一种带应力传感器的场发射结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种碳纳米管场发射装置，具体涉及一种带应力传感器的场发射结构。
【背景技术】
[0002]随着柔性电子器件的发展，大量场发射技术采用柔性电子材料。柔性电子器件具有易弯曲，不易折断产品性能。在场发射装置中，柔性电子器件有最大的弯曲极限，如果超出最大的弯曲期限，所述装置会遭到损坏。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型为了减少装置最大弯曲造成的损坏，提出一种一种带应力传感器的场发射结构。
[0004]一种带应力传感器的场发射结构，包括衬底、碳纳米管、阳极和支架，其特征在于:应力传感器位于衬底和阳极之间位置，所述结构固定在支架上。
[0005]应力传感器为膜状结构，一般采用TiN薄膜。
[0006]应力传感器随着阳极和衬底的弯曲，产生同样的曲率变化。
[0007]本实用新型有益效果:应力传感器的应用，使得装置在达到最大弯曲极限的情况下，发出提示，避免机械力造成的结构损坏。
【附图说明】
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[0008]图1为场发射本结构原理图
【具体实施方式】
[0009]如图1所示，一种带应力传感器的场发射结构，包括衬底1、碳纳米管2、阳极4和支架5，应力传感器3位于衬底I和阳极4之间位置，所述结构固定在支架5上。所述应力传感器3为膜状结构，一般采用TiN薄膜。所述应力传感器3随着阳极4和衬底I的弯曲，产生同样的曲率变化。这种曲率变化被应力传感器3显示出来，避免机械力造成的结构损坏。
【主权项】
1.一种带应力传感器的场发射结构，包括衬底(I)、碳纳米管(2)、阳极(4)和支架(5)，其特征在于:应力传感器(3)位于衬底(I)和阳极(4)之间位置，所述结构固定在支架(5)上。2.根据权利要求1所述一种带应力传感器的场发射结构，其特征在于:应力传感器(3)为膜状结构，一般采用TiN薄膜。3.根据权利要求1或权利要求2所述一种带应力传感器的场发射结构，其特征在于:应力传感器(3)随着阳极(4)和衬底(I)的弯曲，产生同样的曲率变化。
【专利摘要】本实用新型涉及一种碳纳米管场发射装置，具体涉及一种带应力传感器的场发射结构。应力传感器位于衬底和阳极之间位置，所述结构固定在支架上。应力传感器为膜状结构，一般采用TiN薄膜。应力传感器的应用，使得装置在达到最大弯曲极限的情况下，发出提示，避免机械力造成的结构损坏。
【IPC分类】H01J1/304
【公开号】CN204706532
【申请号】CN201520448662
【发明人】乔宪武
【申请人】中国计量学院
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2015年6月23日