倒装芯片框架半蚀刻结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种倒装芯片框架半蚀刻结构，属于集成电路或分立元件封装技术领域。
【背景技术】
[0002]目前行业内的倒装芯片框架在不在芯片下方做正面半蚀刻，因此当倒装芯片框架设计大芯片的时候因模流受阻，存在塑封料填充不良的情况(如图1所示)。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种倒装芯片框架半蚀刻结构，它一方面可以引导模流的方向，使模流顺利流过去，解决了因塑封料填充不良而导致气孔和反包封现象，另一方面由于框架是金属材质，芯片是硅材质，两种不同的材质结合，受温度影响，热涨冷缩，框架和芯片间会产生应力，本实用新型在金属表面蚀刻可减少芯片与金属面的接触，从而改善应力。
[0004]本实用新型的目的是这样实现的:一种倒装芯片框架半蚀刻结构，它包括芯片座和引脚阵列，所述引脚阵列设置于芯片座周围，所述芯片座正面设置有纵向流道和横向流道。
[0005]所述纵向流道和横向流道的宽度为芯片座宽度的1/4-1/2。
[0006]所述纵向流道和横向流道通过半蚀刻形成。
[0007]与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果:
[0008]本实用新型一种倒装芯片框架半蚀刻结构，它一方面可以引导模流的方向，使模流顺利流过去，解决了因塑封料填充不良而导致气孔和反包封现象，另一方面改善了应力。
【附图说明】
[0009]图1为现有倒装芯片框架的结构示意图。
[0010]图2为本实用新型一种倒装芯片框架半蚀刻结构的示意图。
[0011]其中:
[0012]芯片座I
[0013]引脚阵列2
[0014]纵向流道3
[0015]横向流道4
[0016]芯片5。
【具体实施方式】
[0017]参见图2，本实用新型一种倒装芯片框架半蚀刻结构，它包括芯片座I和引脚阵列2，所述引脚阵列2设置于芯片座I周围，所述芯片座I正面设置有纵向流道3和横向流道 4，所述纵向流道3和横向流道4通过半蚀刻形成。
【主权项】
1.一种倒装芯片框架半蚀刻结构，其特征在于:它包括芯片座(I)和引脚阵列(2)，所述引脚阵列(2)设置于芯片座(I)周围，所述芯片座(I)正面设置有纵向流道(3)和横向流道⑷。
2.根据权利要求1所述的一种倒装芯片框架半蚀刻结构，其特征在于:所述纵向流道(3)和横向流道(4)的宽度为芯片座宽度的1/4-1/2。
3.根据权利要求1所述的一种倒装芯片框架半蚀刻结构，其特征在于:所述纵向流道(3 )和横向流道(4 )通过半蚀刻形成。
【专利摘要】本实用新型涉及一种倒装芯片框架半蚀刻结构，属于集成电路或分立元件封装技术领域。它包括芯片座（1）和引脚阵列（2），所述引脚阵列（2）设置于芯片座（1）周围，所述芯片座（1）正面设置有纵向流道（3）和横向流道（4）。本实用新型一种倒装芯片框架半蚀刻结构，它一方面可以引导模流的方向，使模流顺利流过去，解决了因塑封料填充不良而导致气孔和反包封现象，另一方面改善了应力。
【IPC分类】H01L23-495
【公开号】CN204516753
【申请号】CN201520097171
【发明人】周丽, 龚臻, 张珊, 邵向廉
【申请人】江苏长电科技股份有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年2月11日