用于复合绝缘子人工加速老化试验的氙灯的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及用于复合绝缘子人工加速老化试验的氙灯结构。
【背景技术】
[0002]GB/T 19519-2004与IEC62217规定5000h人工老化试验中需使用氙灯模拟日光。由于规定的温湿度为500C，相对湿度95 %，需使用水冷氙灯。但是，在使用过程中，氙灯寿命明显低于预期。此外，人工老化试验箱中的空间有限，因此要求氙灯系统结构尽量简单。在综合考虑各种因素后，设计了适用于复合绝缘子人工老化试验的氙灯系统。
[0003]在复合绝缘子5000h人工老化试验过程中，氙灯平均寿命只有120小时，明显低于预期。在经过反复排除与验证之后，主要发现了以下可能造成氙灯损坏的问题，并进行改进，取得了良好的效果。
[0004]1.恒温恒湿箱内温度为50°C，并且是高湿环境，而氙灯冷却水的温度只有30?35 0C，造成氙灯灯管外壁结雾，影响透光率。
[0005]2.按照GB/T 19519-2004与IEC62217规定，氙灯距试品距离为48cm。在高湿环境下，如果复合绝缘子老化性能下降，极易发生闪络，造成氙灯灯管爆裂。此外在30kV的电压下，氙灯正极附近场强极高，影响通过氙灯电流的稳定性。
[0006]3.氙灯使用过程中可能发生的闪弧，造成灯光内壁发黑。在使用过程中，灯光发黑比预期严重得多。
【发明内容】
[0007]本实用新型的目的正是为了克服上述现有技术存在的缺陷通过如下技术手段实现氙灯系统在高温、高湿、高电压环境下的长时间工作。
[0008]本实用新型的目的是通过如下技术方案来实现的。
[0009]用于复合绝缘子人工加速老化试验的氙灯，其特征是，在氙灯灯管周围安装有环形毛刷，在氙灯周围安装一屏蔽装置，屏蔽装置采用铜线做成网状筒体结构罩设在在氙灯周围，并进行接地，在氙灯阴极的尾部套设一个磁环，磁环的磁场与氙灯轴线平行，成为同轴磁场。
[0010]本实用新型的有益效果是:
[0011]1.针对氙灯灯管外壁结雾的问题，在氙灯灯管周围安装环形毛刷。
[0012]2.在氙灯周围安装屏蔽装置，用铜线做成网状结构罩在氙灯周围，并进行接地。这样可以改变氙灯金属电极周围的场强，避免高电场对氙灯电流造成影响，也可以降低高压打坏氙灯的危险性，同时又不影响氙灯光照。
[0013]3.采用稳弧装置对氙灯进行稳弧。在氙灯阴极的尾部套一个磁环，磁环的磁场与氙灯轴线平行，成为同轴磁场。当氙灯点燃并且飘弧时，电荷受到洛伦兹力的作用而使电荷作螺旋运动，只要有足够的磁感应强度，电荷便会被约束在离氙灯发光点很近的一个小范围内作螺旋运动，从而有效地抑制电弧的飘动。
[0014]本实用新型中描述的氙灯，可以复合绝缘子人工加速老化试验装置中长期保持较高的使用寿命。即能够克服高温高湿、高电场强度的恶劣环境，又在易用性、扩展性和维护性方面有突出的优势。
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型结构示意图；
[0016]1.毛刷，2.屏蔽装置(屏蔽网)，3.稳弧装置(磁环)，4.氙灯。
【具体实施方式】
[0017]用于复合绝缘子人工加速老化试验的氙灯，其特征是，在氙灯灯管头部周围安装有环形毛刷I，在氙灯周围安装一屏蔽装置2，屏蔽装置2采用铜线做成网状筒体结构罩设在在氙灯周围，并进行接地；在氙灯阴极的尾部套设一个磁环3，磁环的磁场与氙灯轴线平行，成为同轴磁场。
[0018]本实用新型在氙灯灯管周围安装环形毛刷，有效地解决了氙灯灯管外壁结雾的问题；在氙灯周围安装屏蔽装置，用铜线做成网状结构罩在氙灯周围，并进行接地。这样可以改变氙灯金属电极周围的场强，避免高电场对氙灯电流造成影响，也可以降低高压打坏氙灯的危险性，同时又不影响氙灯光照；采用稳弧装置对氙灯进行稳弧。在氙灯阴极的尾部套一个磁环，磁环的磁场与氙灯轴线平行，成为同轴磁场。当氙灯点燃并且飘弧时，电荷受到洛伦兹力的作用而使电荷作螺旋运动，只要有足够的磁感应强度，电荷便会被约束在离氙灯发光点很近的一个小范围内作螺旋运动，从而有效地抑制电弧的飘动。
【主权项】
1.用于复合绝缘子人工加速老化试验的氙灯，其特征是，在氙灯灯管头部周围安装有环形毛刷(I)，在氙灯周围安装一屏蔽装置(2)，屏蔽装置(2)采用铜线做成网状筒体结构罩设在在氙灯周围，并进行接地；在氙灯阴极的尾部套设一个磁环(3)，磁环的磁场与氙灯轴线平行，成为同轴磁场。
【专利摘要】用于复合绝缘子人工加速老化试验的氙灯，其特征是，在氙灯灯管头部周围安装有环形毛刷(1)，在氙灯周围安装一屏蔽装置(2)，屏蔽装置(2)采用铜线做成网状筒体结构罩设在氙灯周围，并进行接地；在氙灯阴极的尾部套设一个磁环(3)，磁环的磁场与氙灯轴线平行，成为同轴磁场。本实用新型中描述的氙灯，可以复合绝缘子人工加速老化试验装置中长期保持较高的使用寿命。即能够克服高温高湿、高电场强度的恶劣环境，又在易用性、扩展性和维护性方面有突出的优势。
【IPC分类】G01N17/00, H01J61/10
【公开号】CN204834565
【申请号】CN201520303213
【发明人】彭庆军, 屠幼萍, 梁栋, 王璁, 邹立峰, 张少泉, 陈晓云, 陈先富
【申请人】云南电网有限责任公司电力科学研究院
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年5月12日