塑封gbpc整流桥的制作方法

文档序号:10824990阅读:491来源:国知局
塑封gbpc整流桥的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种塑封GBPC整流桥,其包括整流组件,所述整流组件包括引线框架、四个背面焊接在所述引线框架上的整流二极管芯片以及四根引线跳线,所述整流二极管芯片和所述引线框架通过所述引线跳线连接形成闭合的整流线路;以及环氧塑封体,所述环氧塑封体压塑包裹于所述整流二极管芯片、所述引线框架和所述引线跳线外围。本实用新型采用压塑的环氧料塑封体将所述引线框架、所述整流二极管芯片和所述引线跳线包裹密封,起到更好的保护作用,所述塑封GBPC整流桥的散热性能和密封性能得到有效提高,进而使得可靠性和稳定性得到优化。
【专利说明】
塑封GBPC整流桥
技术领域
[0001 ]本实用新型属于半导体器件技术领域,具体涉及一种塑封GBPC整流桥。
【背景技术】
[0002]GBPC整流桥(方形通用封装整流桥)的核心为可将交流电转换成直流电的整流组件,整流组件一般包括引线框架和两正两反焊接在引线框架上的四个整流二极管芯片,弓丨线框架上连出四根引线与电路连接。为保护整流组件,常规的GBPC整流桥是将整流组件安置在胶壳(比如铝底环氧树脂壳)内,并通过浇灌环氧树脂将整流组件和部分引线密封。由于浇灌环氧树脂材料本身特性限制,通过浇灌环氧树脂工艺生产的GBPC整流桥在结构和生产工艺存在以下缺陷:浇灌环氧树脂热膨胀系数大,在温度变化过程中易对产品内部整流二极管芯片产生较大热应力,进而损伤整流二极管芯片;浇灌环氧树脂密封性较差,在较恶劣的环境条件下(高温高湿、温度变化大等),不能很好的保护产品内部整流二极管芯片;浇灌环氧树脂导热性较差,内部整流二极管芯片工作时产生的热量无法快速排出,导致整流二极管芯片结温过高,影响产品使用寿命;浇灌环氧树脂产品体积较大,占用应用端较大的安装空间,不符合产品小型化发展趋势;浇灌环氧树脂产品结构较为复杂,生产良率较低;浇灌环氧树脂工艺比较繁琐,生产周期较长,成本较高。
[0003]综上所述,由于浇灌环氧树脂的热膨胀系数大、导热性和密封性不高、浇灌工艺繁琐等,导致GBPC整流桥可靠性和稳定性不尚且制造成本$父尚。
【实用新型内容】
[0004]因此,本实用新型针对现有技术中GBPC整流桥的可靠性和稳定性不高以及制造成本高的技术问题,目的在于提供一种可靠性和稳定性高且制造成本低的塑封GBPC整流桥。
[0005]本实用新型的塑封GBPC整流桥包括:
[0006]整流组件,所述整流组件包括引线框架、四个背面焊接在所述引线框架上的整流二极管芯片以及四根引线跳线,所述整流二极管芯片和所述引线框架通过所述引线跳线连接形成闭合的整流线路;以及
[0007]环氧塑封体,所述环氧塑封体压塑包裹于所述整流二极管芯片、所述引线框架和所述引线跳线外围。
[0008]所述环氧塑封体为用环氧树脂模塑料直接压塑在所述整流二极管芯片、所述引线框架和所述引线跳线外围的压塑结构,热膨胀系数小,具有较高的导热性和密封性,而且具有较高的机械强度,可更好的保护所述整流组件,使得所述塑封GBPC整流桥具有较高可靠性和稳定性,而且所述整流组件也无需预放置在胶壳内,可简化所述塑封GBPC整流桥的制造工艺同时减小所述塑封GBPC整流桥的体积。
[0009]本实用新型的一较佳实施例中,所述引线框架包括围成一周且相互隔开的四块金属板,分别为一第一金属板、两第二金属板和一第三金属板;所述第一金属板两端分别与两所述第二金属板的一端相邻,所述第三金属板两端分别与两所述第二金属板的另一端相邻;所述第一金属板两端,以及两所述第二金属板与所述第三金属板相邻的一端分别焊接有一所述整流二极管芯片;所述第一金属板上的两所述整流二极管芯片的台面分别通过一所述引线跳线与相邻的所述第二金属板连接,两所述第二金属板上的所述整流二极管芯片的台面分别通过一所述引线跳线与相邻的所述第三金属板连接。以此,所述整流二极管芯片和所述引线框架通过所述引线跳线连接形成闭合的整流线路。
[0010]本实用新型的一较佳实施例中,四块所述金属板的外侧分别连接有竖直的位于所述环氧塑封体外侧的引脚,四块所述引脚分别与四块所述金属板连为一体。与所述第一金属板和所述第三金属板连接的所述引脚为输出引脚,与所述第二金属板连接的所述引脚为输入引脚。通过输入引脚输入交流电,交流电流经所述塑封GBPC整流桥后,通过输出引脚可输出直流电。
[0011]本实用新型的一较佳实施例中,所述引线跳线为金属导电片,所述金属导电片中间段凸起成桥状。
[0012]本实用新型的一较佳实施例中,所述整流二极管芯片上喷涂有绝缘材料薄膜。
[0013]进一步的,所述引线跳线和所述引线框架上也可喷涂绝缘材料薄膜。喷涂绝缘材料薄膜可进一步的提高密封性,提高所述塑封GBPC整流桥在恶劣的环境条件下的可靠性和稳定性。
[0014]所述绝缘材料薄膜可选用硅橡胶或聚酰亚胺。
[0015]本实用新型的积极进步效果在于:本实用新型中,所述引线框架、所述整流二极管芯片和所述引线跳线上喷涂有绝缘材料薄膜并由所述环氧料塑封体压塑密封,使得所述塑封GBPC整流桥的散热性能和密封性能得到有效提高,在常规电性与原有的GBPC整流桥保持一致的同时,可靠性和稳定性得到进一步优化。另外,相比于原先的在胶壳中浇灌环氧塑树脂的工艺,所述环氧塑封体可使用环氧树脂模塑料塑封而成,制造所述塑封GBPC整流桥时不会损坏所述整流二极管芯片,制造更加简单,生产良率较高,成本更低。
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型的塑封GBPC整流桥的内部结构示意图。
[0017]图2为本实用新型的塑封GBPC整流桥的电路原理图。
[0018]图3为本实用新型的塑封GBPC整流桥的绝缘材料薄膜的示意图。
[0019]图4为本实用新型的塑封GBPC整流桥的立体示意图。
【具体实施方式】
[0020]以下将结合具体实施例和附图对本是实用新型的塑封GBPC整流桥作进一步说明。
[0021]本实用新型的一较佳实施例的塑封GBPC整流桥包括引线框架1、整流二极管芯片
2、引线跳线3、引脚4、绝缘材料薄膜5和环氧塑封体6。
[0022]图1所示为塑封GBPC整流桥的内部结构,其中引线框架I包括围成一周且相互隔开的四块金属板,分别为一块第一金属板101、两块第二金属板102和一块第三金属板103。其中第一金属板101两端分别与两块第二金属板102的一端相邻,第三金属板103两端分别与两第二金属板102的另一端相邻。引线框架I上焊接有四个整流二极管芯片2,其中两个整流二极管芯片2的背面焊接在第一金属板101的两端,另外两个整流二极管芯片2的背面分别焊接在两块第二金属板102上且位于与第三金属板103相邻的一端。引线框架I和整流二极管芯片2之间由四根引线跳线3连接,引线跳线3为中间段凸起成桥状的金属导电片,其中两根引线跳线3的一端分别与第一金属板101上的两整流二极管芯片2的台面焊接,另一端分别与相邻的第二金属板102焊接;另外两根引线跳线3的一端分别与两第二金属板102上的整流二极管芯片2的台面焊接,另一端与第三金属板103焊接。以此引线框架I和整流二极管芯片2通过引线跳线3首尾连接形成闭合的整流线路,电路原理如图2所示。
[0023]四块金属板的外侧垂直向上延伸形成四个引脚4,与第一金属板101和第三金属板103连接的引脚4为输出引脚,与第二金属板102连接的引脚4为输入引脚。
[0024]如图3所示,绝缘材料薄膜5为喷涂在引线框架1、整流二极管芯片2和引线跳线3上的硅橡胶或聚酰亚胺。
[0025]如图4所示,环氧塑封体6将喷涂有绝缘材料薄膜5的引线框架1、整流二极管芯片2和引线跳线3密封包裹并在引脚4对应的位置标记有输出和输入符号。根据图2所示的电路原理,通过输入引脚输入交流电,交流电流经塑封GBPC整流桥后,通过输出引脚可输出直流电。
[0026]由于环氧塑封体6具有较好的导热性和密封性,而绝缘材料薄膜5可进一步提升密封性能,起到更好的保护作用。经实际试验测试,本实用新型的塑封GBPC整流桥的热阻较原有的GBPC整流桥要低36 %,密封性也大大提升,使得本实用新型的塑封GBPC整流桥的可靠性和稳定性均有较大的提升,而且制造本实用新型的塑封GBPC整流桥时不会损坏整流二极管芯片2,制造更加简单,生产良率较高,成本比原有的GBPC整流桥要低。
【主权项】
1.一种塑封GBPC整流桥,其特征在于,其包括: 整流组件,所述整流组件包括引线框架、四个背面焊接在所述引线框架上的整流二极管芯片以及四根引线跳线,所述整流二极管芯片和所述引线框架通过所述引线跳线连接形成闭合的整流线路;以及 环氧塑封体,所述环氧塑封体压塑包裹于所述整流二极管芯片、所述引线框架和所述引线跳线外围。2.如权利要求1所述的塑封GBPC整流桥,其特征在于,所述引线框架包括围成一周且相互隔开的四块金属板,分别为一第一金属板、两第二金属板和一第三金属板;所述第一金属板两端分别与两所述第二金属板的一端相邻,所述第三金属板两端分别与两所述第二金属板的另一端相邻;所述第一金属板两端,以及两所述第二金属板与所述第三金属板相邻的一端分别焊接有一所述整流二极管芯片;所述第一金属板上的两所述整流二极管芯片的台面分别通过一所述引线跳线与相邻的所述第二金属板连接,两所述第二金属板上的所述整流二极管芯片的台面分别通过一所述引线跳线与相邻的所述第三金属板连接。3.如权利要求2所述的塑封GBPC整流桥,其特征在于,四块所述金属板的外侧分别连接有竖直的位于所述环氧塑封体外侧的引脚,四块所述引脚分别与四块所述金属板连为一体。4.如权利要求1?3任一项所述的塑封GBPC整流桥,其特征在于,所述引线跳线为金属导电片,所述金属导电片中间段凸起成桥状。5.如权利要求1所述的塑封GBPC整流桥,其特征在于,所述整流二极管芯片上喷涂有绝缘材料薄膜。6.如权利要求1所述的塑封GBPC整流桥,其特征在于,所述整流二极管芯片、所述引线跳线和所述引线框架上喷涂有绝缘材料薄膜。7.如权利要求5或6所述的塑封GBPC整流桥,其特征在于,所述绝缘材料薄膜为硅橡胶或聚酰亚胺。
【文档编号】H01L25/07GK205508816SQ201620251962
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年3月29日
【发明人】冯亚宁, 张意远
【申请人】上海美高森美半导体有限公司
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