一种超薄单晶硅片烧结治具的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体领域，具体涉及一种超薄单晶硅片烧结用治具。
【背景技术】
[0002]在采用LTO(低温二氧化硅)工艺给单晶硅片形成氧化硅膜层时需要将单晶硅片置于治具上进行加热，如图1所示的治具在两挡块之间具有平面的加工槽，针对厚度小的单晶硅片，尤其涉及厚度在300μπι的单晶硅片，在受热过程中，受硅片上、下面热膨胀不同影响，硅片会发生完形弯曲，进而导致硅片中心与边缘温度差异较大，在如图1所示的传统治具上烧结的硅片LTO均一性一般在6.6 %左右，均一性较低。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种改善超薄单晶硅片烧结后均一性良好的治具。
[0004]为达到上述实用新型目的，提供一种超薄单晶硅片烧结治具，包括加工槽，加工槽两端固定有挡块，所述的加工槽截面为V形。
[0005]优选的，所述的V形加工槽的夹角为钝角。
[0006]优选的，包括多个平行且均匀分布的加工槽。
[0007]本实用新型的超薄单晶硅片烧结治具，改变了治具的形状，将现有技术中平面的加工槽改为V形加工槽，使硅片在烧结过程中与治具完全贴合，受热均匀。
[0008]本实用新型的有益效果是使硅片在受热过程中，硅片中心与边缘紧贴治具，受热均匀，LTO均一性良好。
【附图说明】
[0009]图1为现有技术的结构不意图；
[0010]图2为本实用新型的结构示意图；
[0011]其中:
[0012]1-挡块 2-加工槽
【具体实施方式】
[0013]以下结合附图和具体实施例，对本实用新型做进一步说明。
[0014]根据图2所示的一种超薄单晶硅片烧结治具，针对厚度为300μπι的单晶硅片的烧结治具，在治具上平行均匀分布一排加工槽2，加工槽2两端为挡块I，所述的单晶硅片放置于加工槽2内进行加热，加工槽2为V形，槽边夹角为钝角。在受热过程中，受硅片上、下面热膨胀不同影响，硅片会发生完形弯曲，进而导致硅片中心与边缘温度差异较大，本实用新型的超薄单晶硅片烧结治具，改变了治具的形状，将现有技术中平面的加工槽改为V形加工槽，使硅片在烧结过程中与治具完全贴合，受热均匀。
[0015]以上已对本实用新型创造的较佳实施例进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述的实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型创造精神的前提下还可以作出种种的等同的变型或替换，这些等同变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
【主权项】
1.一种超薄单晶硅片烧结治具，其特征在于，包括加工槽，加工槽两端固定有挡块，所述的加工槽截面为V形。2.根据权利要求1所述的超薄单晶硅片烧结治具，其特征在于，所述的V形加工槽的夹角为钝角。3.根据权利要求1或2所述的超薄单晶硅片烧结治具，其特征在于，包括多个平行且均匀分布的加工槽。
【专利摘要】本实用新型涉及一种超薄单晶硅片烧结治具包括加工槽，加工槽两端固定有挡块，所述的加工槽截面为V形。本实用新型的超薄单晶硅片烧结治具，改变了治具的形状，将现有技术中平面的加工槽改为V形加工槽，使硅片在烧结过程中与治具完全贴合，受热均匀。
【IPC分类】H01L21/683, H01L21/67
【公开号】CN205319125
【申请号】CN201521043193
【发明人】余图斌, 贺贤汉, 石田谦一, 李传玉
【申请人】上海申和热磁电子有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2015年12月15日