基于二次光学设计的超薄柔性双面发光led光源的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及照明技术领域，尤其是一种基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源。
【背景技术】
[0002]发光二极管(Light-Emitting D1de，LED)是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。
[0003]然而，现有的使用发光二极管的光源往往发光面积较小、柔韧性较差、且发光效率不高，无法充分满足人们的使用需求。
[0004]因此，为解决上述问题，有必要提出进一步的解决方案。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的在于提供一种基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源，以克服现有技术中存在的不足。
[0006]为实现上述目的，本实用新型提供一种基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源，其包括:柔性基板、若干LED芯片、荧光膜；
[0007]所述柔性基板上设置有第一发光电路，所述柔性基板上还设置有所述若干LED芯片，所述若干LED芯片以阵列形式分布于所述柔性基板上，并与所述第一发光电路进行电性连接；
[0008]所述荧光膜分别设置于所述柔性基板的两侧，并对所述若干LED芯片进行密封，所述两侧的荧光膜的表面进行表面处理或压制有微透镜，所述两侧的荧光膜上还分别设置有第二发光电路，所述第二发光电路与所述若干LED芯片进行电性连接，自所述两侧的荧光膜上还引出有导线。
[0009]作为本实用新型的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源的改进，所述第一发光电路通过压制、打印、或溅射的方式设置于上述柔性基板上。
[0010]作为本实用新型的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源的改进，所述若干LED芯片采用正装或倒装的方式设置于所述柔性基板上。
[0011]作为本实用新型的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源的改进，所述若干LED芯片与所述柔性基板之间的固定方式可以为:导电胶、回流焊、共晶焊。
[0012]作为本实用新型的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源的改进，所述LED芯片的厚度为100?150um。
[0013]作为本实用新型的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源的改进，所述LED光源的厚度为300?350um。
[0014]作为本实用新型的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源的改进，所述柔性荧光基板包括荧光粉或量子点，所述柔性荧光基板还包括如下组分中的一种:PET、P1、或硅胶。
[0015]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源柔韧性好，应用范围广，且其厚度较小。此外，本实用新型的LED光源通过在荧光膜形成双面出光光路，扩大了发光面积，且在荧光膜上进行二次光学设计提高了 LED光源的发光效率。
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本实用新型的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源的一【具体实施方式】的平面示意图。
【具体实施方式】
[0018]为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型中的技术方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。
[0019]如图1所示，本实用新型的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源包括:柔性基板10、若干LED芯片20、荧光膜30。
[0020]所述柔性基板10用于承载所述若干LED芯片20，同时其自身采用柔性材料，是的本实用新型的LED光源的柔韧性好。具体地，所述柔性基板10上设置有第一发光电路，该第一发光电路可通过压制、打印、或溅射等方式设置于上述柔性基板上。所述若干LED芯片20设置于柔性基板10上，该若干LED芯片20以阵列形式分布于柔性基板10上。若干LED芯片20同时与第一发光电路进行电性连接，所述若干LED芯片20与所述柔性基板10之间的固定方式可以为:导电胶、回流焊、共晶焊等。此外，所述若干LED芯片20可采用正装或倒装的方式设置于所述柔性基板10上。
[0021]进一步地，上述实施方式中，任一 LED芯片的厚度为100?150um，本实用新型的LED光源的厚度总体控制在300?350um，从而实现本实用新型的LED光源的超薄设计。
[0022]所述荧光膜30分别设置于所述柔性基板10的两侧，若干LED芯片20可自两侧的荧光膜30发射光线，从而，形成双面出光光路，具有较大的发光面积。所述荧光膜30包括荧光粉或量子点，所述柔性荧光基板包括荧光粉或量子点，所述柔性荧光基板还包括如下组分中的一种:PET、P1、或硅胶。从而，荧光膜30可以包括掺杂有PET、P1、或硅胶的荧光粉，也可以包括掺杂有PET、P1、或硅胶的量子点。
[0023]两侧的荧光膜30对设置于上述柔性基板10上的若干LED芯片20进行密封。同时，通过对两侧荧光膜30的表面进行表面处理或压制微透镜的方式对荧光膜30进行二次设计，以提高发光效率。
[0024]进一步地，所述两侧的荧光膜30上还分别设置有第二发光电路，所述第二发光电路与所述若干LED芯片20进行电性连接，且自所述两侧的荧光膜上还引出有导线。
[0025]综上所示，本实用新型的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源柔韧性好，应用范围广，且其厚度较小。此外，本实用新型的LED光源通过在荧光膜形成双面出光光路，扩大了发光面积，且在荧光膜上进行二次光学设计提高了 LED光源的发光效率。
[0026]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0027]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源，其特征在于，所述LED光源包括:柔性基板、若干LED芯片、荧光膜； 所述柔性基板上设置有第一发光电路，所述柔性基板上还设置有所述若干LED芯片，所述若干LED芯片以阵列形式分布于所述柔性基板上，并与所述第一发光电路进行电性连接； 所述荧光膜分别设置于所述柔性基板的两侧，并对所述若干LED芯片进行密封，所述两侧的荧光膜的表面进行表面处理或压制有微透镜，所述两侧的荧光膜上还分别设置有第二发光电路，所述第二发光电路与所述若干LED芯片进行电性连接，自所述两侧的荧光膜上还引出有导线。
2.根据权利要求1所述的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源，其特征在于，所述第一发光电路通过压制、打印、或溅射的方式设置于上述柔性基板上。
3.根据权利要求1所述的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源，其特征在于，所述若干LED芯片采用正装或倒装的方式设置于所述柔性基板上。
4.根据权利要求1所述的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源，其特征在于，所述若干LED芯片与所述柔性基板之间的固定方式可以为:导电胶、回流焊、共晶焊。
5.根据权利要求1所述的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源，其特征在于，所述LED芯片的厚度为100?150um。
6.根据权利要求1所述的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源，其特征在于，所述LED光源的厚度为300?350um。
7.根据权利要求1所述的基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源，其特征在于，所述柔性荧光基板包括荧光粉或量子点，所述柔性荧光基板还包括如下组分中的一种:PET、P1、或硅胶。
【专利摘要】本实用新型提供一种基于二次光学设计的超薄柔性双面发光LED光源，其包括：柔性基板、若干LED芯片、荧光膜；柔性基板上设置有第一发光电路，柔性基板上还设置有若干LED芯片，若干LED芯片以阵列形式分布于柔性基板上，并与第一发光电路进行电性连接；荧光膜分别设置于柔性基板的两侧，并对若干LED芯片进行密封，两侧的荧光膜的表面进行表面处理或压制有微透镜，两侧的荧光膜上还分别设置有第二发光电路，第二发光电路与若干LED芯片进行电性连接。本实用新型的LED光源柔韧性好，应用范围广，且其厚度较小。此外，本实用新型的LED光源通过在荧光膜形成双面出光光路，扩大了发光面积，且在荧光膜上进行二次光学设计提高了LED光源的发光效率。
【IPC分类】H01L25-075, H01L33-50, H01L33-62, H01L33-48
【公开号】CN204516761
【申请号】CN201520209379
【发明人】高鞠
【申请人】苏州晶品新材料股份有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年4月9日