一种半导体芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型属于一种芯片领域，是针对现有的半导体芯片制冷和发电效率低而提供的一种半导体芯片，包括PN极单元层，PN极单元层包括P极和N极，P极和N极通过连接导体连接形成一个子单元，在PN极单元层的上下端的至少一端安装有基板，该基板由绝缘层和导热材料复合而成，绝缘层为搪瓷材料或铝瓷质阳极氧化膜，基板的绝缘层朝向PN极单元层安装，导热材料采用金属材质制成。金属导热层优选铝制材质或铜质材质。本实用新型结构简单，巧妙的将金属导热层与PN极层之间设置搪瓷材料或铝瓷质阳极氧化膜进行绝缘，实现将导热层采用金属导热材料，从而大大提高了产品的制冷和发电效率，实用性强。
【专利说明】
一种半导体芯片
技术领域
[0001]本实用新型属于一种半导体芯片领域，尤其涉及一种半导体制冷和温差发电芯片。
【背景技术】
[0002]现有的半导体芯片都是采用陶瓷材料导热的，本领域技术人员都知道陶瓷材料导热效果较差，但是由于半导体芯片的表面与PN极层之间必须绝缘，所以行业内一直无法将陶瓷导热替换成别的导热效果好的绝缘材料，导致行业内半导体芯片散热差一直是不能解决的难题，从而影响芯片制冷和发电效率。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型目的是针对现有的半导体芯片因热传导不良造成的制冷和发电效率低而提供的一种可提尚制冷和发电效率的半导体芯片。
[0004]本实用新型是通过如下技术方案来实现的:
[0005]—种半导体芯片，包括PN极单元层，PN极单元层包括P极和N极，P极和N极通过连接导体连接形成一个子单元，在PN极单元层的上下端的至少一端安装有基板，该基板由绝缘层和导热材料复合而成，绝缘层为搪瓷材料或铝瓷质阳极氧化膜，基板的绝缘层朝向PN极单元层安装。
[0006]在其中一基板外表面安装散热器，所述的安装散热器的基板的导热材料采用优良导热材质制成的导热层。
[0007]所述的导热层优选铝制材质或铜质材质或相变材质。相变材质设于盛装该相变材质的盒体内，相变材质可以为液态、固态，也可以为气液混合。
[0008]所述的金属导热层的外表面设有防止金属导热层变形的加强筋。
[0009]本实用新型的有益效果:本实用新型结构简单，巧妙的将金属导热层与PN极层之间设置搪瓷材料或铝瓷质阳极氧化膜进行绝缘，实现将导热层采用金属导热材料，从而大大提高了产品的制冷和发电效率，实用性强。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的结构分解图。
【具体实施方式】
[0011 ]下面结合实施例对本实用新型作进一步说明。
[0012]实施例
[0013]如图1所示，一种半导体芯片，包括PN极单元层，PN极单元层包括P极2和N极I』极2和N极I通过连接导体5连接形成一个子单元，在PN极单元层的上下端的至少一端安装有基板，该基板由绝缘层4和导热材料3复合而成，绝缘层为搪瓷材料或铝瓷质阳极氧化膜，基板的绝缘层朝向PN极单元层安装。所述的导热材料采用金属材质制成。所述的金属导热层优选铝制材质或铜质材质。所述的金属导热层的外表面设有防止金属导热层变形的加强筋。PN极单元层下端可直接采用陶瓷或其它绝缘材料。
[0014]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本领域内普通的技术人员的简单更改和替换都是本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种半导体芯片，包括PN极单元层，PN极单元层包括P极和N极，P极和N极通过连接导体连接形成一个子单元，其特征在于:在PN极单元层的上下端的至少一端安装有基板，该基板由绝缘层和导热材料复合而成，绝缘层为搪瓷材料或铝瓷质阳极氧化膜，基板的绝缘层朝向PN极单元层安装。2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片，其特征在于:所述的导热材料采用金属材质制成。3.根据权利要求2所述的一种半导体芯片，其特征在于:所述的金属导热层优选铝制材质或铜质材质或相变材质。4.根据权利要求2或3所述的一种半导体芯片，其特征在于:所述的金属导热层的外表面设有防止金属导热层变形的加强筋。
【文档编号】H01L23/373GK205542750SQ201620358491
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年4月23日
【发明人】诸建平, 覃瑞昌
【申请人】浙江聚珖科技股份有限公司