专利名称：一种漏电断路装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种漏电断路装置。
背景技术：
中国专利文献CN2276678Y公开了一种单相漏电保护器，机械脱扣开关电磁铁线 圈、单向可控硅元件和二极管顺序电连接结构的漏电保护器中增加一或门电路，使或门电 路中串联的二个二极管按导通方向一致与单向可控硅元件、机械脱扣开关的电磁铁线圈顺 序电连接，另一个二极管的阴极与二个串联二极管之间的导线电连接，阳极与地线接线端 子电连接。 上述现有技术的不足之处在于上述漏电断路装置的为AC型漏电断路装置，功能 单一，抗干扰性能较弱，易发生误动作且耐用性较差。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种抗干扰性能较强、不易发生误动作且 耐压性较好的漏电断路装置。 为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种漏电断路装置，包括用于与市交流 电源相连的桥式整流电路、机械脱扣开关K1、单向可控硅电路、以及由第一谐振电容C1、第 二谐振电容C2和电流互感器Hl构成的并联谐振回路；机械脱扣开关Kl的电磁铁线圈KM 设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；其特点是所述并联谐振回路的谐振频率与所 述市交流电源的频率相同；单向可控硅电路包括相串联的第一单向可控硅BG1和第二单 向可控硅BG2 ;第一单向可控硅BG1的K极接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅 BG2的A极接所述桥式整流电路的正极端，第二单向可控硅BG2的G极串接第四电阻R4、第 三电容C3后接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅BG2的K极和G极之间设有第 七电阻R7，第一单向可控硅BG1的K极和A极之间设有第六电阻R6，第二单向可控硅BG2 的K极和A极之间设有第五电阻R5，第一单向可控硅BG1的G极与所述并联谐振回路相连。 单向可控硅电路还包括与所述并联谐振回路相并联的雪崩稳压管DW，且雪崩稳压管DW的 阳极串接第二电阻R2后与第一单向可控硅BG1的G极相连。 本实用新型具有积极的效果(l)本实用新型的漏电断路装置中，开联谐振回路 的谐振频率与市交流电源的频率相同。当交流电源发生漏电时，电流互感器获取的漏电信 号也为市交流电源的频率(在我国为50Hz)。根据并联谐振回路的特性，在我国当并联谐 振回路处于谐振时，可使50Hz的漏电信号的触发可控硅的效能处于最佳，以最有效地触发 可控硅，同时使50Hz以外的干扰信号的触发可控硅的效能较低，从而可有效抑制50Hz以外 的干扰信号，从而实现国家标准对漏电断路装置的技术指标。因此，本实用新型的漏电断路 装置抗干扰性能较强且不易发生误动作。(2)在本实用新型中，采用两个可控硅串联，使该 漏电断路装置的耐压性能达千伏以上，故而耐压性较好，克服了传统的采用压敏电阻和R-C 吸收回路带来的不稳定因素。(3)本实用新型中，并联谐振回路并联有雪崩稳压管，且雪崩稳压管的阳极与单向可控硅的G扱相连。雪崩稳压管的正向导通电压不高于0. 55V，且单向可控硅的触发电压不低于0. 56V。当外界干扰信号入侵时，雪崩稳压管首先导通，迅速排除了干扰信号，以防止其触发可控硅，而发生误动作。(4)本实用新型中，第一单向可控硅的G极相连有低通滤波电路，用于滤掉高频干扰信号，进一步保证漏电断路装置的可靠性。(5)现有技术中，当漏电断路装置所在的220V市交流电的检测回路中存在一个强脉冲干扰信号(例如，250A，前沿为8微秒，后沿为20微秒的尖脉冲)往往使电流互感器发生磁饱和，从而破坏了并联谐振回路的谐振频率，因电流互感器磁饱和非线性产生的次谐波能触发可控硅，从而使现有技术的漏电断路装置误动作。而在本实用新型中，并联谐振回路中采用的电流互感器的电感量不小于20H ;以保证强脉冲干扰信号(250A，前沿为8微秒，后沿为20微秒的尖脉冲)不会使电流互感器发生磁饱和，防止次谐波触发可控硅。
图1为本实用新型的漏电断路装置的电原理图；[0008] 图2为本实用新型的另一种漏电断路装置的电原理图。
具体实施方式见图l，本实施例的漏电断路装置包括用于与市交流电源相连的桥式整流电路(包括二极管D1、D2、D3和D4)、用于设置在交流电源线路(即图1中的标号1和2)中的机械脱扣开关K1、单向可控硅电路、雪崩稳压管DW、以及由第一谐振电容C1、第二谐振电容C2和用于检测交流电源的漏电信号的电流互感器H1构成的并联谐振回路。单向可控硅电路包括第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、相串联的第一单向可控硅BG1和第二单向可控硅BG2 ;第一单向可控硅BG1的K极接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅BG2的A极接所述桥式整流电路的正极端，第二单向可控硅BG2的G极串接第四电阻R4、第三电容C3后接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅BG2的K极和G极之间设有第七电阻R7，第一单向可控硅BG1的K极和A极之间设有第六电阻R6，第二单向可控硅BG2的K极和A极之间设有第五电阻R5，第一单向可控硅BG1的G极与所述并联谐振回路相连。 所述第五电阻R5和第六电阻R6的阻值相同，从而可将桥式整流电路输出的电压均分给两个单向可控硅，当各单向可控硅的耐压为500V时，整个漏电断路装置的耐压性能即达到IOOOV。 机械脱扣开关K1的电磁铁线圈KM设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；低通滤波电路与所述第一单向可控硅BG1的G极相连；低通滤波电路，用于滤掉高频干扰信号，进一步保证漏电断路装置的可靠性。 电流互感器Hl的电感量为30H，谐振电容Cl和第二谐振电容C2的电容量之和为0. 25uF，因此所述并联谐振回路的谐振频率为50Hz。根据并联谐振回路的特性，当并联谐振回路发生谐振时，可使50Hz的干扰信号的触发可控硅的效能处于最佳，以最有效地触发可控硅，同时使50Hz以外的干扰信号的触发可控硅的效能较低，从而可有效抑制50Hz以外的干扰信号。因此，本实用新型的漏电断路装置抗干扰性能较强且不易发生误动作。[0013] 雪崩稳压管DW与并联谐振回路相并联，且雪崩稳压管DW的阳极串接第二电阻R2后与第一单向可控硅BG1的G极相连。所述雪崩稳压管DW的正向导通电压不高于0. 55V，且所述第一单向可控硅BG1的触发电压不低于O. 56V。还包括与雪崩稳压管DW相并联的第一电阻R1，与电流互感器H1相串联的第二电阻R2 ;ANl为实验按钮，使用时起模拟漏电的作用。实验按钮AN1串联降压电阻R8后与交流电源相连。电流互感器H1置于金属屏蔽罩内，防止外磁场使漏电断路装置误动作。工作时，当来自并联谐振回路的漏电信号有效触发所述第一单向可控硅BGl时，第一单向可控硅BGl导通，第一单向可控硅BGl的K极和A极之间的压差迅速降至2V以下，第三电容C3上的电压通过第四电阻R4、第七电阻R7和第一单向可控硅BGl放电，此时第七电阻R7上的电压使第二单向可控硅BG2导通，电磁铁线圈KM得电并使机械脱扣开关Kl执行脱扣动作，即漏电断路装置处于断开状态。[0014] 见图2，作为另一种实施方式，所述雪崩稳压管DW的阴极串接第二电阻R2后接第一单向可控硅BGl的G极，起到过压保护的作用。
权利要求一种漏电断路装置，包括桥式整流电路、机械脱扣开关(K1)、单向可控硅电路、以及由第一谐振电容(C1)、第二谐振电容(C2)和电流互感器(H1)构成的并联谐振回路；机械脱扣开关(K1)的电磁铁线圈(KM)设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；其特征在于单向可控硅电路包括相串联的第一单向可控硅(BG1)和第二单向可控硅(BG2)；第一单向可控硅(BG1)的K极接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅(BG2)的A极接所述桥式整流电路的正极端，第二单向可控硅(BG2)的G极串接第四电阻(R4)、第三电容(C3)后接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅(BG2)的K极和G极之间设有第七电阻(R7)，第一单向可控硅(BG1)的K极和A极之间设有第六电阻(R6)，第二单向可控硅(BG2)的K极和A极之间设有第五电阻(R5)，第一单向可控硅(BG1)的G极与所述并联谐振回路相连；单向可控硅电路还包括与所述并联谐振回路相并联的雪崩稳压管(DW)，且雪崩稳压管(DW)的阳极串接第二电阻(R2)后与第一单向可控硅(BG1)的G极相连。
专利摘要本实用新型涉及一种漏电断路装置，包括桥式整流电路、机械脱扣开关、单向可控硅电路和并联谐振回路；并联谐振回路的谐振频率与市交流电源的频率相同；单向可控硅电路包括相串联的第一单向可控硅和第二单向可控硅；第一单向可控硅的K极接桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅的A极接桥式整流电路的正极端，第二单向可控硅的G极串接第四电阻、第三电容后接桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅的K极和G极之间设有第七电阻，第一单向可控硅的K极和A极之间设有第六电阻，第二单向可控硅的K极和A极之间设有第五电阻，第一单向可控硅的G极与并联谐振回路相连。单向可控硅电路还包括与所述并联谐振回路相并联的雪崩稳压管。
文档编号H02H3/32GK201478796SQ200920177560
公开日2010年5月19日 申请日期2009年9月1日 优先权日2009年9月1日
发明者王笑丽 申请人:王笑丽