电容器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电容器。
【背景技术】
[0002]电容器是一种容纳电荷的器件。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一。在控制装置中为有效传输或转变电能，提高其功率因数，通常要使用到电容器。在现有技术中，电容器是由外壳和电容芯子构成，其中，芯子置于外壳内，电、容芯子在工作过程中产生的热量通过接线端子和外壳散热。而由于散热效果不够良好，电容器在长时间高温情况下很容易发生热老化现象，从而严重影响电容器实用寿命，因此电容器的散热问题也越来越引起人们的重视。。
【实用新型内容】
[0003]为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种电容器，其目的是改进电容器的结构，有助于电容器散热，延长电容器的使用寿命。
[0004]—种电容器，其包括正箔和负箔，所述的正箔与负箔之间设置有一电解质层，所述的正箔上设置有一个正导针，所述的负箔上设置有一个负导针;所述的电解质层设置有第一面及第二面，所述的第一面叠合于正箔的下表面，所述的第二面得叠合于负箔的上表面。
[0005]优选的，所述的电解质层为两层电解质纸卷制而成。
[0006]优选的，所述的负导针与负箔的铆接处以及正导针与正箔的铆接处均粘帖有高温导电胶带。
[0007]本实用新型提供的一种电容器，其有益效果在于:将电容器的电解质层设置为平行层状结构，增大了电解质层的散热面积，有助于电容器的散热。特别的将所述的电解质层为电解质纸，其表面散热性能更佳。通过在负导针和正导针的内侧粘帖高温导电胶带，增加铆接点的接触面积，起到有效杜绝外力的作用，防止由于铆接点松动，导致电容器电性能下降;而且能够通过粘帖高温导电胶带增加铆接点的接触面积，起到分散电流的作用，提高其的耐击穿和耐纹波电流的能力，延长其的使用寿命。
【附图说明】
[0008]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0009]附图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0011]本实施例如图1所示，
[0012]一种电容器，其包括正箔I和负箔2，所述的正箔I与负箔2之间设置有一电解质纸3，所述的正箔I上设置有一个正导针4，所述的负箔2上设置有一个负导针5;所述的电解质纸3设置有第一面及第二面，所述的第一面叠合于正箔I的下表面，所述的第二面叠合于负箔2的上表面，所述的负导针5与负箔2的铆接处以及正导针4与正箔I的铆接处均粘帖有高温导电胶带6。
[0013]本实施例中将电容器的电解质层设置为平行层状结构，增大了电解质层的散热面积，有助于电容器的散热。特别的将所述的电解质层为电解质纸，为两层卷制而成，其表面散热性能更佳。通过在负导针和正导针的内侧粘帖高温导电胶带，增加铆接点的接触面积，起到有效杜绝外力的作用，防止由于铆接点松动，导致电容器电性能下降；而且能够通过粘帖高温导电胶带增加铆接点的接触面积，起到分散电流的作用，提高其的耐击穿和耐纹波电流的能力，延长其的使用寿命。
[0014]本实用新型所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种电容器，其特征在于，其包括正箔和负箔，所述的正箔与负箔之间设置有一电解质层，所述的正箔上设置有一个正导针，所述的负箔上设置有一个负导针;所述的电解质层设置有第一面及第二面，所述的第一面叠合于正箔的下表面，所述的第二面得叠合于负箔的上表面。2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述的电解质层为两层电解质纸卷制而成。3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述的负导针与负箔的铆接处以及正导针与正箔的铆接处均粘帖有高温导电胶带。
【专利摘要】本实用新型提供一种电容器，将电容器的电解质层设置为平行层状结构，增大了电解质层的散热面积，有助于电容器的散热。特别的将所述的电解质层为电解质纸，其表面散热性能更佳。通过在负导针和正导针的内侧粘帖高温导电胶带，增加铆接点的接触面积，起到有效杜绝外力的作用，防止由于铆接点松动，导致电容器电性能下降；而且能够通过粘帖高温导电胶带增加铆接点的接触面积，起到分散电流的作用，提高其的耐击穿和耐纹波电流的能力，延长其的使用寿命。
【IPC分类】H01G9/012, H01G9/025, H01G9/15, H01G9/07
【公开号】CN205335087
【申请号】CN201620082126
【发明人】张志兵
【申请人】江苏柏林大通电子科技有限公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2016年1月27日