专利名称：一种缓冲开关电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及开关电路，尤其涉及一种缓冲开关电路。
背景技术：
开关电源主要用于功率转换，其中能量转换部分主要通过开关管的导通和关断完成能量的转换过程。如图1至图3所示，开关电源能量转换器部分最基本的拓扑形式为两种，即升压斩波(Boost)拓扑和降压斩波(Buck)拓扑，其他任何拓扑都是这两种基本拓扑的变种。自从开关电源出现以来，业界就一直致力于提高开关电源的功率密度，其中一个主要的手段就是提高工作频率。随着工作频率的提高，能量转换拓扑中的主要储能器件如电感L和电容C的容量都可以线性下降，从而可以减小电路的尺寸。但是，随着开关频率的提升，拓扑中一个重要的器件开关S的损耗也会线性上升，于是转换的效率下降，这是阻碍开关电源小型化的一个重要因素。以开关电源中常用的开关器件MOSFET为例来分析(对于IGBT也可以适用)， MOSFET开关管是沟道型相当于一个水闸，水闸越宽即沟道越宽导通电阻越小，但是闸门越宽开关的时间越长，而开关损耗是和开关时间成正比的。所以这是一个矛盾，不可能用单个开关管做到高速且低导通损耗的开关电路。
发明内容
本发明的目的在于提供一种降低开关器件上产生的损耗，提高开关频率的电路， 解决现有技术存在的缺憾。本发明采用如下技术方案实现一种缓冲开关电路，其特征在于，该电路包括通过导线相连的缓冲模块、开关模块、整流模块，其中所述缓冲模块通过一饱和电感缓冲所述开关模块的开通脉冲上升沿，通过一高速开关高导通电阻的MOS管缓冲所述开关模块的关断脉冲下降沿；所述开关模块通过一低速开关低导通电阻的MOS管实现电路通路的闭合与断开；所述整流模块用于将输出电压进行整形。进一步地，还包括与整流模块相连的整流保护模块，所述整流保护模块用于防止所述整流模块被反向击穿。进一步地，所述开关模块包括第一 MOS管和第一电感，所述缓冲模块包括第二电
感和第二 MOS管，所述整流滤波模块包括第一整流二极管、第二整流二极管、第三整流二极管，其中所述第一电感一端连接在输入端，另一端与第二电感相连，所述第二电感与第一 MOS管的漏极相连，所述第二 MOS管的漏极连接在第一电感和所述第一整流二极管之间，所述第二整流二极管和第三整流二极管同向串联后，其正极连接在所述第二电感和所述第一 MOS管的漏极之间，其负极与第一整流二极管的负极相连后再与一用于滤除负载两端输出电压杂波的滤波电容相连，所述第一、二 MOS管的源极和所述滤波电容、所述负载等电势连接。进一步地，所述第一电感为功率电感。进一步地，所述第一 MOS管的型号是FDB8832，所述第二 MOS管的型号是 IPD135N03L。进一步地，还包括第五电感和第三MOS管，所述第五电感一端与所述第二电感相连，另一端连接在第三MOS管的漏极上，所述第三MOS管与第一、二 MOS管、滤波电容和负载等电势连接。进一步地，所述整流保护模块包括第三电感、第四也感、限流电阻，所述第三电感通过励磁电源供电并与所述整流模块相连，所述限流电阻一端与第三电感相连，另一端与所述第四电感串联，所述第四电感与第一、三MOS管的源极、和所述滤波电容、所述负载等电势连接。进一步地，所述第三电感为饱和电感，所述第四电感为恒流源电感。本发明具备的有益技术效果是在现有技术开关电路的基础上增加缓冲模块，使得开关管做高速且低导通损耗； 整流保护模块能够防止整流二极管被反向击穿，保证开关电路正常工作。
图1是开关电源能量转换器升压斩波(Boost)的拓扑结构图。图2是开关电源能量转换器降压斩波(Buck)的拓扑结构图。图3是开关电源的功率转换原理框图。图4是MOSFET的等效电路图。图5是本发明缓冲开关电路第一实施例的电路原理图。图6是本发明缓冲开关电路第二实施例的电路原理图。图7是本发明缓冲开关电路第三实施例的电路原理图。图8是本发明开关周期状态分析饱和电感的磁滞回线图。图9是本发明缓冲开关电路饱和变压器波形分析图。图10是第一 MOS管Ql的开通波形图。图11是第二 MOS管Q2的开通波形图。图12是漏极电容震荡引起的Ql电流变化图。图13是第一 MOS管Ql的关断波形图。图14是第二 MOS管Q2的关断波形图。图15是第一 MOS管Ql向第二 MOS管Q2转移电流的软关断波形图。
具体实施例方式通过下面对实施例的描述，将更加有助于公众理解本发明，但不能也不应当将申请人所给出的具体的实施例视为对本发明技术方案的限制，任何对部件或技术特征的定义进行改变和/或对整体结构作形式的而非实质的变换都应视为本发明的技术方案所限定的保护范围。
如图1至图3所示，开关电源主要用于功率转换。其中能量转换部分主要通过开关管的导通和关断完成能量的转换过程。开关电源能量转换器部分最基本的拓扑形式为两种，即升压斩波(Boost)拓扑和降压斩波(Buck)拓扑，其他任何拓扑都是这两种基本拓扑的变种，图1和图2中虚线框内部为基本能量转换拓扑。如图4所示对现有技术MOSFET的等效模型进行损耗分析导通损耗主要是电阻 Rdson上的有效电流产生的损耗。驱动损耗是栅极fete对结电容Cgs和结电容Cgd充放电所造成的能量损失，主要和驱动电压的平方成正比，与频率和电容量成正比。漏极电荷损耗是指漏极电压存储在结电容Cgd和结电容Cds上的电荷在MOS开关时不断的充放电而造成能量损失。这部分与驱动损耗类似，只是电压为漏极电压的平方。开通损耗主要是因为在
开通的过程中漏极因结电容的影响电压不能突变，tMMw L Vds-Id假如电路为
开通损耗
漏极接电感的Boost拓扑，考虑最坏情况此处损耗功率为输出电压与电感最大电流的乘积的二分之一。由于开通损耗是存在于每个周期的，所以随着开关频率的提高，开通损耗线性增长。关断损耗产生的原因主要是功率电感上电流不能突变，因而当MOS管关断时造成漏极电压突变(考虑漏极结电容的影响，电压并不会突变，但在大电流情况下因结电容很小所以可以近似为突变)。与开通损耗类似的，最坏情况损耗功率为输出电压与电感最大电流
的乘积的二分之一。开通损耗与关断损耗的和为MOS的开关损耗，从Jj Vds Id
可以得出三种方法降低开关损耗1、提高开关速度；2、开关动作时，使得漏极电压为零(或很低)；3、开关动作时，使得漏极电流为零(或很低)。在图5和图6中本发明的缓冲开关电路包括通过导线相连的开关模块1、缓冲模块 2、整流模块3，其中缓冲模块2通过一饱和电感缓冲所述开关模块的开通上升沿，通过一高速开关高导通电阻的MOS管缓冲所述开关模块的关断脉冲下降沿；开关模块1通过一低速开关低导通电阻的MOS管实现电路通路的闭合与断开；整流模块3用于将输出电压进行整形，整流保护模块4用于防止整流模块3被反向击穿。如图5所示本发明第一实施例，第一电感Ll 一端连接在输入端IN，另一端与第二电感L2相连，第二电感L2与第一 MOS管Ql的漏极D相连，第二 MOS管Ql的漏极D连接在第一电感Ll和第一整流二极管Dl之间，第二整流二极管D2和第三整流二极管D3同向串联后，其负极连接在所述第二电感L2和第一 MOS管Ql的漏极D之间，其正极连接与第一整流二极管Dl的正极相连后再与一用于滤除负载两端输出电压杂波的滤波电容Cl相连，第一 MOS管Ql、第二 MOS管Q2的源极S、滤波电容Cl、负载IUoad等电势连接，第一电感Ll为功率电感，所述第二电感L2为饱和电感，第一 MOS管Ql的型号是FDB8832，第二 MOS管Q2 的型号是IPD135N03L，第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2需要驱动，第二电感L2靠工作电压自驱动。驱动时序如下1、第一MOS管Ql开通脉冲上升沿首先到达，漏极电荷对地释放，漏极电压下降。第一电感Ll输出端电压逐渐从第一 MOS管Ql的漏极D转移到第二电感L2两端，L2很大相当于开路，漏电流为磁芯的矫顽电流；2、第一 MOS管Ql完全导通，这个过程的损耗只有漏极电荷损耗。随后经过第二电感L2固有伏秒延迟后，第二电感L2饱和导通。第二 MOS管Q2漏极电荷对地释放，电压下降为零，Ll电流全部流经第二电感L2-第一 MOS管Ql。3、第二 MOS管Q2开通脉冲到来，零电压开通。4、第一 MOS管Ql关断脉冲下降沿到来，第一 MOS管Ql漏极电流开始下降，所下降电流全部转移到第二 MOS管Q2的漏极D。直到第一 MOS管Ql漏极电流下降到小于等于第二电感L2的矫顽电流，第二电感L2开始脱离饱和成为一个正常的电感。5、第一MOS管Ql漏极电流继续下降，由于第二电感L2的电感电流不能突变，所以第二电感L2电流开始给第一 MOS管Ql漏极电容充电，随着第一 MOS管Ql漏极电压上升 (最大上升到输出电压后被二极管D2D3钳位)，第二电感L2电流指数下降。6、第二 MOS管Q2关断脉冲下降沿到来，由于第二 MOS管Q2漏极结电容的存在以及分布电容的存在，第二 MOS管Q2软关断。随着第二 MOS管Q2的关断，第二 MOS管Q2漏极电压迅速上升到输出电压。这样上述六个步骤就完成了一个开关周期的工作。需要注意的是，第二 MOS管Q2关断会在漏极产生极高的dv/dt，如果这个dv/dt直接加在第一 MOS管Ql的漏极D，那么第一 MOS管Ql会被二次击穿。这里，第二电感L2起到了保护第一 MOS管Ql的作用，在第一 MOS管Ql漏极电压没有达到输出电压之前，已经脱离饱和的第二电感L2会保证第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2漏极之间的高阻抗，防止了第一 MOS管Ql的二次击穿。图8是本发明开关周期状态分析饱和电感的磁滞回线图Tl时刻第一 MOS管Ql进入导通期，此时第二电感L2未饱和(位于2点)因此第一 MOS管Ql导通仅为Ql漏极电荷损耗。T1-T2时间第二电感L2进入饱和导通(经过磁芯伏秒数的5%时间到达1点)， 第一 MOS管Ql上的电流瞬间达到第一电感Ll上的电流，第一整流二极管Dl上的电流为零截止，第二 MOS管Q2的电压电流均为零。T2时刻第二 MOS管Q2导通，由于第一 MOS管Ql导通压降很低所以第二 MOS管 Q2上的电流远低于第一 MOS管Ql。T2-T3时间为第一电感Ll的充电时间。T3时刻第一 MOS管Ql上截止沿到来，开始进入截止过程。T3-T4时间第一 MOS管Ql上的电流持续减小，因为第二 MOS管Q2导通，所以第一 MOS管Ql所减小的电流全部转移到第二 MOS管Q2上。此期间因为第一 MOS管Ql的关断电压为第二 MOS管Q2上的电压，所以第一 MOS管Ql接近为零电压关断。T4时刻第一 MOS管Ql完全关断，第一电感Ll上所有电流都转移到第二 MOS管 Q2上，第二电感L2上有Hs的电流，此电流给第一 MOS管Ql漏极电容充电，并通过D2-D3向负载输出，使得第二电感L2复位于2点。T4-T5时刻第一 MOS管Ql上的电流为零，需要关断第二 MOS管Q2以保证第一电感Ll向负载IUoad供电。第二 MOS管Q2必须拥有极高的关断速度以减小关断损耗。如果没有L2，则第二 MOS管Q2关断过程导致第一 MOS管Ql上的电压在几纳秒时间内上升到等于输出电压+第一整流二极管Dl的电压，从而产生很高的dv/dt击穿第一 MOS管Ql。T5时刻第二 MOS管2完全关断，第一电感Ll向负载输出能量。如图6所示本发明第二实施例，首先从磁电缓冲开关的原理分析可以看出，本发明的缓冲开关电路具有非常高速的开关速度，产生的脉冲沿是纳秒级别的。这样高速的开关，对整流电路产生了非常大的压力。整流二极管通常情况下会产生反向恢复问题，二极管上电流的变化率dl/dt越高，反向恢复电流就越大。因此，高速开关会导致整流二极管反向恢复电流增大，导致输出二极管的选择十分困难。同时无法在输出使用同步整流的方式降低大电流输出的损耗(因为同步整流MOSFET的体二极管反向恢复能力极差，会产生极大的反向恢复脉冲电流，从而引起电路的不稳定，并导致高损耗)。抑制二极管的反向恢复电流还需要引入另外一个饱和电感，这个饱和电感串联在输出二极管的后面，但另一个问题是， 这个饱和电感必须持续保持正向饱和，否则会阻挡第一电感Ll的输出，并产生很高的冲击电压。整流保护模块4的作用是防止整流二极管被反向击穿，整流保护模块4包括第三电感L3、第四电感L4、限流电阻R1，第三电感L3通过励磁电源供电，并与整流模块3相连，限流电阻Rl —端与第三电感L3相连，另一端与第四电感L4串联，第四电感L4与第一、三MOS 管的源极S、滤波电容Cl、负载IUoad等电势连接，其中第三电感L3为饱和电感，第四电感 L4为恒流源电感。整流保护模块4在稳态工作时，励磁电源使得第三电感L3处于饱和状态，其中工作时序如下1、当整流模块3导通时，由于第三电感L3已经饱和相当于一根导线，整流模块3 的电流只是增加了导线上的电流，所以毫无损耗的传输给负载moad。2、当整流模块3关断时，整流模块3上电流减小到零，这时第三电感L3仍然正向饱和。3、整流模块3由于结电容的存在，所以电流减小到零后继续减小为负值。这时，第三电感L3脱离饱和，并逐渐达到反向矫顽电流，这个电流等于两倍的励磁电流。4、在第三电感L3反向饱和之前，反向恢复电流逐渐被消耗直至为零。整个步骤2至步骤4的过程中，第三电感L3脱离了饱和区成为理想变压器，所以反向恢复电流会在励磁侧产生和励磁电压极性相同的感生电压叠加在励磁电压上。如果没有恒流源电感的存在，励磁电流会上升，从而无法起到阻碍反向恢复电流上升的作用。但由于恒流电感的存在，这个理想变压器还是个电抗器。反向恢复电流为零后，励磁电流继续起作用，从而使第三电感L3再一次进入饱和。图9是整流饱和模块的波形分析图，如图所示UTl时刻前整流模块3截止，第三电感L3上只有一个励磁电流，这个励磁电流使得第三电感L3正向饱和。2、T1-T2阶段，MOS关断，电流通过整流模块3逐渐增加到功率电感最大电流。第三电感L3磁通已经饱和，不会再增加。3、T2-T3阶段，功率电感向负载Rload放电。第三电感L3磁通继续饱和。4、Τ3_Τ5阶段，MOS开通，二极管的反向恢复，a) T3-T4电流反向，绝对值逐渐达到最大值(励磁电流+矫顽电流)磁通脱离正向饱和，并逐渐反向增加，在反向饱和伏秒到达之前，缓慢增加。b)T4-T5电流反向，但随着二极管节电容电荷的释放，反向电流逐渐减小到零。磁通随着反向电流的减小逐渐正向增加，直到反向电流为零，重新进入正向饱和。5、Τ5_Τ6阶段，等于第三电感L3以前，功率电感充电，整流模块3截止。如图7所示本发明第三实施例，与第一、二实施例不同之处在于，本实施例中还包括第五电感L5和第三MOS管Q3，第五电感L5 —端与第二电感L2相连，另一端连接在第三 MOS管Q3的漏极D上，第三MOS管Q3与第一、二 MOS管、滤波电容Cl和负载Rload等电势连接。当漏极电压很高的时候漏极电荷的损耗成为主要的损耗，增加第五电感L5和第三 MOS管Q3的目的是消除MOS的漏极电荷损耗。将一个高速的第三MOS管Q3与第一 MOS管 Ql并联，利用两个MOS之间的分布电感(或串联电感)将第一MOS管Ql的漏极电荷向负载转移，从而消除或减小第一 MOS管Ql的漏极电荷损耗。Ql的漏极电荷经由第五电感L5、第三MOS管Q3转移到负载lUoad。第三MOS管Q3先于第一 MOS管Ql开启，开启的时间长度为第三电感L3和第一 MOS管Ql漏极结电容组成的LC电路的瞬态响应时间。如图10所示，第一 MOS管Ql的驱动电压V 上升导通，Id(Ql)的波形曲线与 V(Ql_d)的波形曲线的相交点为功率损耗点，从图中可看出功率损耗点偏下，达到了减少功率损耗的目的。如图11所示，V^!2_d)为第二 MOS管的漏极电压，第二 MOS管Q2零电压/零电流导通。如图13所示，第一 MOS管Ql的漏极电压V^!l_d)和漏极电流IcKQl)的相交点为功率损耗点，从图中可看出功率损耗点偏下，达到了减少功率损耗的目的。如图14所示，第二MOS管Q2关断为硬关断，漏极电压AKQl_d)和漏极电流IcKQl) 的相交点较高，但由于关断时间很短(纳秒级)，故功率损耗低。当然，本发明还可以有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下， 熟悉本领域的技术人员可以根据本发明做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种缓冲开关电路，其特征在于，该电路包括通过导线相连的缓冲模块、开关模块、 整流模块，其中所述缓冲模块通过一饱和电感缓冲所述开关模块的开通脉冲上升沿，通过一高速开关高导通电阻的MOS管缓冲所述开关模块的关断脉冲下降沿；所述开关模块通过一低速开关低导通电阻的MOS管实现电路通路的闭合与断开；所述整流模块用于将输出电压进行整形。
2.根据权利要求1所述的缓冲开关电路，其特征在于，还包括与整流模块相连的整流保护模块，所述整流保护模块用于防止所述整流模块被反向击穿。
3.根据权利要求1或2所述的缓冲开关电路，其特征在于，所述开关模块包括第一MOS 管和第一电感，所述缓冲模块包括第二电感和第二 MOS管，所述整流滤波模块包括第一整流二极管、第二整流二极管、第三整流二极管，其中所述第一电感一端连接在输入端，另一端与第二电感相连，所述第二电感与第一 MOS 管的漏极相连，所述第二 MOS管的漏极连接在第一电感和所述第一整流二极管之间，所述第二整流二极管和第三整流二极管同向串联后，其正极连接在所述第二电感和所述第一 MOS管的漏极之间，其负极与第一整流二极管的负极相连后再与一用于滤除负载两端输出电压杂波的滤波电容相连，所述第一、二 MOS管的源极和所述滤波电容、所述负载等电势连接。
4.根据权利要求3所述的缓冲开关电路，其特征在于，所述第一电感为功率电感。
5.根据权利要求3所述的缓冲开关电路，其特征在于，所述第一MOS管的型号是 FDB8832，所述第二 MOS管的型号是IPDi;35N03L。
6.根据权利要求3所述的缓冲开关电路，其特征在于，还包括第五电感和第三MOS管， 所述第五电感一端与所述第二电感相连，另一端连接在第三MOS管的漏极上，所述第三MOS 管的源极与第一、二 MOS管、滤波电容和负载等电势连接。
7.根据权利要求2所述的缓冲开关电路，其特征在于，所述整流保护模块包括第三电感、第四电感、限流电阻，所述第三电感通过励磁电源供电并与所述整流模块相连，所述限流电阻一端与第三电感相连，另一端与所述第四电感串联，所述第四电感与第一、二、三MOS 管的源极、和所述滤波电容、所述负载等电势连接。
8.根据权利要求7所述的缓冲开关电路，其特征在于，所述第三电感为饱和电感，所述第四电感为恒流源电感。
全文摘要
本发明公开了一种缓冲开关电路，该电路包括通过导线相连的缓冲模块、开关模块、整流模块，其中所述缓冲模块用于缓冲所述开关模块的开通脉冲上升沿和关断脉冲下降沿；所述开关模块用于实现电路通路的闭合与断开；所述整流模块用于将输出电压进行整形，所述整流保护模块用于防止所述整流模块被反向击穿。本发明的缓冲开关电路在现有技术开关电路的基础上增加缓冲模块，使得开关管高速且低导通损耗；整流保护模块能够防止整流二极管被反向击穿，保证开关电路正常工作。
文档编号H02M1/08GK102447378SQ201110434300
公开日2012年5月9日 申请日期2011年12月22日 优先权日2011年12月22日
发明者李 东 申请人:李 东