封装基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种封装基板，尤其涉及一种适用于制作无核心层的半导体封装结构的封装基板。
【背景技术】
[0002]为求缩减半导体封装结构的整体厚度，以符合薄型化的设计需求，目前已有无核心层(coreless)的半导体封装结构被提出。常见的无核心层(coreless)的半导体封装结构的制作步骤大致如下:首先，提供载体。载体的至少一表面上形成有第一金属层；接着，形成第二金属层于第一金属层上，并形成第一图案化线路层于第二金属层上；接着，形成线路增层结构于第二金属层与第一图案化线路层上，其中线路增层结构具有介电层、形成于介电层上的第二图案化线路层以及贯穿介电层的多个导电盲孔，且这些导电盲孔电性连接第一图案化线路层与第二图案化线路层；接着，形成防焊层于第二图案化线路层上，且暴露出第二图案化线路层的焊垫；接着，使半导体芯片设置于线路增层结构上，并与第二图案化线路层的焊垫电性连接；接着，在形成封装胶体于线路增层结构上以包覆半导体芯片后，通过剥离的方式移除载体与第一金属层；之后，通过蚀刻的方式移除第二金属层，以外露第一图案化线路层，供后续植球制程的进行。至此，无核心层的半导体封装结构已大致制作完成。
[0003]虽然通过前述制作步骤所得的无核心层的半导体封装结构能有效地缩减整体厚度，但在剥离载体与第一金属层的过程中，容易因第一金属层与第二金属层之间的接合强度过大造成部分的第一金属层残留于第二金属层上，或者是第一图案化线路层随着第二金属层与第一金属层自线路增层结构剥离，使得产品的可靠度下滑。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型提供一种封装基板，适用于制作无核心层的半导体封装结构，并使制作所得的无核心层的半导体封装结构具有良好的可靠度。
[0005]本实用新型提出一种封装基板，其包括承载层与金属层。金属层设置于承载层上，其中金属层具有至少一开口，且开口邻近承载层的边缘。
[0006]在本实用新型的一实施例中，上述的开口暴露出部分的承载层。
[0007]在本实用新型的一实施例中，上述的承载层具有相邻接的二个侧边。开口邻近两侧边所定义的角落。
[0008]在本实用新型的一实施例中，上述的开口的数量为多个。承载层具有四个侧边，其中一个侧边与另二个侧边彼此邻接而定义出多个角落。这些开口分别邻近这些角落。
[0009]在本实用新型的一实施例中，上述的开口为条状开口。
[0010]在本实用新型的一实施例中，上述的开口为环状开口。
[0011]在本实用新型的一实施例中，上述的开口的形状为多边形、圆形或椭圆形。
[0012]在本实用新型的一实施例中，上述的金属层为铜箔层。
[0013]基于上述，在制作无核心层的半导体封装结构时，由于本实用新型的封装基板在金属层上开设有开口，因此能减少金属层与形成于其上的另一金属层之间的接触面积。如此一来，本实用新型的封装基板便能轻易地与形成于其上的另一金属层及线路增层结构分离开来，以使制作所得的无核心层的半导体封装结构具有良好的可靠度。
[0014]为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0015]图1A是本实用新型一实施例的封装基板的俯视图；
[0016]图1B是图1A的封装基板沿剖线A-A的剖面图；
[0017]图2是本实用新型另一实施例的封装基板的俯视图；
[0018]图3是本实用新型又一实施例的封装基板的俯视图；
[0019]图4是本实用新型再一实施例的封装基板的俯视图；
[0020]图5是本实用新型更一实施例的封装基板的俯视图。
[0021]附图标记说明:
[0022]100、100A ?100D:封装基板；
[0023]110:承载层；
[0024]120、120&?120(1:金属层；
[0025]121、121a ?1211:开口；
[0026]123a:第一侧边；
[0027]123b:第二侧边；
[0028]123c:第三侧边；
[0029]123d:第四侧边；
[0030]124a ?124d:角落。
【具体实施方式】
[0031]图1A是本实用新型一实施例的封装基板的俯视图。图1B是图1A的封装基板沿剖线A-A的剖面图。请参考图1A与图1B，在本实施例中，封装基板100例如是单面铜箔基板，其包括承载层110与金属层120。承载层110的材质可以是聚酰亚胺(PI)、玻璃环氧基树脂(FR-4或FR-5)、双顺丁稀二酸酰亚胺(BT)、环氧树脂(epoxy resin)或其他合适的介电材料。金属层120例如是铜箔层，其压合于承载层110上且具有至少一开口 121a。开口121a暴露出部分的承载层110，且邻近承载层110的边缘，例如是相邻接的第一侧边123a与第二侧边123b所定义的角落124a。在本实施例中，开口 121的形状为多边形，且例如是梯形，惟本实用新型不以此为限。在其他实施例中，开口可以是三角形、矩形、菱形、圆形或椭圆形。
[0032]封装基板100适用于制作无核心层的半导体封装结构，其制作步骤举例说明如下。首先，形成另一金属层(以下称增层金属层)于金属层120上，并形成第一图案化线路层于增层金属层上。接着，形成线路增层结构于增层金属层与第一图案化线路层上，其中线路增层结构具有介电层、形成于介电层上的第二图案化线路层以及贯穿介电层的多个导电盲孔，且这些导电盲孔电性连接第一图案化线路层与第二图案化线路层。接着，形成防焊层于第二图案化线路层上，且暴露出第二图案化线路层的焊垫。接着，使半导体芯片设置于线路增层结构上，并与第二图案化线路层的焊垫电性连接。接着，在形成封装胶体于线路增层结构上以包覆半导体芯片后，通过剥离的方式移除承载层110与金属层120。
[0033]由于封装基板100在金属层120上开设有开口 121，因此能减少金属层120与形成于其上的增层金属层之间的接触面积。如此一来，封装基板100便能轻易地与形成于其上的增层金属层及线路增层结构分离开来，而不会发生部分的金属层120残留于增层金属层上，或者是第一图案化线路层随着增层金属层与金属层120自线路增层结构剥离的情况。之后，通过蚀刻的方式移除增层金属层，以外露第一图案化线路层，供后续植球制程的进行。至此，无核心层的半导体封装结构已大致制作完成，且具有良好的可靠度。
[0034]以下将列举其他实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
[0035]图2是本实用新型另一实施例的封装基板的俯视图。请参考图2，本实施例的封装基板100A与上述实施例的封装基板100大致相似，两者的主要差异在于:封装基板100A的金属层120a具有四个开口 121a?121d，分别邻近承载层110的角落124a?124d。如图2所示，角落124a是由第一侧边123a与第二侧边123b所定义。角落124b是由第二侧边123b与第三侧边123c所定义。角落124c是由第三侧边123c与第四侧边123d所定义。角落124d是由第四侧边123d与第一侧边123a所定义。
[0036]图3是本实用新型又一实施例的封装基板的俯视图。请参考图3，本实施例的封装基板100B与上述实施例的封装基板100大致相似，两者的主要差异在于:封装基板100B的金属层120b的开口 121e为条状开口，邻近承载层110的边缘(例如第一侧边123a)。换言之，开口 121e的延伸方向实质上平行于第一侧边123a。
[0037]图4是本实用新型再一实施例的封装基板的俯视图。请参考图4，本实施例的封装基板100C与上述实施例的封装基板100B大致相似，两者的主要差异在于:封装基板100C的金属层120c具有四个开口 121e?121h，分别邻近承载层110的第一侧边123a、第二侧边123b、第三侧边123c以及第四侧边123d。如图2所示，开口 121e的延伸方向实质上平行于第一侧边123a。开口 121f的延伸方向实质上平行于第二侧边123b。开口 121g的延伸方向实质上平行于第三侧边123c。开口 121h的延伸方向实质上平行于第四侧边123d。
[0038]图5是本实用新型更一实施例的封装基板的俯视图。请参考图5，不同于上述实施例的封装基板100A?100C的是:本实施例的封装基板100D的金属层120d具有一个环状开口 121i。如图5所示，环状开口 121i例如是沿着第一侧边123a、第二侧边123b、第三侧边123c以及第四侧边123d的内缘延伸。
[0039]综上所述，在制作无核心层的半导体封装结构时，由于本实用新型的封装基板在金属层上开设有开口，因此能减少金属层与形成于其上的增层金属层之间的接触面积。如此一来，本实用新型的封装基板便能轻易地与形成于其上的增层金属层及线路增层结构分离开来，使得制作所得的无核心层的半导体封装结构具有良好的可靠度。
[0040]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种封装基板，其特征在于，包括: 承载层；以及 金属层，设置于所述承载层上，其中所述金属层具有至少一开口，且所述至少一开口邻近所述承载层的边缘。2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述至少一开口暴露出部分的所述承载层。3.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述承载层具有相邻接的二个侧边，所述至少一开口邻近所述二个侧边所定义的角落。4.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述至少一开口的数量为多个，所述承载层具有四个侧边，其中一所述侧边与另二该些侧边彼此邻接而定义出多个角落，该些开口分别邻近该些角落。5.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述至少一开口为条状开口。6.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述至少一开口为环状开口。7.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述至少一开口的形状为多边形、圆形或椭圆形。8.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述金属层为铜箔层。
【专利摘要】本实用新型提供一种封装基板，其包括承载层与金属层。金属层设置于承载层上，其中金属层具有至少一开口，且开口邻近承载层的边缘。本实用新型提供的封装基板适用于制作无核心层的半导体封装结构，并使制作所得的无核心层的半导体封装结构具有良好的可靠度。
【IPC分类】H01L23/13
【公开号】CN205028891
【申请号】CN201520769042
【发明人】柯志明, 张连家, 蓝源富
【申请人】力成科技股份有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年9月30日