离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置，包含壳体、三块带圆孔的极板、探测器、飞行管和两组平行极板，三块带圆孔的极板、探测器、飞行管和两组平行极板设置在壳体内，三块带圆孔的极板均竖直设置在壳体内一端并且相互平行，探测器竖直固定在壳体内另一端，飞行管水平固定在壳体内，两组平行极板设置在飞行管内侧，每组平行极板分别由接地极板和带电极板构成，接地极板接地，带电极板与直流电源连接。本实用新型可以把外场对离子轨迹造成的偏移影响给予纠正，实现具备更高质量效果的离子速度成像。
【专利说明】
离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种纠正装置，特别是一种离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置。
【背景技术】
[0002]目前通行的离子速度成像仪是荷兰科学家Eppink和Parker在1997年设计，他们通过设计三块带圆孔的极板，在一定的电压配置下，形成离子透镜，实现对具有相同速度但是不同位置的带电粒子进行聚焦，然后被探测器收集。在离子透镜作用下，不同位置的带电粒子聚焦在探测器的一个点上，这大大提高了离子速度成像的分辨率。
[0003]然而，在目前通行的离子速度成像装置上，测得的离子速度影像通常很难正好在探测器中央。这是由于外场影响造成的，外场影响包括外电场、外磁场，这些来源具体到离子速度成像仪附近的电子类设备，甚至包括微弱的地磁场。离子速度成像仪成像容易受到外场影响，如外部电场、外部磁场，造成离子飞行轨迹偏移，成像不在探测器的正中间，严重影响离子的成像质量和采集效果。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置，从而保证离子成像在探测器正中间。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是:
[0006]—种离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置，其特征在于:包含壳体、三块带圆孔的极板、探测器、飞行管和两组平行极板，三块带圆孔的极板、探测器、飞行管和两组平行极板设置在壳体内，三块带圆孔的极板均竖直设置在壳体内一端并且相互平行，探测器竖直固定在壳体内另一端，飞行管水平固定在壳体内，两组平行极板设置在飞行管内侧，每组平行极板分别由接地极板和带电极板构成，接地极板接地，带电极板与直流电源连接。
[0007]进一步地，所述两组平行极板，一组水平设置，另一组竖直设置构成两端开口的方形容腔，带电离子从方形容腔内通过。
[0008]进一步地，所述两组平行极板的每组平行极板的接地极板相邻设置，带电极板相邻设置。
[0009]进一步地，所述两组平行极板的每组平行极板厚度为10mm，间距为200mm，极板长度为150mm。
[0010]进一步地，所述直流电源为可调直流电源。
[0011]进一步地，所述可调直流电源的调谐范围为-300V到300V。
[0012]本发明与现有技术相比，具有以下优点和效果:本实用新型的离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置可以把外场对离子轨迹造成的偏移影响给予纠正，实现具备更高质量效果的离子速度成像。
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型的离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置的示意图。
[0014]图2是本实用新型的离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置的侧视图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图并通过实施例对本实用新型作进一步的详细说明，以下实施例是对本实用新型的解释而本实用新型并不局限于以下实施例。
[0016]实施例1:
[0017]如图所示，一种离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置，包含壳体1、三块带圆孔的极板2、探测器3、飞行管4和两组平行极板5，三块带圆孔的极板2、探测器3、飞行管4和两组平行极板5设置在壳体I内，三块带圆孔的极板2均竖直设置在壳体I内一端并且相互平行，探测器3竖直固定在壳体I内另一端，飞行管4水平固定在壳体I内，两组平行极板5设置在飞行管4内侧，每组平行极板5分别由接地极板和带电极板构成，接地极板接地，带电极板与直流电源6连接。
[0018]两组平行极板5，一组水平设置，另一组竖直设置构成两端开口的方形容腔，带电离子从方形容腔内通过。两组平行极板5的每组平行极板的接地极板相邻设置，带电极板相邻设置。两组平行极板5的每组平行极板厚度为10mm，间距为200mm，极板长度为150mm。
[0019]实施例2:
[0020]一种离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置，包含壳体1、三块带圆孔的极板2、探测器3、飞行管4和两组平行极板5，三块带圆孔的极板2、探测器3、飞行管4和两组平行极板5设置在壳体I内，三块带圆孔的极板2均竖直设置在壳体I内一端并且相互平行，探测器3竖直固定在壳体I内另一端，飞行管4水平固定在壳体I内，两组平行极板5设置在飞行管4内侧，每组平行极板5分别由接地极板和带电极板构成，接地极板接地，带电极板与直流电源6连接。
[0021 ]两组平行极板5，一组水平设置，另一组竖直设置构成两端开口的方形容腔，带电离子从方形容腔内通过。两组平行极板5的每组平行极板的接地极板相邻设置，带电极板相邻设置。两组平行极板5的每组平行极板厚度为1mm，间距为200mm，极板长度为150mm。直流电源6为可调直流电源，可调直流电源的调谐范围为-300V到300V。
[0022]本实用新型的离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置的工作原理:调整可调直流电源以调整离子飞行轨迹的整体上下移动，在探测器观察未纠正的影像偏移情况，然后调整可调直流电源行上下纠正，直到影像上下中心在探测器心。通过调整可调直流电源可以调整离子飞行轨迹的整体左右移动，在探测器上观察未纠正的影像偏移情况，然后调整可调直流电源进行左右纠正，直到影像左右中心在探测器中心。
[0023]本说明书中所描述的以上内容仅仅是对本实用新型所作的举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离本实用新型说明书的内容或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置，其特征在于:包含壳体、三块带圆孔的极板、探测器、飞行管和两组平行极板，三块带圆孔的极板、探测器、飞行管和两组平行极板设置在壳体内，三块带圆孔的极板均竖直设置在壳体内一端并且相互平行，探测器竖直固定在壳体内另一端，飞行管水平固定在壳体内，两组平行极板设置在飞行管内侧，每组平行极板分别由接地极板和带电极板构成，接地极板接地，带电极板与直流电源连接。2.按照权利要求1所述的离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置，其特征在于:所述两组平行极板，一组水平设置，另一组竖直设置构成两端开口的方形容腔，带电离子从方形容腔内通过。3.按照权利要求1或2所述的离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置，其特征在于:所述两组平行极板的每组平行极板的接地极板相邻设置，带电极板相邻设置。4.按照权利要求1或2所述的离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置，其特征在于:所述两组平行极板的每组平行极板厚度为10mm，间距为200mm，极板长度为150mm。5.按照权利要求1所述的离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置，其特征在于:所述直流电源为可调直流电源。6.按照权利要求5所述的离子速度成像仪外场偏移影响纠正装置，其特征在于:所述可调直流电源的调谐范围为-300V到300V。
【文档编号】H01J49/40GK205542704SQ201620133687
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年2月23日
【发明人】刘玉柱, 敖旷, 曹兆楼, 陈云云, 郑改革
【申请人】南京信息工程大学