一种倒装芯片 cob 基板的封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED封装技术领域，具体的说是一种倒装芯片COB基板的封装结构。
【背景技术】
[0002]现有技术中，LED COB光源散热基板装置包括散热基层、导热绝缘层、线路层及绝缘反射层；线路层通过导热绝缘层附在散热基层上；在线路层上形成绝缘反射层。层级较多，生产工艺复杂。
[0003]一般的COB封装，绝缘反射层表面采用刷白漆的方法，其反射率低，COB出光效果差，导致光效偏低。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于针对上述问题，提供一种倒装芯片COB基板的封装结构，提高了 COB的出光效率，减少了制作COB基板的层级，降低了生产成本。
[0005]为达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案:
[0006]一种倒装芯片COB基板的封装结构，该结构至少包括一金属导电层，在金属导电层的背面设有绝缘层，在金属导电层的正面设有嵌入式绝缘耐高温填充层，在所述嵌入式绝缘耐高温填充层上设有LED倒装芯片，LED倒装芯片跨接在嵌入式绝缘耐高温填充层上且与两侧金属导电层相连；所述分布有LED倒装芯片的金属导电层上封装有荧光胶，并通过围墙胶层封装。
[0007]进一步地，所述金属导电层设有的嵌入式绝缘耐高温填充层呈矩形结构分布，矩形的两对角上留有开口，开口处分布有延伸至金属导电层边沿处的嵌入式绝缘耐高温填充层；所述嵌入式绝缘耐高温填充层在矩形结构中呈网格状分布，LED倒装芯片跨接在嵌入式绝缘耐高温填充层网格上。
[0008]进一步地，所述金属导电层材料为Au、Sn、Cu、Ag或Al中的一种；所述金属导电层为表面进行化学镍金处理后的金属导电层。
[0009]进一步地，所述嵌入式绝缘耐高温填充层为聚邻苯二酰胺PPA、聚酯PCT或环氧模塑化合物EMC。
[0010]进一步地，所述跨接在嵌入式绝缘耐高温填充层上与两侧金属导电层相连的LED倒装芯片为串联、并联或串并联混合的方式来固定芯片。
[0011]相对于现有技术，本实用新型的有益效果在于:
[0012]本实用新型倒装基板的结构，基板层级较少，生产工艺简单；最大限度的保留金属区，金属区具有更高的反光率，提高COB的出光率。其金属区具有更高的反光率，可提高COB的出光率，解决了传统金属基板中绝缘层及白漆印刷层对出光率影响的问题。本实用新型与传统金属基板相比减少了很多层级，构造简单。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型所述一种倒装芯片COB的封装结构示意图；
[0014]图2为本实用新型所述一种倒装芯片COB基板主视图；
[0015]图3为本实用新型所述一种倒装芯片COB基板俯视图；
[0016]图4为本实用新型所述一种倒装芯片COB基板的芯片固定方式示意图。
[0017]图中，1-绝缘层，2-金属导电层，3-嵌入式绝缘耐高温填充层，4-LED倒装芯片，5-围墙胶层，6-荧光胶。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
[0019]如图1、图2所示，给出了本实用新型的一种倒装芯片COB基板的封装结构，包括一金属导电层2，在金属导电层2的背面设有绝缘层I，在金属导电层2的正面设有嵌入式绝缘耐高温填充层3，在嵌入式绝缘耐高温填充层3上设有LED倒装芯片4，LED倒装芯片4跨接在嵌入式绝缘耐高温填充层3上且与两侧金属导电层2相连；分布有LED倒装芯片4的金属导电层2上封装有荧光胶6，并通过围墙胶层5封装。
[0020]参见图3、图4所示，其中，金属导电层2设有的嵌入式绝缘耐高温填充层3呈矩形结构分布，矩形的两对角上留有开口，开口处分布有延伸至金属导电层2边沿处的嵌入式绝缘耐高温填充层3 ;嵌入式绝缘耐高温填充层3在矩形结构中呈网格状分布，LED倒装芯片4跨接在嵌入式绝缘耐高温填充层3网格上。
[0021]金属导电层2材料可以是Au、Sn、Cu、Ag、Al ;金属导电层表面进行化学镲金处理。该金属导电层是金属基板通过冲压或化学侵蚀后形成金属区和非金属区，在非金属区使用绝缘耐高温材料进行填充，如此便可形成基板的电气性能。
[0022]金属导电层2底部粘接的绝缘层I绝缘层为粘接在基板底部的一层高导热、高绝缘的环氧树脂。材料可以是树脂中混入陶瓷粉。
[0023]在嵌入式绝缘耐高温填充层3可以是聚邻苯二酰胺PPA、聚酯PCT或环氧模塑化合物 EMC0
[0024]跨接在嵌入式绝缘耐高温填充层3上与两侧金属导电层2相连的LED倒装芯片4为串联、并联或串并联混合的方式来固定芯片。
[0025]下面给出倒装芯片COB基板的制备方法，包括:
[0026]a.提供一种金属基板作为金属导电层，在其背面粘接混有陶瓷粉末的树脂，形成绝缘层；
[0027]b.在金属基板的正面使用冲压或化学侵蚀形成金属导电区；
[0028]c.在基板正面使用填充注塑的方法将绝缘耐高温材料填充进非金属区，将金属区隔离绝缘；
[0029]d.在金属区表面进行电镀，形成电镀层:首先在钨铜合金凸台表面电镀一镍电镀层，然后再在镍电镀层上电镀一金电镀层，金电镀层覆盖在镍电镀层上。
[0030]倒装基板的LED封装结构，包括LED芯片4、在芯片周围的围墙胶5、涂覆在芯片上的荧光胶6，绝缘耐高温材料将基板分为导电区和非导电区，芯片跨过非导电区固定在金属区上，芯片周围为一层围墙胶，荧光胶涂覆在芯片上，围墙胶内侧。
[0031]以上所述仅为本实用新型的一种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本实用新型说明书而对本实用新型技术方案采取的任何等效的变换，均为本实用新型的权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种倒装芯片COB基板的封装结构，其特征在于:该结构至少包括一金属导电层(2)，在金属导电层(2)的背面设有绝缘层(I)，在金属导电层(2)的正面设有嵌入式绝缘耐高温填充层(3)，在所述嵌入式绝缘耐高温填充层(3)上设有LED倒装芯片(4)，LED倒装芯片(4)跨接在嵌入式绝缘耐高温填充层(3)上且与两侧金属导电层(2)相连；所述分布有LED倒装芯片(4)的金属导电层(2)上封装有荧光胶￠)，并通过围墙胶层(5)封装。
2.根据权利要求1所述的一种倒装芯片COB基板的封装结构，其特征在于:所述金属导电层(2)设有的嵌入式绝缘耐高温填充层(3)呈矩形结构分布，矩形的两对角上留有开口，开口处分布有延伸至金属导电层(2)边沿处的嵌入式绝缘耐高温填充层(3);所述嵌入式绝缘耐高温填充层(3)在矩形结构中呈网格状分布，LED倒装芯片(4)跨接在嵌入式绝缘耐高温填充层(3)网格上。
3.根据权利要求1所述的一种倒装芯片COB基板的封装结构，其特征在于:所述金属导电层⑵材料为Au、Sn、Cu、Ag或Al中的一种；所述金属导电层为表面进行化学镍金处理后的金属导电层。
4.根据权利要求1所述的一种倒装芯片COB基板的封装结构，其特征在于:所述嵌入式绝缘耐高温填充层(3)为聚邻苯二酰胺PPA、聚酯PCT或环氧模塑化合物EMC。
5.根据权利要求1所述的一种倒装芯片COB基板的封装结构，其特征在于:所述跨接在嵌入式绝缘耐高温填充层(3)上与两侧金属导电层(2)相连的LED倒装芯片(4)为串联、并联或串并联混合的方式来固定芯片。
【专利摘要】本实用新型属于LED技术领域，具体涉及一种倒装芯片COB基板的封装结构，该结构至少包括一金属导电层，在金属导电层的背面设有绝缘层，在金属导电层的正面设有嵌入式绝缘耐高温填充层，在所述嵌入式绝缘耐高温填充层上设有LED倒装芯片，LED倒装芯片跨接在嵌入式绝缘耐高温填充层上且与两侧金属导电层相连；所述分布有LED倒装芯片的金属导电层上封装有荧光胶，并通过围墙胶层封装。本实用新型金属区具有更高的反光率，可提高COB的出光率，解决了传统金属基板中绝缘层及白漆印刷层对出光率影响的问题；本实用新型与传统金属基板相比减少了很多层级，构造简单。
【IPC分类】H01L33-50, H01L33-52, H01L33-62
【公开号】CN204424315
【申请号】CN201520016445
【发明人】刘倩, 张静, 高璇, 童华南, 李帆
【申请人】陕西光电科技有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年1月9日