横向半导体装置的制造方法
【专利摘要】横向半导体装置。本实用新型以低成本提供能够防止电流集中的产生的横向半导体装置。所述横向半导体装置设置于具有相互面对的第1主面和第2主面的半导体衬底上，该横向半导体装置具有：第1导电型的漂移区；所述第1导电型的漏区；第2导电型的基区；所述第1导电型的源区；漏电极，其与所述漏区电连接；源电极，其与所述源区电连接；以及栅电极，其隔着栅绝缘膜设置于被所述源区和所述漏区夹着的所述基区上方，在俯视时所述源电极的内缘长度比所述漏电极的外缘长度长的部位，在所述源区和所述源电极之间的至少一部分处具有绝缘区。
【专利说明】
横向半导体装置
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及设置于半导体衬底的横向半导体装置。
【背景技术】
[0002]专利文献I公开了一种横向半导体装置，其具有多个金属层和接触盘，所述多个金属层设置于有源区域的正上方，该有源区域中设置有横向晶体管，所述接触盘为了连接线材而在多个金属层的每个金属层上分别设有一个。多个金属层的面积从离外部的连接部件近的一侧的金属层到离外部的连接部件远的金属层，依次减小。以往的横向半导体装置通过调整金属层的面积来使流过横向晶体管的电流密度均匀，因此能够防止在横向半导体装置内发生电流集中。
[0003]【专利文献1】:CN101174626A
[0004]然而，以往的横向半导体装置需要在多个金属层各自上设置接合盘并连接线材。因此，以往的横向半导体装置可能会由于线材的数量和芯片面积导致成本增大。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型以低成本提供一种能够防止电流集中的产生的横向半导体装置。
[0006]本实用新型提供一种横向半导体装置，其设置于具有相互面对的第I主面和第2主面的半导体衬底上，该横向半导体装置的特征在于，所述横向半导体装置具有:第I导电型的漂移区，其设置于所述半导体衬底内的所述第I主面侧;所述第I导电型的漏区，其设置于所述漂移区内的所述第I主面侧;第2导电型的基区，其设置于所述漂移区内的所述第I主面侧;所述第I导电型的源区，其设置于所述基区内的所述第I主面侧，并且以俯视时包围所述漏区的方式设置;漏电极，其与所述漏区电连接;源电极，其与所述源区电连接；以及栅电极，其隔着栅绝缘膜设置于被所述漏区和所述源区夹着的所述基区上方，在俯视时所述源电极的内缘长度比所述漏电极的外缘长度长的部位，在所述源区和所述源电极之间的至少一部分处具有绝缘区。
[0007]根据本实用新型，能够以低成本提供一种防止电流集中的产生的横向半导体装置。
【附图说明】
[0008]图1是表示本实用新型的实施例的半导体装置的结构的俯视图。
[0009]图2是表示本实用新型的实施例的半导体装置的结构的截面图。
[0010]图3是表示本实用新型的变形例的半导体装置的结构的截面图。
[0011 ]图4是表示本实用新型的变形例的半导体装置的结构的截面图。
[0012]标号说明
[0013]1:半导体衬底;2:漂移区；3:半导体区；4:漏区；5:基区;6:源区；7:栅绝缘膜;8:绝缘膜;9:绝缘区；10:第I主面;11:第2主面;D:漏电极;S:源电极;G:栅电极。
【具体实施方式】
[0014]接着，参照附图来说明本实用新型的实施方式。在以下的附图的记载中，对相同或者类似的部分标注相同或者类似的标号。但是，应该注意到附图只是示意性的。另外，以下所示的实施方式是对用于使该实用新型的技术思想具体化的装置或方法进行例示，该实用新型的实施方式不使构成部件的结构、配置等限定为以下示例。该实用新型的实施方式能够在请求保护的范围内施加各种改变。
[0015]图1?图4是表示本实用新型的实施例的横向半导体装置的结构的俯视图和截面图。图2是图1的a_a截面图，图3是图1的b_b截面图，图4是图1的b_b截面图。
[0016]本实施例的横向半导体装置是设置于半导体衬底I的横向半导体装置，该横向半导体装置具有漂移区2、漏区4、基区5、源区6、源电极S、漏电极D以及栅电极G。另外，本实施例的横向半导体装置在俯视时源电极的内缘长度比漏电极的外缘长度长的部位，在源区6和源电极S之间具有绝缘区9。
[0017]在俯视时源电极S的内缘和漏电极D的外缘为直线状即二者长度相等的部位处，横向半导体装置如图2所示那样构成。半导体衬底I具有相互面对的第I主面10和第2主面11。半导体衬底I具有漂移区2、半导体区3、漏区4、基区5以及源区6。漂移区2是以露出于半导体衬底I的第I主面10侧的方式设置的η型的半导体区。半导体区3是以露出于半导体衬底I的第2主面11侧的方式设置的P型的半导体区。漏区4是以露出于漂移区2内的第I主面10侧的方式设置的η型的半导体区。基区5是以露出于漂移区2内的第I主面10侧的方式设置的P型的半导体区。另外，基区5介于漏区4和源区6之间。源区6是以露出于基区5内的第I主面10侧，并且俯视时包围漏区4的方式设置的η型的半导体区。
[0018]漏电极D是横向半导体装置的与漏区4电连接的主电极。源电极S是横向半导体装置的与基区5和源区6电连接的主电极。栅电极G是横向半导体装置的控制电极，其隔着栅绝缘膜7至少设置于被漏区4和源区6夹着的基区5上方。栅绝缘膜7至少设置于基区5的第I主面10上。漏电极D、源电极S以及栅电极G隔着绝缘膜8而相互绝缘。通过这样的结构，在对栅电极G施加规定的电压后，横向半导体装置成为导通状态，能够从漏电极D向源电极S流过电流。
[0019]俯视时，在源电极S的内缘和漏电极D的外缘为圆弧状，即源电极S的内缘长度比漏电极D的外缘长度长的部位，横向半导体装置如图3所示那样构成。即，横向半导体装置具有由ρη结形成的绝缘区9，所述ρη结由基区5和源区6构成。在该部位，源电极S不与源区6电连接，而是与基区5电连接。
[0020]通过这样的结构，在对栅电极G施加规定的电压后，欲从漏电极D流向源电极S的电流被作为绝缘区9的ρη结阻止。另外，在横向半导体装置的制造工艺中，可通过调整绝缘膜8和源电极S的图案容易地形成绝缘区9。因此，本实施例的横向半导体装置能够以低成本在容易发生电流集中的圆弧部分处，通过限制电流路径来防止电流集中。
[0021]源电极S也可以如图4那样构成为:与源区6和基区5的任意一个都不电连接。通过这样的结构，欲从漏电极D流向源电极S的电流被作为绝缘区9的绝缘膜8阻止。因此，能够获得与上述相同的作用效果。
[0022]如上，通过实施方式对本实用新型进行了说明，但应理解到，构成上述公开的一部分的论述和附图并不对本实用新型进行限制。对于本领域技术人员而言，从该公开能够得到各种替代的实施方式、实施例以及运用技术，这是显而易见的。即，本实用新型当然包括未在此记载的各种实施方式等。因此，本实用新型的技术范围仅由基于上述说明而得到的适当的请求保护的范围所涉及的实用新型特定事项来确定。
[0023]例如，也可以在半导体衬底I上设置横向晶体管以外的元件(二极管、CMOS)。或者，俯视时，在源电极S的内缘长度比漏电极D的外缘长度长的部位，可以整面地设置绝缘区9，也可以沿着源电极S的内缘局部地设置绝缘区9。
【主权项】
1.一种横向半导体装置，其设置于具有相互面对的第I主面和第2主面的半导体衬底上，该横向半导体装置的特征在于， 所述横向半导体装置具有: 第I导电型的漂移区，其设置于所述半导体衬底内的所述第I主面侧； 所述第I导电型的漏区，其设置于所述漂移区内的所述第I主面侧； 第2导电型的基区，其设置于所述漂移区内的所述第I主面侧； 所述第I导电型的源区，其设置于所述基区内的所述第I主面侧，以俯视时包围所述漏区的方式设置； 漏电极，其与所述漏区电连接； 源电极，其与所述源区电连接；以及 栅电极，其隔着栅绝缘膜设置于被所述源区和所述漏区夹着的所述基区上方， 在俯视时所述源电极的内缘长度比所述漏电极的外缘长度长的部位，在所述源区和所述源电极之间的至少一部分处具有绝缘区。2.根据权利要求1所述的横向半导体装置，其特征在于， 所述绝缘区由pn结构成。3.根据权利要求2所述的横向半导体装置，其特征在于， 所述pn结由所述基区和所述源区构成。4.根据权利要求1所述的横向半导体装置，其特征在于， 所述绝缘区由绝缘膜的一部分构成。
【文档编号】H01L29/78GK205452290SQ201620214759
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年3月21日
【发明人】金井谦, 盐津兴, 盐津兴一
【申请人】三垦电气株式会社