专利名称：抗电磁兼容能力的电子式漏电断路器的脱扣电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种漏电断路器，特别是一种抗电磁兼容(以下简称EMC)能力的 电子式漏电断路器的脱扣电路。
背景技术：
目前公知的电子式漏电断路器的电路图1所示，该图中由主电源线1、脱扣机构 2、零予电流互感器3、漏电信号放大器4、脱扣电路5、脱扣线圈6、电源电路7组成。根据 GB14048. 2-2008/IEC60747-2 2006标准规定，漏电断路器必需具有抗EMC能力，而现有的 电子式漏电断路器在验证EMC的浪涌项目时，漏电断路器会出现误跳闸的现象，因此达不 到标准的要求。
发明内容本实用新型抗电磁兼容能力的电子式漏电断路器包括主电源线1、脱扣机构2、零 予电流互感器3、漏电信号放大器4、脱扣电路5、脱扣线圈6、电源电路7，本实用新型在于克 服以上缺陷采用的技术方案是一种抗电磁兼容能力的电子式漏电断路器的脱扣电路，所述 的脱扣电路5由第一可控硅SCRl、第二可控硅SCR2、第一电阻Rl、第二电阻R2、二极管Dl、 稳压管DT1、电容Cl组成，所述的第一电阻Rl的一端、第一可控硅SCRl的阳极与电源电路 7的正极并联，第一可控硅SCRl的阴极与第二可控硅SCR2的阳极相联，第二可控硅SCR2的 阴极、电容Cl的负极端、稳压管DTl的正极端与电源电路7的负极并联，稳压管DTl的负极 端、电容Cl的正极端、第二电阻R2的一端与第一电阻Rl的另一端并联，第二电阻R2的另 一端与二极管Dl的正极端相联，二极管Dl的负极端与第一可控硅(SCRl)的触发极相联。本实用新型的优点在于抗电磁兼容性能强，功耗低。
以下结合附图2和实施例说明本实用新型的详细内容
图1 是公知的电子式漏电断路器的示意电路图图2 是本实用新型的电子式漏电断路器原理图
具体实施方式
按附图2的电路所示，本实用新型的抗电磁兼容能力的电子式漏电断路器包括主 电源线1、脱扣机构2、零予电流互感器3、漏电信号放大器4、脱扣电路5、脱扣线圈6、电源 电路7，所述的脱扣电路5中，由于稳压管DTl及二极管Dl的作用下，一；使漏电断路器在 待机工作时，A点与B点的电压始终保持在稳压管的稳压值，二 ；因第二可控硅SCR2处于关 断状态，使第一可控硅SCRl无触发回路，这样就形成两只串联关断可控硅电路，据以上两 点实施原理，因此在验证EMC浪涌项目时不能使附图2中脱扣电路的可控硅导通，起到了验 证EMC标准要求的目的。[0009] 当主电源线路产生漏电时，漏电信号放大器输出一触发信号，触发第二可控硅SCR2导通第一可控硅SCRl产生触发回路同时导通，使脱扣线圈得电动作推动脱扣机构切 断主电源达到保护作用。
权利要求一种抗电磁兼容能力的电子式漏电断路器的脱扣电路，其特征是所述的脱扣电路(5)由第一可控硅(SCR1)、第二可控硅(SCR2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、二极管(D1)、稳压管(DT1)、电容(C1)组成，所述的第一电阻(R1)的一端、第一可控硅(SCR1)的阳极与电源电路(7)的正极并联，第一可控硅(SCR1)的阴极与第二可控硅(SCR2)的阳极相联，第二可控硅(SCR2)的阴极、电容(C1)的负极端、稳压管(DT1)的正极端与电源电路(7)的负极并联，稳压管(DT1)的负极端、电容(C1)的正极端、第二电阻(R2)的一端与第一电阻(R1)的另一端并联，第二电阻(R2)的另一端与二极管(D1)的正极端相联，二极管(D1)的负极端与第一可控硅(SCR1)的触发极相联。
专利摘要本实用新型是一种抗电磁兼容能力的电子式漏电断路器的脱扣电路，所述的脱扣电路是由第一可控硅、第二可控硅、第一电阻、第二电阻、稳压管、二极管、电容组成，起到了验证EMC浪涌项目时不误动作的目的。
文档编号H02H3/32GK201594728SQ20102000435
公开日2010年9月29日 申请日期2010年1月16日 优先权日2010年1月16日
发明者王宇, 王继杰 申请人:王继杰