一种高容量的铜电极环形电容的制作方法

文档序号:10056614阅读:411来源:国知局
一种高容量的铜电极环形电容的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及的是电容器的领域,特别是一种高容量的铜电极环形电容。
【背景技术】
[0002]环形平板电容器是由两个中间为通孔的圆环形平行极板及中间为电介质材料所组成的电容,简称为环形平板电容器,现有环形平板电容器需要经历磨粉、压片、烧结、排胶、抛光、涂银、烧银、焊接电极和环氧树脂层包封的过程,在此过程中焊接电极是十分重要的一道工序,它直接关系着电容容量的大小。在传统的电容制作过程中,是将锡电极通过焊接的方式焊接在银层上,再环氧树脂层密封包封起来,放在烘箱进行高温固化;在焊接锡电极的过程中,存在锡电极在银层面上的的热胀冷缩现象,导致锡电极会将银层拉裂,导致银层面的脱落,直接影响电容量损失10%?20%;再者,凹形屏蔽外壳体在300度?360度的固化过程中会出现壳体发黄褪色的现象,严重影响环形电容的外形美观度,且在高温固化的过程中,也会导致部分容量的损失。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型需要解决的技术问题是环形电容在生产过程中焊接电极时电容量的损失问题、以及在高温固化的过程中外壳体的发黄变色的问题。
[0004]为解决上述的技术问题,本实用新型提供的是一种高容量的铜电极环形电容,主要包括凹形屏蔽外壳体、环形平板电容器、金属芯片和环氧树脂层,所述的环形平板电容器的上下面上均涂覆有银层,在银层上均印刷有多段环状铜电极;所述的环形平板电容器通过间隙配合方式套设于凹形屏蔽外壳体内部,所述的环形平板电容器上方沿同心圆方向设置有金属芯片,所述的凹形屏蔽外壳体与金属芯片之间形成的腔体内填充有环氧树脂层。
[0005]进一步地,上述技术方案中,所述的金属芯片的边缘与凹形屏蔽外壳体之间的间距为1?1.5mm η
[0006]进一步地,上述技术方案中,所述的环状铜电极和环氧树脂层的质量百分比为4:1。
[0007]进一步地,上述技术方案中,所述的环形平板电容器为9000陶瓷Y5UE组为介质制成的环形平板电容器。
[0008]进一步地,上述技术方案中,所述的凹形屏蔽外壳体采用的是铁壳镀锡或者镀镍制成的外壳体。
[0009]进一步地,上述技术方案中,所述的凹形屏蔽外壳体为铝壳。
[0010]采用上述结构后,本实用新型利用印刷的环状铜电极取代了传统的锡电极焊接,可以有效的防止由锡电极在焊接过程中产生的热胀冷缩现象导致的容量损失;利用环状铜电极可以降低固化温度,防止凹形屏蔽外壳体的变黄褪色。
【附图说明】
[0011]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细的说明。
[0012]图1是本实用新型的结构示意图。
[0013]图2是本实用新型的正视图。
[0014]图中:1为凹形屏蔽外壳体,2为环形平板电容器,3为金属芯片,4为环氧树脂层,5为银层,6为环状铜电极。
【具体实施方式】
[0015]如图1和图2所示的一种高容量的铜电极环形电容,主要包括凹形屏蔽外壳体1、环形平板电容器2、金属芯片3和环氧树脂层4,环形平板电容器2的上下面上均涂覆有银层5,在银层5上均印刷有多段环状铜电极6 ;环形平板电容器2通过间隙配合方式套设于凹形屏蔽外壳体1内部,环形平板电容器2上方沿同心圆方向设置有金属芯片3,凹形屏蔽外壳体1与金属芯片3之间形成的腔体内填充有环氧树脂层4。
[0016]其中金属芯片3的边缘与凹形屏蔽外壳体1之间的间距为1?1.5mm。这样可以保证充分的绝缘效果,本实用新型之间的间距优选1mm,绝缘效果最佳,电容容值保有量最大。环状铜电极6和环氧树脂层4的质量百分比为4:1。经过多次试验,本实用新型优选环状铜电极6和环氧树脂层4的质量百分比为4:1,当环状铜电极6添加的量过少的时候,就会导致电容的导电能力下降;当环状铜电极6添加的量过多的时候,就会导致绝缘性能的降低,电容就会被击穿。环形平板电容器2为9000陶瓷Y5UE组为介质制成的环形平板电容器。这样可以保证在高温固化的过程中保证容量的最大化,传统的采用16000YV5VF组陶瓷,在同样的高温固化作用下,容量达到25%,而采用了 9000陶瓷Y5UE组,容量可以达到45%,提高电容器的容量值。凹形屏蔽外壳体1采用的是铁壳镀锡或者镀镍制成的外壳体。凹形屏蔽外壳体1为铝壳。
[0017]环状铜电极6由不低于2000目的铜粉组成。当铜粉越细的时候,铜粉的导电能力越强。
[0018]传统的焊接电极的过程,是通过在环形平板电容器2的上下面的银层5上焊接锡电极,在焊接的过程中会产生热胀冷缩的现象,当锡电极在冷缩时,会将环形平板电容器2的上下面的银层5拉裂,导致电容容量的损失;当焊接电极完成后,需要在300度?360度的高温下进行固化,这时传统的凹形屏蔽外壳体1就会出现变黄褪色的现象,严重影响到电容的使用。
[0019]本实用采用了印刷环状铜电极6代替了焊接锡电极工艺,避免了焊接的热胀冷缩给电容容值带来的影响,印刷环状铜电极6由铜粉组成,铜粉通过丝网印刷的方式印刷在银层5上,铜粉由于自重,自动铺开,这样可以增加其接触面积,提升容量值。在环状铜电极6通过自身的粘力粘结在金属芯片3与凹形屏蔽外壳体1上后,只需要在120度?130度的温度下进行固化,这样可以有效的防止凹形屏蔽外壳体1就会出现变黄褪色的现象,本实用优选铝壳,防止其变形和褪色,影响电容的使用。
[0020]虽然以上描述了本实用新型的【具体实施方式】,但是本领域熟练技术人员应当理解,这些仅是举例说明,可以对本实施方式作出多种变更或修改,而不背离实用新型的原理和实质,本实用新型的保护范围仅由所附权利要求书限定。
【主权项】
1.一种高容量的铜电极环形电容,主要包括凹形屏蔽外壳体(1)、环形平板电容器(2)、金属芯片(3)和环氧树脂层(4),其特征在于:所述的环形平板电容器(2)的上下面上均涂覆有银层(5),在银层(5)上均印刷有多段环状铜电极¢);所述的环形平板电容器(2)通过间隙配合方式套设于凹形屏蔽外壳体⑴内部,所述的环形平板电容器⑵上方沿同心圆方向设置有金属芯片(3),所述的凹形屏蔽外壳体(1)与金属芯片(3)之间形成的腔体内填充有环氧树脂层(4)。2.根据权利要求1所述的一种高容量的铜电极环形电容,其特征在于:所述的金属芯片(3)的边缘与凹形屏蔽外壳体(1)之间的间距为1?1.5mm。3.根据权利要求1所述的一种高容量的铜电极环形电容,其特征在于:所述的环状铜电极(6)和环氧树脂层⑷的质量百分比为4:1。4.根据权利要求1所述的一种高容量的铜电极环形电容,其特征在于:所述的环形平板电容器(2)为9000陶瓷Y5UE组为介质制成的环形平板电容器。5.根据权利要求1所述的一种高容量的铜电极环形电容,其特征在于:所述的凹形屏蔽外壳体(1)采用的是铁壳镀锡或者镀镍制成的外壳体。6.根据权利要求1所述的一种高容量的铜电极环形电容,其特征在于:所述的凹形屏蔽外壳体(1)为铝壳。
【专利摘要】本实用新型涉及的是电容器的领域,特别是一种高容量的铜电极环形电容。其主要包括凹形屏蔽外壳体、环形平板电容器、金属芯片和环氧树脂层,所述的环形平板电容器的上下面上均涂覆有银层,在银层上均印刷有多段环状铜电极;所述的环形平板电容器通过间隙配合方式套设于凹形屏蔽外壳体内部,所述的环形平板电容器上方沿同心圆方向设置有金属芯片,所述的凹形屏蔽外壳体与金属芯片之间形成的腔体内填充有环氧树脂层。采用上述结构后,可以利用印刷的环状铜电极取代了传统的锡电极焊接,可以有效的防止由锡电极在焊接过程中产生的热胀冷缩现象导致的容量损失;利用环状铜电极可以降低固化温度,防止凹形屏蔽外壳体的变黄褪色。
【IPC分类】H01G4/008
【公开号】CN204966283
【申请号】CN201520781066
【发明人】石小峰, 戴金宝
【申请人】常州嘉恩电子科技有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年10月10日
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