专利名称：可控硅散热保护一体化结构的制作方法
技术领域：
可控硅散热保护一体化结构[0001]技术领域[0002]本实用新型涉及ー种可控硅散热及保护功能一体化结构的装置，属于电エ技术领域。[0003]背景技术[0004]可控硅是电カ电子技术中常用的元器件，可控硅工作时由于自身功耗而发热，如若不采取适当措施将这种热量散发出去，会引起模块管芯PN结温度极度上升，致使器件损坏。通常采用的冷却方式为风冷散热。[0005]除此之外，可控硅还需要过电流保护和过电压保护，需要在其电气连接回路里面串联快速熔断器、并联阻容吸收回路。[0006]目前公开的可控硅及保护回路结构方案如下[0007]可控硅单独压装于散热器中，组成可控硅组件；阻容吸收回路安装于独立的结构件上，通过接线连到可控硅组件；快速熔断器采用铜排连接到可控硅组件。这种结构较简单，但阻容吸收回路引线长，保护效果不佳，而且结构不紧凑，风冷散热效果不理想，在一定程度上限制了其应用范围和可靠性。[0008]实用新型内容[0009]本实用新型所要解决的技术问题是提供ー种可控硅散热保护一体化结构，可有效地避免传统设计中所遇到的散热效果不佳、阻容吸收效果不理想、占用空间大等问题。[0010]为解决上述技术问题，本实用新型提供ー种可控硅散热保护一体化结构，包括由可控硅及散热器组成的可控硅组件、快速熔断器及阻容吸收装置，其特征在干所述阻容吸收装置包含电阻和电容，所述电阻和所述电容分别通过电阻支撑件和电容支撑件安装固定在所述散热器上，所述电阻和电容之间用连接片相连，所述可控硅组件与所述快速熔断器之间采用软连接相连。[0011]所述电容和所述电阻之间留有ー间隙，作为散热的通风风道。[0012]所述快速熔断器与所述可控硅组件之间的软连接安装在所述电阻的下方。快速熔断器位于不挡住散热的通风风道的位置。[0013]本实用新型所达到的有益效果本实用新型采用模块化设计，布线简单、集成化程度高、直观可靠，有效节约使用空间；阻容吸收装置更靠近可控硅，吸收效果好；辅助元件 (快速熔断器、电阻、电容)散热与可控硅散热设计融为一体，安装组合方便，保护效果更好， 具有较强的通用性。[0014]
[0015]图I为本实用新型的电气原理图；[0016]图2为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
[0017]
以下结合附图对本实用新型作进ー步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。[0018]本实用新型的可控硅散热保护一体化结构如图2所示，每个集成模块包括快速熔断器(FU) I、阻容连接件2、电容(C) 3、电容支撑件4、软连接5、电阻(R) 6、电阻支撑件7 和由可控硅(SCR)及散热器组成的可控硅组件8，其电气原理图如图I所示。[0019]电容3和电阻6通过电容支撑件4和电阻支撑件7分别连接固定在可控硅组件8 上，电容3和电阻6之间用连接片2相连(图2中连接片2有部分被快速熔断器I遮挡)，快速熔断器I则通过软连接5与可控硅组件8相连。[0020]该可控硅散热保护一体化结构同样适合于其他元器件的散热保护，如ニ极管等。[0021]以上以较佳实施例公开了本实用新型，然其并非用以限制本实用新型，凡采用等同替换或者等效变换方式所获得的技术方案，均落在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种可控硅散热保护一体化结构，包括由可控硅及散热器组成的可控硅组件、快速熔断器及阻容吸收装置，其特征在于所述阻容吸收装置包含电阻和电容，所述电阻和所述电容分别通过电阻支撑件和电容支撑件安装固定在所述散热器上，所述电阻和电容之间用连接片相连，所述可控硅组件与所述快速熔断器之间采用软连接相连。
2.根据权利要求I所述的可控硅散热保护一体化结构，其特征在于所述电容和所述电阻之间留有一间隙，作为散热的通风风道。
3.根据权利要求I所述的可控硅散热保护一体化结构，其特征在于所述快速熔断器与所述可控硅组件之间的软连接安装在所述电阻的下方。
专利摘要本实用新型提供一种可控硅散热与保护功能一体化的结构，包括由可控硅及散热器组成的可控硅组件、快速熔断器及阻容吸收装置，其特征在于阻容吸收装置包含电阻和电容，电阻和电容分别通过电阻支撑件和电容支撑件安装固定在散热器上，电阻和电容之间用连接片相连，可控硅组件与快速熔断器之间采用软连接相连。本实用新型采用模块化设计，布线简单、集成化程度高、直观可靠，有效节约使用空间；阻容吸收装置靠近可控硅，吸收效果好；辅助元件(快速熔断器、电阻、电容)散热与可控硅散热设计融为一体，安装组合方便，具有较强的通用性。
文档编号H02H7/20GK202384756SQ20112052443
公开日2012年8月15日 申请日期2011年12月15日 优先权日2011年12月15日
发明者季婷婷, 徐春建, 王海军 申请人:国电南瑞科技股份有限公司