专利名称：一种三相整流桥封装外壳的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种三相整流桥封装外壳。
技术背景现有技术中，为了解决作为芯片载体和引出电极的铜板在金属壳体中定 位、以及上述铜板和金属壳体之间绝缘的问题，通常是在金属壳体中设置一 个特制的塑料框架，并且在金属壳体中注入环氧树脂作为绝缘、导热的骨架 填充物。相对于金属壳体的内部空间而言，塑料框架自身的体积大，而且塑 料和环氧树脂的导热系数较低，由此使得桥式整流器具有较大结-壳热阻，影 响了器件的导热性能。 实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种绝缘性能佳、导热性能好的 三相整流桥封装外壳。本实用新型包括壳体，壳体由底壁和侧壁组成，所述底壁和侧壁共同形 成一封装腔，封装腔内的底壁表面上布置有高耐压、低热阻的绝缘薄膜，高 耐压、低热阻的绝缘薄膜的外边缘沿侧壁向上延伸形成一周紧贴侧壁内表面 的护围。较现有技术中的三相整流桥封装外壳，本实用新型采用设置绝缘薄膜代 替塑料框架的封装方式，使铜板与金属外壳之间的间距减小，器件的结-壳热 阻降低，从而提高了器件的导热性能，并使得在相同的封装体积中，可以封 装更大电流的二极管芯片，提高了器件的电流指标。而且，由绝缘薄膜的外 边缘沿侧壁向上延伸形成的一周护围可避免铜板与金属外壳的侧壁之间直接 接触，进一步起到绝缘作用。
图1是三相整流桥封装外壳的俯视图。图2是图1所示三相整流桥封装外壳A-A线的剖视图。
具体实施方式
如图1和图2所示，壳体1由底壁1-1以及与底壁1-1垂直连接的侧壁 1-2组成，所述底壁1-1和侧壁1-2共同形成一封装腔1-3。在底壁1-1的中心设置一与底壁1-1垂直的连接柱2，连接柱2处于封装 腔1-3中且沿连接柱2的中心轴线设置一贯穿连接柱2的通孔3。在封装腔1-3中的底壁1-1表面上布置有高耐压、低热阻的绝缘薄膜4， 所述高耐压、低热阻的绝缘薄膜4的外边缘沿着侧壁1-2向上延伸形成--周 紧贴侧壁内表面的护围。
权利要求1、 一种三相整流桥封装外壳，包括壳体，壳体由底壁和侧壁组成，所述 底壁和侧壁共同形成一封装腔，其特征在于封装腔内的底壁表面上布置有 高耐压、低热阻的绝缘薄膜，高耐压、低热阻的绝缘薄膜的外边缘沿侧壁向 上延伸形成一周紧贴侧壁内表面的护围。
专利摘要本实用新型公开了一种三相整流桥封装外壳，其包括壳体，壳体由底壁和侧壁组成，所述底壁和侧壁共同形成一封装腔，封装腔内的底壁表面上布置有高耐压、低热阻的绝缘薄膜，高耐压、低热阻的绝缘薄膜的外边缘沿侧壁向上延伸形成一周紧贴侧壁内表面的护围。本实用新型采用设置绝缘薄膜代替塑料框架的封装方式，使铜板与金属外壳之间的间距减小，器件的结-壳热阻降低，从而提高了器件的导热性能，并使得在相同的封装体积中，可以封装更大电流的二极管芯片，提高了器件的电流指标。
文档编号H02M1/00GK201038990SQ200720035808
公开日2008年3月19日 申请日期2007年4月19日 优先权日2007年4月19日
发明者鹏 杨, 毅 王 申请人:扬州扬杰电子科技有限公司