性分布，使刻蚀速率具有良好的均匀性。
【IPC分类】H01J37-32
【公开号】CN204407288
【申请号】CN201520079805
【发明人】张海霞, 殷翔芝, 江霞, 乔冠娣
【申请人】江苏金来顺光电科技有限公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2015年2月2日