一种用于Taiko晶圆揭膜的真空吸盘的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种用于Taiko晶圆揭膜的真空吸盘。
【背景技术】
[0002]如今，在半导体封装领域中，人们要求晶圆减薄后的厚度越来越薄，而晶圆尺寸越大，减薄后晶圆的翘曲也更严重，导致无法满足功率器件的后续作业(如背面金属化等作业
[0003]针对上述的翘曲问题，Disco会社的Tiako晶圆研磨设备提供了一种较好的解决方案，即对晶圆进行研削时，保留晶圆外围的边缘部分(约3_左右)，使得通过此项工艺可以有效的减少晶圆的翘曲，降低薄晶圆搬运的风险。
[0004]然而，当晶圆减薄后，还需去除晶圆正面的保护膜；此时，一般采用与晶圆尺寸大小一致的真空吸盘将晶圆牢牢吸住，再人工或揭膜手臂将晶圆正面保护膜剥离。由于Tiako晶圆的保留了外围的边缘部3_左右，背面有台阶，所以采用现有真空吸盘时，容易发生漏真空的情况，从而导致产品破裂，从而造成生产成本的提高。
【实用新型内容】
[0005]为了解决上述的不匹配问题，本实用新型提供一种用于Taiko晶圆揭膜的真空吸盘，可以很好的匹配Tiako晶圆的边缘结构，从而避免了漏真空等情况的发生。
[0006]上述的一种用于Taiko晶圆揭膜的真空吸盘，包括吸盘主体和位于吸盘主体外侧的吸盘管道外接口，所述吸盘主体的上表面设置有若干个微孔，所述吸盘主体的内部设置有吸盘管道，所述吸盘管道、微孔以及吸盘管道外接口均相互连通；所述吸盘主体的底部设置有固定吸盘基座；
[0007]其中，所述吸盘主体的边缘设置有台阶结构，所述吸盘管道外接口设置有若干个固定吸盘螺孔。
[0008]上述设备中，所述台阶结构的宽度为3mm。
[0009]上述设备中，所述台阶结构的高度为4?5mm。
[0010]上述设备中，所述固定吸盘螺孔的数量为8个。
[0011]本实用新型的优点和有益效果在于:本实用新型提供了一种用于Taiko晶圆揭膜的真空吸盘，通过在吸盘主体的边缘设置了台阶结构，并利用该台阶结构与Taiko晶圆边缘的3mm预留区相匹配，从而可以有效的避免使用Tiako晶圆时发生的漏真空问题，进而降低了晶圆揭膜时破裂的风险，并最终达到了提高产品良率的目的。
【附图说明】
[0012]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1是本实用新型中真空吸盘的侧视图；
[0014]图2是本实用新型中真空吸盘的俯视图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和实施例，对本实用新型的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
[0016]如图1和图2所示，本实用新型记载了一种用于Taiko晶圆揭膜的真空吸盘，包括吸盘主体I和位于其外侧的吸盘管道外接口 5。
[0017]其中，吸盘主体I的上表面设置有若干个微孔(未在图中标出)，同时在吸盘主体I的内部设置有吸盘管道(未在图中标出)，该吸盘管道、微孔以及吸盘管道外接口 5均相互连通，从而可以同时将Taiko晶圆的研削部分和边缘台阶部分相互吸住。
[0018]此外，在吸盘主体I的底部还设置有固定吸盘基座4，该固定吸盘基座4主要负责固定吸盘主体1，从而保证工艺的稳定进行。
[0019]与现有技术不同的是，为了避免Taiko晶圆揭膜时破裂的风险，本实用新型中的吸盘主体I的边缘设置了台阶结构2，该台阶结构2的宽度采用了与Taiko晶圆的边缘预留区相一致的3mm，而尚度则为4?5mm，从而达到了提尚广品良率的目的。
[0020]进一步的，上述的吸盘管道外接口 5设置有若干个固定吸盘螺孔3 ;同时，为了达到更好的固定效果，本实用新型中固定吸盘螺孔3的数量为8个，该8个固定吸盘螺孔3均匀分布于吸盘管道外接口 5的表面，从而进一步增加了稳固性能。
[0021]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种用于Taiko晶圆揭膜的真空吸盘，包括吸盘主体和位于吸盘主体外侧的吸盘管道外接口，所述吸盘主体的上表面设置有若干个微孔，所述吸盘主体的内部设置有吸盘管道，所述吸盘管道、微孔以及吸盘管道外接口均相互连通；所述吸盘主体的底部设置有固定吸盘基座；其特征在于，所述吸盘主体的边缘设置有台阶结构，所述吸盘管道外接口设置有若干个固定吸盘螺孔。
2.如权利要求1所述的一种用于Taiko晶圆揭膜的真空吸盘，其特征在于，所述台阶结构的宽度为3mm。
3.如权利要求2所述的一种用于Taiko晶圆揭膜的真空吸盘，其特征在于，所述台阶结构的高度为4?5mm。
4.如权利要求1所述的一种用于Taiko晶圆揭膜的真空吸盘，其特征在于，所述固定吸盘螺孔的数量为8个。
【专利摘要】本实用新型记载了一种用于Taiko晶圆揭膜的真空吸盘，包括吸盘主体和位于吸盘主体外侧的吸盘管道外接口，该吸盘主体的上表面设置有若干个微孔；同时，在吸盘主体的内部设置有吸盘管道，该吸盘管道、微孔以及吸盘管道外接口均相互连通；此外，在吸盘主体的底部设置有固定吸盘基座；其中，吸盘主体的边缘设置有台阶结构，且吸盘管道外接口设置有若干个固定吸盘螺孔。由于采用了上述技术，即本实用新型通过在吸盘主体的边缘设置了台阶结构，并利用该台阶结构与Taiko晶圆边缘的3mm预留区相匹配，从而可以有效的避免使用Tiako晶圆时发生的漏真空问题，进而降低了晶圆揭膜时破裂的风险，并最终达到了提高产品良率的目的。
【IPC分类】H01L21-683
【公开号】CN204558439
【申请号】CN201520239467
【发明人】王成
【申请人】上海东煦电子科技有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年4月20日