一种新型耐高温led灯的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种新型耐高温LED灯，包括基座，所述的基座上设置有LED芯片以及连接LED芯片的电极，其特征在于：所述的基座上还包括有封装层，所述的LED芯片设于基座中部的绝缘导热层上，基座为杯状凹槽结构，位于LED芯片周边环绕设置有反射，所述的反射层与基座为一体设置，所述的基座下方紧贴设置有第一散热层以及第二散热层，所述的绝缘导热层设于LED芯片相对的另一端面与第一散热层紧贴。本实用新型的耐高温LED灯防止LED芯片过热、延长LED使用寿命的优点。
【专利说明】
一种新型耐高温LED灯
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及一种LED封装结构，尤其是一种新型耐高温LED灯。
【背景技术】
[0002]LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，然而LED高功率产品为获得所需要的亮度与颜色，在LED封装结构中具有一个反射层设置。所述反射层通常是使用塑料制成，例如，PPA或是其它高热塑性的塑料。这样以塑料制成的所述反射层在所述封装结构中基板顶面的电极上设置时，由于与所述电极金属性质的材料密合性不佳，因此会直接影响到所述LED封装结构的密合度。
[0003]而且一般的LED散热效率差以及不能在高温条件下使用，使LED局限于一定条件先使用，所以现有问题仍然是企业需要解决的。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种耐高温、实用性强的一种新型耐高温LED灯。
[0005]为达到上述目的，本实用新型通过以下技术方案实现:
[0006]—种新型耐高温LED灯，包括基座，所述的基座上设置有LED芯片以及连接LED芯片的电极，其特征在于:所述的基座上还包括有封装层，所述的LED芯片设于基座中部的绝缘导热层上，基座为杯状凹槽结构，位于LED芯片周边环绕设置有反射层，所述的反射层与基座为一体设置，所述的基座下方紧贴设置有第一散热层以及第二散热层，所述的绝缘导热层设于LED芯片相对的另一端面与第一散热层紧贴，所述的第二散热层坎置于第一散热层内，与LED芯片和绝缘导热层位于同一轴心上。
[0007]进一步说明，所述的反射层位于LED芯片一侧设置有反射面，该反射面为斜面结构。
[0008]进一步说明，所述的第一散热层材料为硅、陶瓷或高导热的绝缘材料。
[0009]进一步说明，所述的第二散热层材料为金属铝或高导热材料。
[0010]进一步说明，所述的基座材料为娃或陶瓷制造。
[0011 ]进一步说明，所述的绝缘导热层为陶瓷制造。
[0012]进一步说明，所述的反射层比LED芯片高。
[0013]进一步说明，所述的反射面为镀银层。
[0014]进一步说明，所述的封装层采用TG点达到200摄氏度的胶水封装。
[0015]本实用新型的有益效果是:基座设置有第一散热层和第二散热层，通过第一散热层将部分热量迅速对外传出，第二散热层位于LED芯片和绝缘导热层位于同一轴心上，进一步加快热量对外传出；LED芯片周边环绕有镀银的反射面，使得LED芯片发出的光通过反射面将大部分光直接反射到封装层、减少返回LED芯片的光，减低LED芯片的温度；由于封装层采用TG点达到200摄氏度的胶水封装，封装胶在固态到玻璃态过程温度点从普通的125-140摄氏度提升到200摄氏度，使封装胶可承受温度更高。
【附图说明】
[0016]图1是本实用新型的整体不意图。
【具体实施方式】
[0017]为了对本实用新型的结构、特征及其功效，能有更进一步地了解和认识，现举较佳实施例，并结合附图详细说明如下:
[0018]如图1所示，本实施所描述的一种新型耐高温LED灯，它主要包括基座I，基座I上设置有LED芯片2以及连接LED芯片2的电极3，基座I上还包括有封装层8，LED芯片2设于基座I中部的绝缘导热层4上，基座I为杯状凹槽结构，位于LED芯片2周边环绕设置有反射层5，反射层5与基座I为一体设置，反射层5比LED芯片2高，基座I下方紧贴设置有第一散热层6以及第二散热层7，绝缘导热层4设于LED芯片2相对的另一端面与第一散热层6紧贴，第二散热层7坎置于第一散热层6内，与LED芯片2和绝缘导热层4位于同一轴心上，反射层5位于LED芯片2—侧设置有反射面9，反射面9为镀银层，该反射面9为斜面结构，LED芯片发出的光通过反射面将大部分光直接反射到封装层、减少返回LED芯片的光，减低LED芯片的温度。
[0019]第一散热层6材料为硅、陶瓷或高导热的绝缘材料制造，第二散热层7材料为金属铝或高导热材料制造，基座I材料为硅或陶瓷制造，绝缘导热层4为陶瓷制造，封装层8采用TG点达到200摄氏度的胶水封装，封装胶在固态到玻璃态过程温度点从普通的125-140摄氏度提升到200摄氏度。
[0020]本实用新型的基座设置有第一散热层和第二散热层，通过第一散热层将部分热量迅速对外传出，第二散热层位于LED芯片和绝缘导热层位于同一轴心上，进一步加快热量对外传出；LED芯片周边环绕有镀银的反射面，使得LED芯片发出的光通过反射面将大部分光直接反射到封装层、减少返回LED芯片的光，减低LED芯片的温度；由于封装层采用TG点达到200摄氏度的胶水封装，封装胶在固态到玻璃态过程温度点从普通的125-140摄氏度提升到200摄氏度，使封装胶可承受温度更高。
[0021]以上所述仅为本实用新型之较佳实施例而已，并非以此限制本实用新型的实施范围，凡熟悉此项技术者，运用本实用新型的原则及技术特征，所作的各种变更及装饰，皆应涵盖于本权利要求书所界定的保护范畴之内。
【主权项】
1.一种新型耐高温LED灯，包括基座(I)，所述的基座(I)上设置有LED芯片(2)以及连接LED芯片(2)的电极(3)，其特征在于:所述的基座(I)上还包括有封装层(8)，所述的LED芯片(2)设于基座(I)中部的绝缘导热层(4)上，基座(I)为杯状凹槽结构，位于LED芯片(2)周边环绕设置有反射层(5)，所述的反射层(5)与基座(I)为一体设置，所述的基座(I)下方紧贴设置有第一散热层(6)以及第二散热层(7)，所述的绝缘导热层(4)设于LED芯片(2)相对的另一端面与第一散热层(6)紧贴，所述的第二散热层(7)坎置于第一散热层(6)内，与LED芯片(2)和绝缘导热层(4)位于同一轴心上。2.如权利要求1所述的一种新型耐高温LED灯，其特征在于:所述的反射层(5)位于LED芯片(2) —侧设置有反射面(9 )，该反射面(9)为斜面结构。3.如权利要求1所述的一种新型耐高温LED灯，其特征在于:所述的第一散热层(6)材料为硅、陶瓷或高导热的绝缘材料。4.如权利要求1所述的一种新型耐高温LED灯，其特征在于:所述的第二散热层(7)材料为金属铝或高导热材料。5.如权利要求1所述的一种新型耐高温LED灯，其特征在于:所述的基座(I)材料为硅或陶瓷制造。6.如权利要求1所述的一种新型耐高温LED灯，其特征在于:所述的绝缘导热层(4)为陶瓷制造。7.如权利要求1所述的一种新型耐高温LED灯，其特征在于:所述的反射层(5)比LED芯片(2)尚。8.如权利要求2所述的一种新型耐高温LED灯，其特征在于:所述的反射面(9)为镀银层。9.如权利要求1所述的一种新型耐高温LED灯，其特征在于:所述的封装层(8)采用TG点达到200摄氏度的胶水封装。
【文档编号】H01L33/48GK205542896SQ201620097040
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年1月29日
【发明人】杨坤
【申请人】东莞市索菲电子科技有限公司