专利名称：一种降低续流二极管电压应力的dc-dc降压转换电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种降低续流二极管电压应力的DC-DC降压转换电路。
背景技术：
在DC-DC降压转换电路中续流二极管的损耗不可忽视，但是目前，常 见的DC-DC降压转换电路中，MOSFET开通时源极对地电压为零，二极 管负极对正极电压为输入电压。当MOSFET关断时，二极管要对电感进行 续流，此时二极管电压变为零，二极管电压的变化量即为输入电压值。此 过程中二极管的损耗P。^IVdst。ff/T,导致二极管开关损耗大，同时二极管电 压变化率大，造成干扰大。
实用新型内容
为了解决上述问题，本实用新型公布了一种降低续流二极管电压应力 的DC-DC降压转换电路。
DC-DC降压转换电路包括NMOS管Ql 、 二极管D1 D2、电容C1 C2、 抽头电感L1，电路工作时，减小了D2的电压开关应力；
NMOS管Ql漏极接输入端，源极接抽头电感L1上1脚和电容C1，抽头电感Ll上2脚接二极管D2负极3脚接电容C2并接输出端，电容Cl 另一端接二极管Dl负极，二极管Dl和D2正极与电容C2另一端连接并 接地；
NMOS管Ql源极接地，漏极接电容C1和抽头电感L1上3脚，电容 Cl另一端接二极管D1正极，抽头电感L2上2脚接二极管D2正极，l脚 接电容C2并接地，二极管D1、 D2负极接输入端，电容C2另一端接输出 端。
本实用新型的有益效果是能有效降低二极管上的损耗，提高效率，减 少开关辐射造成的干扰。
图1为现有技术的一种电路原理图； 图2为现有技术的另一种电路原理图； 图3为图1采用本实用新型的电路原理图； 图4为图2采用本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
图l、图2为现有技术的两种电路原理图，如图1所示，在NMOS管 Ql开通时，NMOS管Ql的漏极对地电压为零，因此二极管D1的电压为 VIN，当NMOS管Ql关断时，二极管Dl要对电感Ll续流，此时二极管 Dl电压变为零，二极管D1经历了从电压VIN变化到零的过程，在此过程 中二极管的损耗为P。flVdst。ff/T，因此导致了二极管的开关损耗大，造成干扰大。如图2所示，在NMOS管Ql开通时，NMOS管Ql的源极对地电 压为Vin，因此二极管Dl的电压为VIN，当NMOS管Ql关断时，二极管 Dl要对电感L1续流，此时二极管D1电压变为零，二极管D1经历了从电 压VIN变化到零的过程，在此过程中二极管的损耗为P。肝IVdst。ff/T，因此 导致了二极管的开关损耗大，造成干扰大。
图3是图1采用本实用新型的电路原理图，DC-DC降压转换电路包括 NM0S管Q1、 二极管D1 D2、电容C1 C2、抽头电感L1。 NMOS管Ql 源极接地，漏极接电容C1和抽头电感L1上3脚，电容C1另一端接二极 管Dl正极，抽头电感L2上2脚接二极管D2正极，1脚接电容C2并接地， 二极管D1、 D2负极接输入端，电容C2另一端接输出端。其中抽头电感l 脚和2脚之间匝数为N， 2脚和3脚之间匝数为1。
当NMOS管Ql开通时，电感L2上1脚对3脚的电压为VIN—VOUT， 电感L2上2脚对3脚的电压为(VIN—VOUT) / (N+l)， 二极管D2负极 对正极的电压为VIN— (VIN—VOUT) / (N+l)，当NMOS管Ql开始关 断时，电容C1、 二极管D1、 D2对电感同时进行续流，此时二极管D2电 压变为零。这个过程中，二极管D2经历了从电压VIN— (VIN—VOUT) /(N+l)降到零的过程。因此，二极管D2作为主续流管在NMOS管开关 的时候电压的变化率明显低于传统的电路，所以能有效地降低二极管上的 损耗，提高效率，减少开关辐射造成的干扰。
图4是图2采用本实用新型的电路原理图，DC-DC降压转换电路包括 NMOS管Ql、 二极管D1 D2、电容C1 C2、抽头电感L1。 NMOS管Ql 漏极接输入端，源极接抽头电感L1上1脚和电容C1，抽头电感L1上脚接二极管D2负极3脚接电容C2并接输出端，电容Cl另一端接二极管 Dl负极，二极管D1和D2正极与电容C2另一端连接并接地。
同样，图4中当NMOS管Ql开通时，电感L2上1脚对3脚的电压为 VIN—VOUT，电感L2上2脚对3脚的电压为(VIN—VOUT) / (N+l)， 二极管D2负极对正极的电压为VIN— (VIN—VOUT) / (N+l)，当二极 管Q2开始关断时，电容C1、 二极管D1、 D2对电感同时进行续流，此时 二极管D2电压变为零。这个过程中，二极管D2经历了从电压VIN—(VIN —VOUT)/(N+l)降到零的过程。因此，二极管D2作为主续流管在NMOS 管开关的时候电压的变化率明显低于传统的电路，所以能有效地降低二极 管上的损耗，提高效率，减少开关辐射造成的千扰。
权利要求1. 一种降低续流二极管电压应力的DC-DC降压转换电路，其特征在于，DC-DC降压转换电路包括NMOS管Q1、二极管D1～D2、电容C1～C2、抽头电感L1，电路工作时，二极管D2的电压开关应力减小；NMOS管Q1漏极接输入端时，源极接抽头电感L1上1脚和电容C1，抽头电感L1上2脚接二极管D2负极3脚接电容C2并接输出端，电容C1另一端接二极管D1负极，二极管D1和D2正极与电容C2另一端连接并接地；NMOS管Q1源极接地时，漏极接电容C1和抽头电感L1上3脚，电容C1另一端接二极管D1正极，抽头电感L2上2脚接二极管D2正极，1脚接电容C2并接地，二极管D1、D2负极接输入端，电容C2另一端接输出端。
专利摘要本实用新型涉及一种降低续流二极管电压应力的DC-DC降压转换电路。DC-DC降压转换电路包括NMOS管Q1、二极管D1～D2、电容C1～C2、抽头电感L1。电路工作时，二极管D2的电压开关应力减小。NMOS管Q1漏极接输入端时，源极接抽头电感L1上1脚和电容C1，抽头电感L1上2脚接二极管D2负极3脚接电容C2并接输出端，电容C1另一端接二极管D1负极，二极管D1和D2正极与电容C2另一端连接并接地；NMOS管Q1源极接地时，漏极接电容C1和抽头电感L1上3脚，电容C1另一端接二极管D1正极，抽头电感L2上2脚接二极管D2正极，1脚接电容C2并接地，二极管D1、D2负极接输入端，电容C2另一端接输出端。本实用新型的有益效果是能有效降低二极管上的损耗，提高效率，减少开关辐射造成的干扰。
文档编号H02M3/04GK201266885SQ20082014689
公开日2009年7月1日 申请日期2008年8月27日 优先权日2008年8月27日
发明者陈立新, 黄冬青 申请人:深圳市中电能投资管理有限公司