Cl83型耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子设备，尤其涉及的是一种耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器。
【背景技术】
[0002]我国现目前超小型金属化聚脂膜电容器国标型号为CL21X型，其容量最小规定为0.01 μ F，额定电压为50V~400V。然而随着液晶电视机的国产化，其电源板中反激变换器的RCD吸收电容要求容量在0.0022 yF至0.0047 μ F之间，额定电压要求在400V~630V，脚距为5mm。国内电容器厂家设计上都采用10*4.5*1的单面镀单留边镀铝金层化聚脂膜设计方案，归类为CL21X系列。
[0003]该技术的缺点有三点:
[0004]①卷绕的圈数少，铝镀层与喷金层结合极弱，接触损耗大，且在焊引线时，接触部位受焊接电流损伤影响大，电容器的损耗角正切值较大，且易变化；
[0005]②10 μπι的聚脂膜热压后回弹大，电容器芯子中心透光，喷金粉易进入之间，造成绝缘电阻不良和损耗角正切值增大。
[0006]③10 μπι聚脂膜属于厚膜，蒸镀的铝镀层附着力差。
[0007]因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
【实用新型内容】
[0008]本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种卷绕的圈数多，铝镀层与喷金层结合牢固，接触损耗小，电容器的损耗角正切值小，且不易变化；热压后无回弹，不透光，无绝缘电阻不良和损耗不良，并且，镀层附着力好，热压后镀层无脱落。
[0009]本实用新型的技术方案如下:一种CL83型耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器，其镀铝金属化膜设置为一对单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ATMT ;每一单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ATMT的厚度为3.8 μπι或4.8 μπι。每一单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ATMT设置有一中留边宽度，一对单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ATMT包括有C1、C2、C3三个内串电容器。其电容容量为0.0022 yF至0.0047 yF。
[0010]采用上述方案，本实用新型将CL21X型电容器的10 μπι单留边聚酯金属化膜ATT该进成3.8或4.8 μπι单留边且中留边的单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ΑΤΜΤ，在容量相同的情况下，卷绕的圈数则增大三倍，即镀层比CL21X型增多三倍，所以镀层与喷金的接触损耗也会小三倍，减小了电容器的损耗角正切值，焊接引线时，焊接电流对端面损耗的影响也随之大幅度减小。并且，改进后，电容器的膜厚10 μπι改成3.8或4.8 μm，镀层附着力好，热压后镀层无脱落；热压后无回弹，不透光，无绝缘电阻不良和损耗不良；卷绕圈数增大三倍，镀层多三倍，镀层与喷金层的接触损耗小，电容器损耗角正切值小且不易变。
【附图说明】
[0011]图1为现有技术的横向剖面结构示意图；
[0012]图2为本实用新型的横向剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]以下结合附图和具体实施例，对本实用新型进行详细说明。
[0014]本实施例提供了一种CL83型耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器，如图2所示，CL83型耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器设置有一对的单面镀铝三串结构聚酯金属化膜，即单面镀铝三串结构聚酯金属化膜①和单面镀铝三串结构聚酯金属化膜②。
[0015]图2中，单面镀铝三串结构聚酯金属化膜①设置有中留边宽度X2，单面镀铝三串结构聚酯金属化膜②设置有中留边宽度XI，如此，CL83型耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器包括有C1、C2和C3三个电容器，C1、C2和C3三个电容器串联设置，并且，图中，Y为留边宽度，Z为错幅。
[0016]如此，本实施例中CL83型耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器的一种具体参数为:ΑΤΜΤ-3.8μπι*4.5mm*M1.7*A0.4*M2*T0.4。由于三串膜中留边宽度Xl和中留边宽度X2的存在，根据额定电压的高低，中留边宽度Xl和中留边宽度X2的大小不同，在本实例中，中留边宽度为A0.4，即中留边宽度Xl和中留边宽度X2都等于0.4mm ;单留边为T0.4，即单留边为0.4mm所构成Cl、C2和C3三个电容器串联。
[0017]并且，本实施例中，每一单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ATMT的厚度还可以为4.8 μ m，CL83型耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器的电容容量为0.0022 μ F至0.0047 μ F0
[0018]如此，将CL21X型电容器的10 μπι单面镀铝单留边聚酯金属化膜ATT改进成3.8 μπι或4.8 μπι的单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ΑΤΜΤ，既兼顾耐高问题，又解决镀层附着力和弹性大芯子透光两个质量问题。
[0019]改进后，由于聚酯膜只有3.8或4.8 μ m，热压后无回弹现象，不透光。镀层附着力好，热压后无脱落。
[0020]将CL21X型电容器的10 μ m单留边聚酯金属化膜ATT该进成3.8或4.8μπι单留边且中留边的单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ΑΤΜΤ，在容量相同的情况下，卷绕的圈数则增大三倍，即镀层比CL21X型增多三倍，所以镀层与喷金的接触损耗也会小三倍，减小了电容器的损耗角正切值，焊接引线时，焊接电流对端面损耗的影响也随之大幅度减小。
[0021]改进后的有益效果如下:
[0022]电容器的膜厚10 μ m改成3.8或4.8 μ m，镀层附着力好，热压后镀层无脱落；
[0023]热压后无回弹，不透光，无绝缘电阻不良和损耗不良；
[0024]卷绕圈数增大三倍，镀层多三倍，镀层与喷金层的接触损耗小，电容器损耗角正切值小且不易变。
[0025]解决了容量在0.01 μ F以下高电压630V，小脚距5mm的金属化电容国标未有的实际应用问题。本实施例CL83型耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器的制造工艺为:卷绕-热压-包裹-喷纯锌-喷锡锌合金-赋能-焊接引线-排芯-引脚保护-除湿-内包_固化_粉包_切漆脚_流平固化_打印标识_电性能分选_编带_抽检_包装。
[0026]以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种CL83型耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器，其特征在于:其镀铝金属化膜设置为一对宽度4.5mm单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ATMT;每一单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ATMT的厚度为3.8μπι或4.8μπι;其电容器容量范围为.0.0022 μ F至0.0047 μ F、脚距为P=5mm、额定电压最高为630VDC。
【专利摘要】本实用新型公开了一种CL83型耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器，其镀铝金属化膜设置为一对单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ATMT。本实用新型将CL21X型电容器的10μm单留边聚酯金属化膜ATT该进成3.8μm或4.8μm单留边且中留边的单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ATMT，在容量相同的情况下，卷绕的圈数则增大三倍，镀层与喷金的接触损耗也小三倍，减小了电容器的损耗角正切值，焊接引线时，焊接电流对端面损耗的影响也大幅度减小。电容器损耗角正切值小且不易变。解决了液晶电视机反激变换器RCD吸收电容器脚距小（P=5mm）、容量小（0.0022μF至0.0047μF）并且额定电压高（630VDC）的要求。
【IPC分类】H01G4/33, H01G4/32
【公开号】CN204809041
【申请号】CN201520472429
【发明人】李新安
【申请人】深圳市深峰电子有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年6月30日