一种基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及封装支架技术领域，特别设及一种基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架。
【背景技术】
[0002]目前市场上普遍使用的封装支架，底座大多选择铜基或陶瓷基，以铜基封装支架为例，其包含底部镀银基板、由PPA塑料制成的定位边框、作为电极的金属弹片等部件，基板表面开有若干个通孔，通过通孔注射PPA材料并在基板表面形成具有一定高度及形状的定位边框，作为电极的金属弹片通过预埋嵌入在成型的定位边框中，这种结构的封装支架优点是可操作性好，缺点是封装支架制作工艺复杂，通用性差，定位边框的尺寸及形状受注塑模具限制而不可调节；一方面，氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料，但是现在封装支架内的基板往往只采用若干个散热孔进行散热，这样不仅散热效果差，而且容易烧坏部分器件。
【实用新型内容】
[0003]针对现有技术中的不足，本实用新型要解决的技术问题在于提供了基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架，为解决上述技术问题，本实用新型通过以下方案来实现:
[0004]—种基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架，包括支架本体，所述支架本体的边角处设有定位孔，所述支架本体上设有空腔，所述空腔的两侧设有伸缩板，所述空腔内设有氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板底部设有升降装置，所述氮化铝基板的外边侧设有密封圈，所述升降装置的一侧设有电极层，所述支架本体内设有温度探测器，所述温度探测器通过温度探测电路电性连接控制单元，所述控制单元电性连接升降电路，所述升降电路包含升降装置，所述控制单元电性连接伸缩电路，所述伸缩电路包含伸缩板，所述电极层电性连接控制单元。
[0005]优选的，所述控制单元内设有控制器和控制开关。
[0006]优选的，所述控制器包括控制电路主板以及设置在控制电路主板上的微处理器和处理芯片，所述微处理器和所述处理芯片电性连接，所述微处理器和所述处理芯片焊接在所述控制电路主板上。
[0007]优选的，所述定位孔为圆形，所述定位孔的半径为1.7mm-l.8mm。
[0008]相对于现有技术，本实用新型的有益效果是:该基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架，包括伸缩板、升降装置、温度探测器和升降装置，由于在空腔的两侧设有伸缩板，通过伸缩板能够改变定位边框的大小，由于在支架本体内设有温度探测器，通过温度探测器能够将温度信号实时的传递给控制单元，控制单元通过升降电路控制升降装置进行工作，在升降装置的作用下能够对氮化铝陶瓷基板位置进行调整，从而形成了散热圈，有效提高了支架本体的散热能力，该基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架设计合理，实用性强，适合推广。
【附图说明】
[0009]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1是本实用新型实施例所述一种基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架的结构示意图；
[0011]图2是本实用新型实施例所述一种基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架氮化铝陶瓷基板的结构示意图；
[0012]图3是本实用新型实施例所述一种基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架升降装置的结构示意图；
[0013]图4是本实用新型实施例所述一种基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架控制系统的框图；
[0014]附图中标记:1、支架本体；2、定位孔；3、空腔；4、升降装置；5、氮化铝陶瓷基板；6、电极层；7、伸缩板；8、温度探测器；9、温度探测电路；10、控制单元；11、控制器；12、控制开关；13、升降电路；14、伸缩电路；15、密封圈。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0016]实施例:如图1-4所示，本实用新型一种基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架，包括支架本体1，所述支架本体I的边角处设有定位孔2，所述支架本体I上设有空腔3，所述空腔3的两侧设有伸缩板7，所述空腔3内设有氮化铝陶瓷基板5，所述氮化铝陶瓷基板5底部设有升降装置4，所述氮化铝基板5的外边侧设有密封圈15，所述升降装置4的一侧设有电极层6，所述支架本体I内设有温度探测器8，所述温度探测器8通过温度探测电路9电性连接控制单元10，所述控制单元10电性连接升降电路13，所述升降电路13包含升降装置4，所述控制单元10电性连接伸缩电路14，所述伸缩电路14包含伸缩板7，所述电极层6电性连接控制单元10。
[0017]所述控制单元10内设有控制器11和控制开关12，所述控制器11包括控制电路主板以及设置在控制电路主板上的微处理器和处理芯片，所述微处理器和所述处理芯片电性连接，所述微处理器和所述处理芯片焊接在所述控制电路主板上，所述定位孔2为圆形，所述定位孔2的半径为1.7MM-1.8MM，在使用时，由于在空腔3的两侧设有伸缩板7，通过伸缩板7能够改变定位边框的大小，由于在在支架本体I内设有温度探测器8，通过温度探测器8能够将温度信号实时的传递给控制单元10，控制单元10通过升降电路13控制升降装置4进行工作，在升降装置4的作用下能够对氮化铝陶瓷基板5位置进行调整，从而形成了散热圈，有效提高了支架本体I的散热能力，该基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架设计合理，实用性强，适合推广。
[0018]以上所述仅为本实用新型的优选实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架，包括支架本体(I )，其特征在于，所述支架本体(I)的边角处设有定位孔(2 )，所述支架本体(I)上设有空腔(3 )，所述空腔(3 )的两侧设有伸缩板(7 )，所述空腔(3 )内设有氮化铝陶瓷基板(5 )，所述氮化铝陶瓷基板(5 )底部设有升降装置(4)，所述氮化铝基板(5)的外边侧设有密封圈(15)，所述升降装置(4)的一侧设有电极层(6 )，所述支架本体(I)内设有温度探测器(8 )，所述温度探测器(8 )通过温度探测电路(9 )电性连接控制单元(10 )，所述控制单元(10 )电性连接升降电路(13 )，所述升降电路(13)包含升降装置(4)，所述控制单元(10)电性连接伸缩电路(14)，所述伸缩电路(14)包含伸缩板(7)，所述电极层(6)电性连接控制单元(10)。2.根据权利要求1所述的一种基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架，其特征在于所述控制单元(10)内设有控制器(11)和控制开关(12)。3.根据权利要求2所述的一种基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架，其特征在于所述控制器(11)包括控制电路主板以及设置在控制电路主板上的微处理器和处理芯片，所述微处理器和所述处理芯片电性连接，所述微处理器和所述处理芯片焊接在所述控制电路主板上。4.根据权利要求1所述的一种基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架，其特征在于所述定位孔(2)为圆形，所述定位孔(2)的半径为1.7mm-l.8mm。
【专利摘要】本实用新型公开了一种基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架，包括支架本体，所述支架本体的边角处设有定位孔，所述支架本体上设有空腔，所述空腔的两侧设有伸缩板，所述空腔内设有氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板底部设有升降装置，所述氮化铝基板的外边侧设有密封圈，所述升降装置的一侧设有电极层，所述支架本体内设有温度探测器，所述温度探测器通过温度探测电路电性连接控制单元，该基于氮化铝陶瓷基板的高密封性封装支架设计合理，实用性强，适合推广。
【IPC分类】H01L23/367, H01L23/15
【公开号】CN204946881
【申请号】CN201520717255
【发明人】廖义泽
【申请人】深圳市虹鑫铜业有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年9月16日