专利名称：一种抗直流电磁干扰的高效逆变器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及逆变电源的技术领域，尤指涉及一种抗直流电磁干扰的高效逆变器。
背景技术：
逆变器是一种电能转换装置，主要实现由直流到交流的能量转换。并网逆变器包括光伏并网逆变器、风能并网逆变器、燃料电池并网逆变器等。并网逆变器能将可再生能源产生的能量高效能的转换为可并接至市电的与市电同频率、同相位的交流电。按其电路形式来划分半桥逆变电源及全桥逆变电源。其中，全桥逆变器电源的控制方式有两种单极性PWM调制，双极性PWM调制。双极性PWM调制同一桥臂的两个开关管互补驱动，由于开关管导通、截止特性的不一致性以及死区时间的控制电路参数的不一致， 可能导致同一桥臂的两个开关管同时导通，进而导致开关管损坏。单极性PWM控制有在市电正负半周都只有一个开关管作高频切换，导致输出电感的利用率下降，进而降低了逆变器电源的效率；同时，该种控制方式的DC EMI (直流电磁干扰)问题也很突出。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构简单、适于提升逆变器效率并改善直流电磁干扰的高效逆变器。为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种抗直流电磁干扰的高效逆变器， 其特点是包括四个MOS管S1、S2、S3和S4、两个IGBT管S5和S6、两个二极管Dl和D2和两个滤波电感Ll和L2 ；第一、第二 MOS管S1、S2的电流输入端与直流电源SG的正极相连， 第一 MOS管Sl的电流输出端同时与第三MOS管S3和第一 IGBT管S5的电流输入端相连， 第三、第四MOS管S3、S4的电流输出端与直流电源SG的负极相连，第二 MOS管S2的电流输出端同时与第二 IGBT管S6的电流输入端和第二滤波电感L2的内侧接线端相连，第二 IGBT 管S6的电流输出端同时与第四MOS管S4的电流输入端和第一二极管Dl的阳极相连；第一 MOS管Sl的电流输出端同时与第一二极管Dl的阴极和第一滤波电感Ll的内侧接线端相连，第一、第二滤波电感Li、L2的外侧端为交流电源输出端；第一 IGBT管S5的电流输出端与第二二极管D2的阳极相连，第二二极管D2的阴极与第二滤波电感L2的内侧接线端相连。进一步，所述直流电源SG的正、负极两端设有滤波电容Cl，用于降低逆变环节输入纹波。直流电源SG为直流能量产生装置，例如太阳能面板、风能、燃料电池等。进一步，所述第一、第四MOS管Si、S4的控制端分别经一调制电路与一微控制器 MCU的第一高频脉冲信号输出端相连，所述第二、第三MOS管S2、S3的控制端分别经调制电路与微控制器MCU的第二高频脉冲信号输出端相连；所述两个IGBT管S5和S6分别与微控制器MCU的两个工频脉冲信号输出端相连；所述第一滤波电感Ll和第二滤波电感L2的外侧端接交流负载或电网Grid。[0008]进一步，所述调制电路用于将微控制器MCU输出的高频脉冲信号与一正弦信号调制成用于驱动所述四个MOS管S1、S2、S3和S4的高频触发信号；所述正弦信号与所述交流负载或电网Grid上的交流电源Vgrid同频率且同相位。进一步，所述微控制器MCU连接有用于检测所述电网Grid上的交流电源Vgrid相位的相位传感器，以使所述正弦信号的相位与所述电网Grid上的交流电源Vgrid的相位相同，同时使微控制器MCU输出的用于控制第一 IGBT管S5的第一工频脉冲信号与所述正弦信号同相位，使微控制器MCU输出的用于控制第二 IGBT管S6的第二工频脉冲信号与所述正弦信号反相位。本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点(1)本实用新型的高效逆变器相对于传统全桥电路，在每个桥臂上都增加了一个高频晶体管，使得无论在正半周或负半周，两个电感同时工作，在提高电感利用率的同时，改善了 DC EMI问题。相对于传统逆变电路结构而言，该结构提高了电感的利用率，减小了续流路径，进而提升了整机效率； 同时降低了机器的DC EMI，使得逆变器各方面性能提升。O)、由于续流装置的引入，使得储能装置(即电容Cl)不参与续流过程，图1中的A、B两点的电位在续流过程中电位保持基本相等，且逆变状态与续流状态A、B两点电位变化量较小，这降低了 DC EMI问题。(3)、 本实用新型中的逆变装置采用的四个晶体管皆作高频切换，这使得无论在正负半周，两个滤波电感Ll和L2的内侧接线端的电位都呈高频脉冲，其外侧接线端为市电，这提高了滤波电感的利用率。G)、本实用新型引入续流回路，使得续流回路变短，从而降低损耗提升了效率。在市电正和负半周都会有两个晶体管做高频切换，相应的低频晶体管与二极管做续流。 在市电正或负半周会有一个低频晶体管参与能量转换。所有晶体管的寄生二极管皆不参与能量转换及续流。
为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据的具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中图1为实施例中的高效逆变器的结构示意图；图2为实施例中的高效逆变器的控制部分的电路框图；图3为实施例中的高效逆变器工作时各部件上的波形图；图4为实施例中的高效逆变器输出正半周交流电时的电流回路示意图；图5为实施例中的高效逆变器输出正半周交流电时的续流回路示意图；图6为实施例中的高效逆变器输出负半周交流电时的电流回路示意图；图7为实施例中的高效逆变器输出负半周交流电时的续流回路示意图。
具体实施方式
见图1-7，本实施例的抗直流电磁干扰的高效逆变器包括为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种高效逆变器，其特点是包括四个MOS管Si、S2、S3和S4、两个 IGBT管S5和S6、两个二极管Dl和D2和两个滤波电感Ll和L2 ；第一、第二 MOS管Si、S2 的电流输入端与直流电源SG的正极相连，第一 MOS管Sl的电流输出端同时与第三MOS管 S3和第一 IGBT管S5的电流输入端相连，第三、第四MOS管S3、S4的电流输出端与直流电源SG的负极相连，第二 MOS管S2的电流输出端同时与第二 IGBT管S6的电流输入端和第二滤波电感L2的内侧接线端相连，第二 IGBT管S6的电流输出端同时与第四MOS管S4的电流输入端和第一二极管Dl的阳极相连；第一 MOS管Sl的电流输出端同时与第一二极管 Dl的阴极和第一滤波电感Ll的内侧接线端相连，第一、第二滤波电感L1、L2的外侧端为交流电源输出端；第一 IGBT管S5的电流输出端与第二二极管D2的阳极相连，第二二极管D2 的阴极与第二滤波电感L2的内侧接线端相连。所述直流电源SG的正、负极两端设有滤波电容Cl。所述第一、第四MOS管Si、S4的控制端分别经一调制电路与一微控制器MCU的第一高频脉冲信号输出端相连，所述第二、第三MOS管S2、S3的控制端分别经调制电路与微控制器MCU的第二高频脉冲信号输出端相连；所述两个IGBT管S5和S6分别与微控制器MCU 的两个工频脉冲信号输出端相连；所述第一滤波电感Ll和第二滤波电感L2的外侧端接交流负载或电网Grid ；所述调制电路用于将微控制器MCU输出的高频脉冲信号与一正弦信号调制成用于驱动所述四个MOS管S1、S2、S3和S4的高频触发信号；所述正弦信号与所述交流负载或电网Grid上的交流电源Vgrid同频率且同相位。工作时，所述微控制器MCU使第一 IGBT管S5导通半个工频周期，同时使第一、第四MOS管Si、S4和第二 IGBT管S6截止，并使第二、第三MOS管S2、S3在所述高频触发信号的同步触发下作高频同步切换(即在截止和导通两种状态之间作高频同步切换)，以使第一、第二滤波电感L1、L2的外侧端输出交流电源Vgrid之正半周；然后所述微控制器MCU 使第二 IGBT管S6导通半个工频周期，同时使第二、第三MOS管S2、S3和第一 IGBT管S5截止，第一、第四MOS管S1、S4在所述高频触发信号的同步触发下作高频同步切换，以使第一、 第二滤波电感Li、L2的外侧端输出交流电源Vgrid之负半周，如此反复。在所述第一、第二滤波电感Li、L2的外侧端输出交流电源Vgrid之正半周期间， 当所述高频触发信号为高电平时，第二、第三MOS管S2、S3导通，直流电源SG的正极、第二 MOS管S2、第二滤波电感L2、交流负载或电网Grid、第一滤波电感Li、第三变晶体管S3和直流电源SG的负极依次构成电流回路；当高频触发信号为低电平时，第二、第三MOS管S2、S3 截止，第二滤波电感L2、交流负载或电网Grid、第一滤波电感Li、第一 IGBT管S5和第二二极管D2依次构成续流回路。在所述第一、第二滤波电感L1、L2的外侧端输出交流电源Vgrid之负半周期间，当高频触发信号为高电平时，第一、第四MOS管Si、S4导通，直流电源SG的正极、第一 MOS管 Si、第一滤波电感Li、交流负载或电网Grid、第二滤波电感L2、第四变晶体管S4和直流电源 SG的负极依次构成电流回路；当高频脉冲信号为低电平时，第一、第四MOS管Si、S4截止， 第一滤波电感Li、交流负载或电网Grid、第二滤波电感L2、第二 IGBT管S6和第一二极管 Dl依次构成续流回路。所述微控制器MCU连接有用于检测所述电网Grid上的交流电源Vgrid相位的相位传感器，以使所述正弦信号的相位与所述电网Grid上的交流电源Vgrid的相位相同，同时使微控制器MCU输出的用于控制第一 IGBT管S5的第一工频脉冲信号与所述正弦信号同相位，使微控制器MCU输出的用于控制第二 IGBT管S6的第二工频脉冲信号与所述正弦信号反相位。所述四个MOS管Si、S2、S3和S4的控制端为所述MOS管的栅极，两个IGBT管S5和S6的控制端为所述IGBT管的栅极，所述四个MOS管S1、S2、S3和S4的电流输出端为MOS 管的源极，两个IGBT管S5和S6的电流输出端为IGBT管的发射极，所述四个MOS管S1、S2、 S3和S4的电流输入端为MOS管的漏极，两个ICBT管S5和S6的电流输入端为IGBT管的集电极。所述高频脉冲信号为ΙΟ-ΙΟΟΚΗζ的高频脉冲信号。显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本实用新型的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
权利要求1.一种抗直流电磁干扰的高效逆变器，其特征在于包括四个同一型号的MOS管(Si、 S2、S3和S4)、两个同一型号的IGBT管(S5和S6)、两个二极管(Dl和拟)和两个滤波电感 (Li 禾口 L2)；第一、第二 MOS管(Si、S2)的电流输入端与直流电源(SG)的正极相连，第一 MOS管 (Si)的电流输出端同时与第三MOS管(S3)和第一 IGBT管(S5)的电流输入端相连，第三、 第四MOS管(S3、S4)的电流输出端与直流电源(SG)的负极相连，第二 MOS管(S2)的电流输出端同时与第二 IGBT管(S6)的电流输入端和第二滤波电感(L2)的内侧接线端相连，第二 IGBT管(S6)的电流输出端同时与第四MOS管(S4)的电流输入端和第一二极管(Dl)的阳极相连；第一 MOS管(Si)的电流输出端同时与第一二极管(Dl)的阴极和第一滤波电感(Li) 的内侧接线端相连，第一、第二滤波电感(L1、L2)的外侧端为交流电源输出端；第一 IGBT管(S5)的电流输出端与第二二极管(D2)的阳极相连，第二二极管(D2)的阴极与第二滤波电感(U)的内侧接线端相连；述直流电源(SG)的正、负极两端设有滤波电容(Cl)。
2.根据权利要求1所述的抗直流电磁干扰的高效逆变器，其特征在于所述第一、第四 MOS管(S1、S4)的控制端分别经一调制电路与一微控制器(MCU)的第一高频脉冲信号输出端相连，所述第二、第三MOS管(S2、S3)的控制端分别经调制电路与微控制器(MCU)的第二高频脉冲信号输出端相连；所述两个IGBT管(S5和S6)分别与微控制器(MCU)的两个工频脉冲信号输出端相连；所述第一滤波电感(Li)和第二滤波电感(U)的外侧端接交流负载或电网(Grid)。
3.根据权利要求2所述的抗直流电磁干扰的高效逆变器，其特征在于所述微控制器 (MCU)连接有用于检测所述电网(Grid)上的交流电源(Vgrid)相位的相位传感器。
专利摘要本实用新型涉及一种结构简单、适于提升逆变器效率并改善直流电磁干扰的高效逆变器，其包括四个MOS管、两个IGBT管、两个二极管和两个滤波电感；工作时，微控制器使第一IGBT管导通半个工频周期，同时使第一、第四MOS管和第二IGBT管截止，并使第二、第三MOS管在所述高频触发信号的同步触发下作高频同步切换，以使第一、第二滤波电感的外侧端输出交流电源之正半周；然后所述微控制器使第二IGBT管导通半个工频周期，同时使第二、第三MOS管和第一IGBT管截止，第一、第四MOS管在所述高频触发信号的同步触发下作高频同步切换，以使第一、第二滤波电感的外侧端输出交流电源之负半周，如此反复。
文档编号H02M7/5387GK202121519SQ201120051729
公开日2012年1月18日 申请日期2011年3月2日 优先权日2011年3月2日
发明者丁永强 申请人:深圳格瑞特新能源有限公司