一种芯片级led基板的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种芯片级LED基板，它涉及LED技术领域。树脂基座上设置有一对对称设置的引线框架，引线框架底侧面和外侧面上均设置有凹陷状沟槽，树脂基座包括树脂基座上半部和树脂基座下半部，所述树脂基座上半部覆盖在引线框架的上侧面上并和引线框架围成一个反射碗杯，所述的反射碗杯的深度为0.05mm?0.10mm，且所述引线框架的上表面有0.15mm?0.20mm的宽度树脂露于所述反射碗杯底部，并将反射碗杯底部区域对等分割，树脂下半部填充于引线框架之间的间隙以及所述沟槽内，并从引线框架的外侧面将引线框架包裹。采用环氧树脂和硅树脂的材料与镀银引线架进行模压封装。其封装结构耐高温、耐湿热，降低封装成本。
【专利说明】
一种芯片级LED基板
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及一种芯片级LED基板，属于LED技术领域。
【背景技术】
[0002]现今，陶瓷基板作为电子工业中常用的基材，因其机械、热、电性能高，被广泛应用于LED封装行业，目前在芯片级LED封装行业，利用陶瓷基板的优良的导热性，高强度，低膨胀系数的特性可大大缩短了芯片与外界的散热时间，来实现芯片级封装器材的高信耐度工作。
[0003]目前芯片级封装采用的基板大多为氮化铝陶瓷基板，且多为平面基板，由于荧光胶与陶瓷基板模压结合属于平面结合，且力度咬合不够，易造成荧光胶脱落或剥离，影响产品的气密性。再者在价格方面氧化铝陶瓷基板是传统氧化铝基板的两倍，且氮化铝陶瓷基板在生产工艺上也是相当复杂的:由于氮化铝在常压下无熔点，为难烧结性物质，故制作过程中需在氮化铝粉末中添加氧化钇的有机粘合剂，用制作氧化铝陶瓷相同的方法一刮膜流延法成型，迭片，脱粘合剂，在氮气1800°C附近常压烧结完成。由于氮化铝陶瓷基板的生产制作需具备特殊技术要求，加上设备投资大，制作工艺复杂，成本居高不下，导致在CSP封装行业还无法实现大规模产业化生产。
【发明内容】
[0004]针对上述问题，本实用新型要解决的技术问题是提供一种芯片级LED基板。
[0005]本实用新型芯片级LED基板，它包含包括树脂基座1、引线框架2、凹陷状沟槽3和反射碗杯4，树脂基座I上设置有一对对称设置的引线框架2，
[0006]所述的引线框架2底侧面2-1和外侧面2-2上均设置有凹陷状沟槽3，所述树脂基座I包括树脂基座上半部1-1和树脂基座下半部1-2，所述树脂基座上半部1-1覆盖在引线框架2的上侧面2-3上并和引线框架2围成一个反射碗杯4，所述的反射碗杯4的深度为0.05mm-
0.10mm，且所述引线框架2的上表面有0.15mm-0.20mm的宽度树脂a露于所述反射碗杯4底部，并将反射碗杯4底部区域对等分割，所述树脂下半部1-2填充于引线框架2之间的间隙以及所述沟槽3内，并从引线框架2的外侧面2-2将引线框架2包裹。
[0007]作为优选，所述引线框架2的外侧面2-2露于反射碗杯4底部除0.15mm
[0008]-0.20mm宽度树脂a之外的部分以及底侧面2-1中的露于树脂基座I之外的部分设置有镀银层。
[0009]作为优选，所述的树脂基座I选用的材质为耐热型不饱和环氧树脂或硅树脂。
[0010]作为优选，所述的引线框架2为铜或者铜合金材料制成制成，且引线框架2的表面全镀银。
[0011 ]本实用新型的有益效果:它能克服现有技术的弊端，结构设计新颖合理，采用环氧树脂和硅树脂的材料与镀银引线架进行模压封装。其封装结构耐高温、耐湿热，提高了气密性，同时降低了封装成本。
[0012]【附图说明】:
[0013]为了易于说明，本实用新型由下述的具体实施及附图作以详细描述。
[0014]图1为本实用新型的立体结构不意图；
[0015]图2为本实用新型侧视图；
[0016]图3为本实用新型俯视图；
[0017]图4为本实用新型的背面结构示意图；
[0018]图5为本实用新型中引线框架立体结构示意图；
[0019]图6为本实用新型中引线框架的底部结构示意图。
[0020]【具体实施方式】:
[0021 ]如图1-6所示，本【具体实施方式】采用以下技术方案:它包含包括树脂基座1、引线框架2、凹陷状沟槽3和反射碗杯4，树脂基座I上设置有一对对称设置的引线框架2，所述的引线框架2底侧面2-1和外侧面2-2上均设置有凹陷状沟槽3，所述树脂基座I包括树脂基座上半部1-1和树脂基座下半部1-2，所述树脂基座上半部1-1覆盖在引线框架2的上侧面2-3上并和引线框架2围成一个反射碗杯4，所述的反射碗杯4的深度为0.05mm-0.10mm，且所述引线框架2的上表面有0.15mm-0.20mm的宽度树脂a露于所述反射碗杯4底部，并将反射碗杯4底部区域对等分割，所述树脂下半部1-2填充于引线框架2之间的间隙以及所述沟槽3内，并从引线框架2的外侧面2-2将引线框架2包裹。
[0022]作为优选，所述引线框架2的外侧面2-2露于反射碗杯4底部除0.15mm
[0023]-0.20mm宽度树脂a之外的部分以及底侧面2-1中的露于树脂基座I之外的部分设置有镀银层。
[0024]作为优选，所述的树脂基座I选用的材质为耐热型不饱和环氧树脂或硅树脂。
[0025]作为优选，所述的引线框架2为铜或者铜合金材料制成制成，且引线框架2的表面全镀银。
[0026]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种芯片级LED基板，其特征在于:它包含包括树脂基座(1)、引线框架(2)、凹陷状沟槽(3)和反射碗杯(4)，树脂基座(I)上设置有一对对称设置的引线框架(2)，所述的引线框架(2)底侧面(2-1)和外侧面(2-2)上均设置有凹陷状沟槽(3)，所述树脂基座(I)包括树脂基座上半部(1-1)和树脂基座下半部(1-2)，所述树脂基座上半部(1-1)覆盖在引线框架(2)的上侧面(2-3)上并和引线框架(2)围成一个反射碗杯(4)，所述的反射碗杯(4)的深度为0.05mm-0.1 Omm，且所述弓I线框架(2)的上表面有0.15mm-0.20mm的宽度树脂(a)露于所述反射碗杯(4)的底部，并将反射碗杯(4)底部区域对等分割，所述树脂下半部(1-2)填充于引线框架(2)之间的间隙以及所述沟槽(3)内，并从引线框架(2)的外侧面(2-2)将引线框架(2)包裹。2.按照权利要求1所述的一种芯片级LED基板，其特征在于:所述引线框架(2)的外侧面(2-2)露于反射碗杯(4)底部除0.15mm-0.20mm宽树脂(a)外的部分以及底侧面(2-1)中的露于树脂基座(I)之外的部分设置有镀银层。3.按照权利要求1所述的一种芯片级LED基板，其特征在于:所述的树脂基座(I)选用的材质为耐热型不饱和环氧树脂或硅树脂。4.按照权利要求1所述的一种芯片级LED基板，其特征在于:所述的引线框架(2)为铜或者铜合金材料制成，且引线框架(2)的表面全镀银。
【文档编号】H01L33/48GK205428997SQ201620006044
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年1月7日
【发明人】李俊东, 柳欢, 张仲元, 张建敏, 其他发明人请求不公开姓名
【申请人】深圳市斯迈得半导体有限公司