引线框架及采用该引线框架的封装体的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种引线框架及采用该引线框架的封装体，所述引线框架包括多个框架单元，每一框架单元可在封装切割后形成独立的封装体，每一框架单元的封装线与相邻的框架单元的封装线之间为切割道，每一框架单元的至少一金属连筋在封装线与切割道相接的位置，具有半蚀刻结构。本实用新型的优点在于，每一框架单元的至少一金属连筋在封装线与切割道相接的位置，具有半蚀刻结构，在保证引脚外观不变的情况下使得切割处金属的厚度变薄，进而减少了切割时引脚的金属毛刺，提高产品良率。
【专利说明】
引线框架及采用该引线框架的封装体
技术领域
[0001] 本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种用于半导体封装的引线框架及采 用该引线框架的封装体。
【背景技术】
[0002] 现有的半导体封装结构要求封装体尺寸小，占用空间小，而在一个封装体中又会 包括多个芯片，因此，封装空间需要被充分利用。图1是现有的一种用于扁平无引脚封装的 引线框架的结构示意图。参见图1，所述引线框架包括多个框架单元11，每一框架单元11在 后续封装切割后形成独立的封装单元，图1中采用虚线示意性地标示出后续封装工艺的封 装线10的位置。每一框架单元11包括两个放置芯片的芯片贴装部12及多个连接至框体13上 的引脚14。在封装线转角处的引脚14(如图中箭头所示)会有两个相邻的面暴露于所述封装 线之外。
[0003] 该种引线框架存在如下缺点：
[0004] (1)由于引脚14与框体13采用金属连接，进行封装体切割时，在引脚14的金属断裂 面会出现金属毛刺，特别是在封装线转角处的引脚14的金属断裂面上，金属毛刺尤为明显， 金属毛刺在终端用户应用中会引起短路。
[0005] (2)为了保证切割品质，框体13均为半蚀刻(半蚀刻区域采用阴影线标示出）。从而 会导致框体13强度较弱，在焊线时可能会出现焊线不稳或断裂(NS0L/NS0P)等情况。
[0006] 因此，亟需一种克服上述问题的引线框架。 【实用新型内容】
[0007] 本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种引线框架及采用该引线框架的封装 体，其能够减少了切割时引脚的金属毛刺，提尚广品良率。
[0008] 为了解决上述问题，本实用新型提供了一种引线框架，包括多个框架单元，每一框 架单元可在封装切割后形成独立的封装体，每一框架单元的封装线与相邻的框架单元的封 装线之间为切割道，每一框架单元的至少一金属连筋在封装线与切割道相接的位置，具有 半蚀刻结构。
[0009] 进一步，所述半蚀刻结构采用引线框架下面半蚀刻结构，以减少金属连筋在封装 线位置的金属。
[0010]进一步，所述半蚀刻结构采用引线框架上面半蚀刻结构，以减少金属连筋在封装 线位置的金属。
[0011] 进一步，所述金属连筋位于两相邻所述封装线的转角，所述金属连筋包括一第一 连接部及一第二连接部。
[0012] 进一步，所述第一连接部与第二连接部蚀刻方向不同。
[0013] 进一步，所述引线框架单元还包括多个全金属部，每一所述金属连筋至少与一全 金属部连接，所述全金属部用于与芯片电连接。
[0014]进一步，每一引线框架单元之间通过框体连接，所述框体为全金属结构。
[0015] 进一步，每一所述框架单元的封装线至所述框体的距离范围为0.075mm~0.12mm。
[0016] 进一步，所述框体的宽度范围为0.06mm~0.18mm。
[0017] 本实用新型还提供一种封装体，在所述封装体中，至少包括一金属连筋:在与封装 体边缘相接的位置所述金属连筋具有半蚀刻结构。
[0018] 进一步，所述封装体中所有所述金属连筋均在与封装体边缘相接的位置具有半蚀 刻结构。
[0019]进一步，所述金属连筋采用引线框架上面半蚀刻。
[0020] 进一步，所述金属连筋采用引线框架下面半蚀刻。
[0021] 进一步，所述金属连筋位于所述封装体相邻两侧的转角，所述金属连筋包括一第 一连接部及一第二连接部。
[0022] 进一步，所述第一连接部与第二连接部采用不同方向蚀刻。
[0023] 进一步，在所述封装体中，至少包括一全金属部，一所述金属连筋与一所述全金属 部连接，所述全金属部用于与芯片电连接。
[0024] 本实用新型的优点在于，每一框架单元的至少一金属连筋在封装线与切割道相接 的位置，具有半蚀刻结构，在保证需要与外部结构接触的金属连筋的外观不变的情况下使 得切割道的切割处的金属厚度变薄，减少了切割处金属含量，进而减少了切割时产生的引 脚的金属毛刺，提尚广品良率。
【附图说明】
[0025] 图1是现有的引线框架的结构示意图；
[0026] 图2是本实用新型引线框架的结构示意图；
[0027] 图3是本实用新型封装体的底面示意图；
[0028]图4是本实用新型封装体的俯视不意图；
[0029] 图5是本实用新型封装体的右视示意图。
【具体实施方式】
[0030] 下面结合附图对本实用新型提供的引线框架及采用该引线框架的封装体的具体 实施方式做详细说明。
[0031] 参见图2,本实用新型引线框架包括多个框架单元21，每一框架单元21可在封装切 割后形成独立的封装体。每一框架单元21的封装线20与相邻的框架单元21的封装线20之间 为切割道31。在图2中采用虚线示意性地标示出后续封装工艺的封装线20的位置。在后续工 艺中，切割装置可沿所述切割道31切割包含所述引线框架的封装结构，从而形成封装体。 [0032]每一框架单元21的至少一金属连筋32在封装线20与切割道31相接的位置具有半 蚀刻结构。在本【具体实施方式】中，所述金属连筋32为引脚。例如，所述金属连筋32包括至少 一个设置于封装转角的第一引脚22及至少一个设置于封装非转角的第二引脚23。
[0033]所述半蚀刻结构采用引线框架下面半蚀刻结构或引线框架上面半蚀刻结构，以减 少金属连筋32在封装线20位置的金属。所述框架下面半蚀刻金属指的是从引线框架底部蚀 刻引线框架，保留剩余未蚀刻部分，以形成框架下面半蚀刻金属，所述框架上面半蚀刻金属 指的是从引线框架顶部蚀刻引线框架，保留未蚀刻部分，以形成框架上面半蚀刻金属。
[0034]每一框架单元21还包括至少一芯片贴装部28。在本【具体实施方式】中，每一所述框 架单元21包括两个芯片贴装部28,在每一所述框架单元21的两相对的封装转角上分别具有 一个第一引脚22,在封装非转角上具有六个第二引脚23。
[0035] 所述第一引脚22包括一第一连接部221及一第二连接部222。所述第一连接部221 的一端及第二连接部222的一端分别连接至所述引线框架的框体29的两相邻边。所述第一 连接部221及第二连接部222为独立的个体，其彼此之间并不直接连接。设置于封装转角的 第一引脚22采用第一连接部221与第二连接部222连接至框体29的两相邻边上，可有效避免 金属毛刺的广生，提尚广品良率。
[0036] 所述第一连接部221及第二连接部222的结构为框架下面半蚀刻金属或框架上面 半蚀刻金属，在图2中，框架下面半蚀刻金属采用阴影线示意性地标示出，框架上面半蚀刻 金属采用圆点示意性标示出。所述第一连接部221及第二连接部222的蚀刻方向可以相同， 也可以不同，在本【具体实施方式】中，所述第一连接部221为框架下面半蚀刻金属，所述第二 连接部222为框架上面半蚀刻金属。
[0037] 所述引线框架单元还包括多个全金属部(附图中未标示），每一所述金属连筋32至 少与一全金属部连接，所述全金属部用于与后续贴装的芯片(附图中未标示）电连接。例如， 所述全金属部包括第一引脚全金属部223及第二引脚全金属部231。所述第一连接部221的 另一端及一第二连接部222的另一端分别与第一引脚全金属部223连接，所述第一引脚全金 属部223用于与芯片贴装部28上后续贴装的芯片电连接，例如，通过打线的方式，采用金属 引线将所述第一引脚全金属部223与芯片电连接。
[0038]所述第二引脚23的一端直接与框体29连接，所述第二引脚23的结构可以为框架下 面半蚀刻金属或框架上面半蚀刻金属。在本【具体实施方式】中，所述第二引脚23的结构为框 架下面半蚀刻金属。所述第二引脚23的另一端与一第二引脚全金属部231连接，所述第二引 脚全金属部231用于与芯片贴装部28上后续贴装的芯片电连接，例如，通过打线的方式，采 用金属引线将所述第二引脚全金属部231与芯片电连接。
[0039] 本实用新型引线框架通过框架上面半蚀刻金属或框架下面半蚀刻金属的方法，保 证了在封装线20位置的需要与外部结构连接的金属连筋32的外观不变的情况下，减少切割 道31的金属含量，进一步减少后续切割时金属毛刺的产生。对所述引线框架的金属连筋32 采用框架上面半蚀刻的方法可保证在后续进行封装后，封装体底部裸露的金属连筋32与现 有技术中的没有采用半蚀刻处理的金属连筋的形状相同，不会影响封装体裸露出的金属连 筋的外观。
[0040] 进一步参见图2所示，所述切割道31的宽度A为相邻两个框架单元21的封装线20之 间的距离。所述金属连筋32采用半蚀刻结构，而没有采用全金属结构，降低了切割道31内切 割处的金属量，进一步减少了金属毛刺的产生。
[0041] 进一步，所述引线框架的框体29的结构为全金属，其没有进行蚀刻。全金属的框体 29可进一步增强所述引线框架的强度，提高引线框架的稳定性。所述框体29的宽度B范围为 0.06mm~0 · 18mm，例如：0 · 07mm、0 · 08mm、0 · 09mm、0 · 10mm、0 · llmm、0 · 12mm、0 · 13mm、0 · 14mm、 0· 15mm、0· 16mm、0· 17mm。在现有技术中，框体29的宽度要大于0· 18mm，因此，本实用新型引 线框架的框体29的宽度小于现有的引线框架的框体的宽度。虽然本实用新型框体29采用全 金属结构，但是其宽度B降低，因此，对切割的影响很小，同时能够大大增强引线框架的稳定 性，使得形成一个类似全金属框连接每一框架单元21，进而使得在焊接线时几乎没有打线 故障的报警。
[0042]所述引线框架的框体29的宽度的降低进一步增大了金属连筋32与框体29连接的 距离，进而降低了切割道内的金属量，减少了金属毛刺的产生。每一所述框架单元21的封装 线 20 至所述框体 29 的距离范围为0.075mm ~0.12mm。例如:0.08mm、0.09mm、0.1 Omm、0 · 11mm。
[0043] 参见图3、图4及图5,本实用新型一种封装体采用上述的引线框架，所述引线框架 的结构参见图2。
[0044] 在所述封装体中至少包括一金属连筋32,在与封装体边缘相接的位置所述金属连 筋32具有半蚀刻结构。所述半蚀刻结构采用引线框架下面半蚀刻结构或引线框架上面半蚀 刻结构，以减少金属连筋32在封装线20位置的金属。所述框架下面半蚀刻金属指的是从引 线框架底部蚀刻引线框架，保留剩余未蚀刻部分，以形成框架下面半蚀刻金属，所述框架上 面半蚀刻金属指的是从引线框架顶部蚀刻引线框架，保留未蚀刻部分，以形成框架上面半 蚀刻金属。
[0045] 在与封装体边缘相接的位置所述金属连筋32具有第一金属厚度，所述第一金属厚 度小于封装体内远离封装体边缘位置的至少一金属的厚度，从而减少切割道31内切割处的 金属含量，进一步减少切割封装体时金属毛刺的产生。在本【具体实施方式】中，所述金属连筋 32为引脚，所述金属连筋32包括至少一个设置于封装转角的第一引脚22及至少一个设置于 封装非转角的第二引脚23。以第二引脚23为例，在与封装体边缘相接的位置所述第二引脚 23具有第一金属厚度，而在封装体内远离封装体边缘位置，所述第二引脚23与第二引脚全 金属部231连接，由于在与封装体边缘相接的位置所述第二引脚23具有半蚀刻结构，而在封 装体内部远离封装体边缘位置，所述第二引脚全金属部231没有进行蚀刻，所以，所述第一 金属厚度小于所述第二引脚全金属部231的金属厚度，从而减少切割道31内切割处的金属 含量，进一步减少切割封装体时金属毛刺的产生。
[0046] 所述第一引脚22包括一第一连接部221及一第二连接部222。所述第一连接部221、 第二连接部222及第二引脚23分别裸露于所述封装体30相邻的两个侧面。在本具体实施方 式中，所述第一连接部221为框架下面半蚀刻金属，所述第二连接部222为框架上面半蚀刻 金属，所述第二引脚23的结构为框架下面半蚀刻金属。因此，参见图3,在所述封装体30的底 面，所述第一引脚22全金属部223及第二引脚全金属部231及第一引脚的第二连接部222裸 露于封装体30底面;参见图4及图5,所述第二引脚23及第一引脚的第一连接部221裸露于所 述封装体30的一个侧面，所述第二引脚23及第一引脚的第二连接部222裸露于所述封装体 30的相邻的另一个侧面。封装体地面及侧面裸露的金属连筋32与现有技术中的没有采用半 蚀刻处理的封装体裸露的金属连筋的位置及数量等相同，不会影响封装体裸露出的金属连 筋的外观，从而不会影响封装体后续的使用。
[0047] 下面列举采用本实用新型引线框架制成的封装体的一组数据，以进一步说明本实 用新型的优点。
[0048] 表1所示为采用本实用新型引线框架焊线，测试了一万个产品，打线异常报警 (NS0P/NS0L)没有出现一个，引线框架强度得到了非常大的改善。
[0049] 表 1
[0051] 表2所示是采用本实用新型引线框架的封装体的毛刺测量，毛刺测量平均值在18μ m~19μπι，同时从外观看毛刺几乎没有。
[0052] 表 2
[0053]
[0054] 以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技 术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰 也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1. 一种引线框架，包括多个框架单元，每一框架单元可在封装切割后形成独立的封装 体，每一框架单元的封装线与相邻的框架单元的封装线之间为切割道，其特征在于，每一框 架单元的至少一金属连筋在封装线与切割道相接的位置，具有半蚀刻结构。2. 根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述半蚀刻结构采用引线框架下面半 蚀刻结构，以减少金属连筋在封装线位置的金属。3. 根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述半蚀刻结构采用引线框架上面半 蚀刻结构，以减少金属连筋在封装线位置的金属。4. 根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述金属连筋位于两相邻所述封装线 的转角，所述金属连筋包括一第一连接部及一第二连接部。5. 根据权利要求4所述的引线框架，其特征在于，所述第一连接部与第二连接部蚀刻方 向不同。6. 根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述引线框架单元还包括多个全金属 部，每一所述金属连筋至少与一全金属部连接，所述全金属部用于与芯片电连接。7. 根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，每一引线框架单元之间通过框体连 接，所述框体为全金属结构。8. 根据权利要求7所述的引线框架，其特征在于，每一所述框架单元的封装线至所述框 体的距离范围为0.075mm~0.12_。9. 根据权利要求7所述的引线框架，其特征在于，所述框体的宽度范围为0.06mm~ 0.18mm〇10. -种封装体，其特征在于，在所述封装体中，至少包括一金属连筋:在与封装体边缘 相接的位置所述金属连筋具有半蚀刻结构。11. 根据权利要求10所述的封装体，其特征在于，所述封装体中所有所述金属连筋均在 与封装体边缘相接的位置具有半蚀刻结构。12. 根据权利要求10所述的封装体，其特征在于，所述金属连筋采用引线框架上面半蚀 刻。13. 根据权利要求10所述的封装体，其特征在于，所述金属连筋采用引线框架下面半蚀 刻。14. 根据权利要求10所述的封装体，其特征在于，所述金属连筋位于所述封装体相邻两 侧的转角，所述金属连筋包括一第一连接部及一第二连接部。15. 根据权利要求14所述的封装体，其特征在于，所述第一连接部与第二连接部采用不 同方向蚀刻。16. 根据权利要求10所述的封装体，其特征在于，在所述封装体中，至少包括一全金属 部，一所述金属连筋与一所述全金属部连接，所述全金属部用于与芯片电连接。
【文档编号】H01L23/495GK205488116SQ201620237627
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年3月25日
【发明人】吴平丽, 孙闫涛, 陈文葛
【申请人】上海凯虹科技电子有限公司, 上海凯虹电子有限公司, 达迩科技（成都）有限公司