专利名称：用于超高压晶片的静电放电保护电路的制作方法
用于超高压晶片的静电放电保护电路技术领域
本发明有关于一种静电放电保护电路，且特别是有关于一种用于超高压晶片的静电放电保护电路。
背景技术：
一般来说,静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)电流是电子产品在连接过程中出现的主要问题之一，除了人体的触碰可能导致静电放电电流的产生之外，电子产品本身也会因累积静电而产生静电放电电流。
随着电子产品的进步，消费者除了注重电子产品本身的功能之外，电子产品若是可以外接各式各样的电子配备，更有助于提高消费者购买的意愿。举例来说，多功能化及小型化已成为目前手持式电子产品设计的趋势，为了让手持式电子产品能够整合周边的电子配备，其传输界面(例如I/o端口)通常会随之增多。然而于实际使用中，若传输界面越多，往往越容易导致静电放电电流通过传输界面进入电子产品中，进而干扰或损坏电子产品内部的集成电路。
特别是，当电子产品内部的集成电路有一部分是操作在超高电压环境时，若直接将超高电压环境中的静电放电电流导弓I至一般电压的电路中，将很容易造成电子产品中许多电路或电子零件失效(例如收到过大的电流或过热)，使得电子产品制造商蒙受不少损失。因此，业界亟欲解决在超高压晶片中的静电放电电流问题，以提高电子产品的良率及可靠度。发明内容
本发明提供一种用于超高压晶片的静电放电保护电路，可以主动侦测静电放电电流是否产生，并提供适当的电流传输路径以释放静电放电电流。当侦测到静电放电电流时，所述静电放电保护电路会导通内部的一个功率半导体元件，而开放自高电压隔离阱区的电源线至电位转换电路的电流传输路径，避免操作于一般电压的电路受到破坏。
本发明实施例提供一种用于超高压晶片的静电放电保护电路，所述静电放电保护电路耦接电位转换电路，并通过电位转换电路耦接接地端。所述静电放电保护电路包括电源箝制模块与至少一个开关模块。电源箝制模块耦接于第一高压端与第一低压端之间，用以自第一高压端或第一低压端侦测静电放电电流，据以产生控制信号。开关模块包括第一电阻与第一功率半导体元件，第一电阻耦接于第一高压端与电位转换电路之间，第一功率半导体元件并联耦接第一电阻，且第一功率半导体元件受控于控制信号以选择性地导通第一电流传输路径，使得第一高压端通过第一电流传输路径电性连接至电位转换电路，其中第一低压端与该接地端的电位差大于第一电压临界值。
于本发明一实施例中，所述静电放电保护电路与电位转换电路是经由同一半导体工艺形成于同一超高压晶片中。此外，第一功率半导体元件的控制极可耦接电源箝制模块以接收控制信号，第一功率半导体元件的第一电极可耦接第一高压端，且第一功率半导体元件的第二电极可耦接电位转换电路。另外，电源箝制模块至少包括一个第二电阻与一个第一电容，第二电阻与第一电容稱接于第一高压端与第一低压端之间，且第二电阻通过第一节点串联耦接与第一电容，电源箝制模块是侦测第一节点上的电位变化量，据以产生控制信号。
综上所述，本发明提供的用于超高压晶片的静电放电保护电路，当电源箝制模块判断静电放电电流产生时，可即时提供适当的电流传输路径以释放静电放电电流。换句话说，当电源箝制模块侦测到静电放电电流时，所述静电放电保护电路会导通内部开关模块中的一个功率半导体元件，而开放自高电压隔离阱区的电源线至电位转换电路的电流传输路径，避免操作于一般电压的电路受到破坏。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举本发明的较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
图1所示为依据本发明一实施例的静电放电保护电路的电路示意图2所示为依据本发明另一实施例的静电放电保护电路的电路示意图3所示为依据本发明再一实施例的静电放电保护电路的电路示意图4所示为依据本发明又一实施例的静电放电保护电路的电路示意图5所示为依据本发明又一实施例的静电放电保护电路的电路示意图6所示为依据本发明又一实施例的静电放电保护电路的电路示意图7所示为依据本发明又一实施例的静电放电保护电路的电路示意图8所示为依据本发明又一实施例的静电放电保护电路的电路示意图9所示为依据本发明又一实施例的静电放电保护电路的电路示意图。
其中，附图标记说明如下:
Ia I1:静电放电保护电路；10、10a IOc:电源箝制模块；
102:反相器；104、104a:晶体管；
12a 12k:开关模块；
14a 14b:功率半导体元件；
16a 16b: 二 极管；18:栅极驱动器；
20a 20c:传输界面；
3:电位转换电路；30:电位转换控制器；
32a,32b:可耐高压的功率晶体管；
40a:电源箝制模块；40b: 二极管；
42:电源箝制模块；
VB:第一高压端；VS:第一低压端；
VSS:接地端；VCC:第二低压端；
VDD:第三高压端；
H:高电压隔离阱区；
A、B:节点；
H、、:电阻；
C1:电容；
Qla、Qlb:功率半导体元件。
具体实施方式
〔静电放电保护电路的实施例〕
请参见图1，图1所示为本发明一实施例的静电放电保护电路的电路示意图。如图1所示，本实施例的静电放电保护电路Ia具有电源箝制模块10、开关模块12a、开关模块12b、功率半导体元件14a、功率半导体元件14b以及二极管16a、二极管16b,且静电放电保护电路Ia分别耦接栅极驱动器18与电位转换电路3。由于栅极驱动器18主要是用来推动马达、线圈等需要较高电压的电器设备，而使得静电放电保护电路Ia与栅极驱动器18工作于高电压环境，故从电路布局的角度来看，静电放电保护电路Ia与栅极驱动器18是位于高电压隔离阱区H之中。此外，电位转换电路3与其他一般电路无特别区别。
于实际使用中，电位转换电路3可通过电位转换控制器30控制两个可耐高压的功率晶体管32a、32b，用以抬高高电压隔离阱区H的电压电平，使得高电压隔离阱区H的基础电压电平(第一低压端VS的电压)与一般电路的基础电压电平(接地端VSS的电压)之间具有一个电压临界值。此外，栅极驱动器18所欲推动的电器设备(未在图中示出)是连接在传输界面20a、传输界面20b、传输界面20c上，且所述电器设备往往预设有最适合进行操作的工作电压区间，为了使栅极驱动器18的输出电压可以在所述电器设备预设的工作电压区间内，高电压隔离阱区H需要垫高第一低压端VS的电压，使第一低压端VS的电压符合所述电器设备的工作电压区间的下限。也就是说，本实施例的电压临界值实际上即是参考所述电器设备的工作电压区间所决定。
举例来说，若所述电器设备的需要操作在325V到342V这个区间内，则高电压隔离阱区H的第一高压端VB即可以设计具有大约342V左右的电压，而高电压隔离阱区H的第一低压端VS可以设计具有大约325V左右的电压电平。相对于一般电路接地端VSS的电压电平(OV)来说，高电压隔离阱区H大约可垫高一个电压临界值(也就是325V)的电压电平，使得栅极驱动器18可以输出用符合所述电器设备所需的电压。
换句话说，由于高电压隔离阱区H中的电压变化幅度有限，故高电压隔离阱区H中的电路元件仅需符合约30V的耐压需求。另一方面,本实施例的电位转换电路3由于承受了 300V以上的电压差，故电位转换电路3在设计时则需要相对更高的耐压需求(例如设计上可使用耐压约700V的元件)。此外，静电放电保护电路la、栅极驱动器18与电位转换电路3是经由同一半导体工艺形成于同一超高压晶片中，以下分别就静电放电保护电路Ia的各部元件以及其他搭配的电路做详细的说明。
电源箝制模块10耦接于第一高压端VB与第一低压端VS之间，用以自第一高压端VB或第一低压端VS侦测静电放电电流，据以产生控制信号。在此，电源箝制模块10包括了电阻R1、电容C1、反相器102与晶体管104，其中电阻R1、电容C1与反相器102可以视为一个ESD暂态检测单元，而晶体管104并联耦接所述ESD暂态检测单元。此外，电源箝制模块10中的晶体管104的栅极耦接于反相器102的输出端(节点B)，而反相器102的输入端则连接于电阻R1和电容C1之间的节点A。
于实际使用中，电源箝制模块10是侦测节点A上的电位变化量，接着所述侦测结果经过反相器102反相，而自节点B上得到控制信号。另外，电容C1可以由一种NMOS功率金氧半晶体管所构成，而反相器102可以由PMOS功率金氧半晶体管以及NMOS功率金氧半晶体管所构成，所属领域技术人员可视情况自由改变设计，本发明并不以此为限。
开关模块12a包括了电阻R2a与功率半导体元件Qla，电阻R2a耦接于第一高压端VB与电位转换电路3之间，功率半导体元件Qla并联耦接电阻R2a，且功率半导体元件Qla受控于控制信号以选择性地使得第一高压端VB电性连接至电位转换电路3。详细来说，本实施例的功率半导体元件Qla可以是NMOS功率金氧半晶体管，而功率半导体元件Qla的控制极(栅极)耦接在电源箝制模块10的节点B上，功率半导体元件Qla的第一电极(漏极)耦接第一高压端VB，且功率半导体元件Qla的第二电极(源极)耦接电位转换电路3。
藉此，当节点B上的控制信号驱动功率半导体元件Qla的控制极导通时，功率半导体元件Qla的内部即可提供一条由第一高压端VB到电位转换电路3的电流传输路径，用以避免静电放电电流进入电阻R2a而在超高压晶片中流窜。当然，除了开关模块12a之外，实际上更可具有另一组开关模块12b，所属领域技术人员可视情况改变开关模块的数量，本发明并不以此为限。
请继续参见图1，功率半导体元件14a于本实施例中可以是NMOS功率金氧半晶体管，功率半导体元件14a的控制极(栅极)耦接第一低压端VS，功率半导体元件14a的第一电极(漏极)耦接第一高压端VB，且功率半导体元件14a的第二电极(源极)耦接在功率半导体元件Qla的第二电极(源极)与电位转换电路3之间的节点上。在此，除了功率半导体元件14a之外，实际上还可具有另一组功率半导体元件14b，而功率半导体元件14b与开关模块12b之间的连接关系相同于功率半导体元件14a与开关模块12a之间的连接关系，本实施例在此不予赘述。
二极管16a、二极管16b串联耦接于第一高压端VB与第一低压端VS之间，用以提供第一低压端VS至第一高压端VB的单向的电流传输路径。于实际使用中，栅极驱动器18由于需要推动马达、线圈等设备，故在此栅极驱动器18举例示出三个传输界面(例如可分别对应后端设备所需要的三相电压)，也就是栅极驱动器18的输出端为传输界面20a、传输界面20b、传输界面20c。在此,传输界面20a、传输界面20b、传输界面20c所乘载的电压未必相同，例如传输界面20a与传输界面20c约有17V左右的电压差,而传输界面20a与传输界面20b的电压差应小于17V。
由图1可知，二极管16a耦接在传输界面20a与传输界面20b之间，而二极管16b耦接在传输界面20b与传输界面20c之间。本实施例的二极管16a与二极管16b的功能在于，不论静电放电电流从传输界面20b或传输界面20c馈入，均可通过本实施例的二极管16a与二极管16b而将静电放电电流导引到第一高压端VB。当然,若静电放电电流从传输界面20a馈入，由于静电放电电流已经在第一高压端VB上，则此时二极管16a与二极管16b不动作。换句话说，二极管16a与二极管16b用以导引各个传输界面馈入的静电放电电流到第一高压端VB上，于实际使用中所属领域技术人员当然可以使用不同数量的二极管或者变化设计引导静电放电电流的电路，本发明并不以此为限。
从本实施例电路的实际作动方式来看，举例来说，当静电放电电流从传输界面20c馈入时，静电放电电流会先从二极管16a与二极管16b构成的电流传输路径集中到第一高压端VB上。此外，在稳态时，电容C1在被充饱电的状态，节点A的电压几乎等于第一高压端VB的电压。静电放电电流的出现会瞬间将节点A的电压拉低(接近第一低压端VS的电压)，而由于节点B上的电压变化量与节点A上的电压变化量互为反相关系，故节点B的电压会瞬间被抬高。这个瞬间被抬高的的电压即为控制信号，藉此导通了晶体管104、功率半导体元件Qla以及功率半导体元件Qlb。
由上述可知，当功率半导体元件Qla导通时，功率半导体元件Qla的内部即可提供第一高压端VB到电位转换电路3的电流传输路径，进而使得静电放电电流可从接地端VSS放电。当然，静电放电电流也可通过电源箝制模块40a、二极管40b或者电源箝制模块42自第二高压端VCC或第三高压端VDD放电，其中二极管40b可以耦接在第二高压端VCC与第三高压端VDD之间。也就是说，本发明的静电放电保护电路Ia将静电放电电流引导到电位转换电路3之后，便可以搭配一般电路的静电放电机制，使得静电放电电流从一般电路的电源(power)放电或者从接地(ground)放电。
值得注意的是，本实施例所述的控制信号并不一定要从节点B取得，在静电放电保护电路Ia中的其他元件有搭配设计的情况下，本领域技术人员当然可以取用节点A上的所述侦测结果做为控制信号。在此，本发明虽列举数种实施形式如下，但本发明并不以此为限。
〔静电放电保护电路的另一实施例〕
请参见图2，图2所示为本发明另一实施例的静电放电保护电路的电路示意图。图2与图1相同的地方在于，图2的静电放电保护电路Ib同样是利用电源箝制模块10进行静电放电电流的侦测，进而控制开关模块12c与开关模块12d产生第一高压端VB到电位转换电路3的电流传输路径。然而，图2与图1不同的地方在于，图1的功率半导体元件Qla是选用NMOS功率金氧半晶体管，而图2的功率半导体元件Qla是选用npn双载子晶体管(BJT)。
在此，npn双载子晶体管(BJT)的基极与NMOS功率金氧半晶体管的栅极在接收高电平(high)电压时，分别会驱动npn双载子晶体管与NMOS功率金氧半晶体管导通，使得npn双载子晶体管同样可提供第一高压端VB到电位转换电路3的电流传输路径。此外，电源箝制模块10的作动方式是与图1的静电放电保护电路Ia相同，不需另外设计。
〔静电放电保护电路的再一实施例〕
请参见图3，图3所示为依据本发明再一实施例的静电放电保护电路的电路示意图。图3与图2相同的地方在于，图3的静电放电保护电路Ic的开关模块也是选用npn双载子晶体管(BJT)，依据控制信号以产生第一高压端VB到电位转换电路3的电流传输路径。然而，图3与图2不同的地方在于，图3的电源箝制模块IOa并不具有反相器。也就是说，相对于前一实施例所述的电源箝制模块10，图3的电源箝制模块IOa由于元件减少了，当然生产的成本也会随着减少。
在此，电源箝制模块IOa改变了电阻R1与电容C1的串联顺序，使得在稳态时，由于电容C1被充饱电，节点A的电压儿乎等于第一低压端VS的电压。当静电放电电流出现时，节点A的电压会瞬间被拉高(接近第一高压端VB的电压)。这个瞬间被抬高的的电压即为控制信号，藉此导通了晶体管104、功率半导体元件Qla以及功率半导体元件Qlb，使得功率半导体元件Qla以及功率半导体元件QlbOipn双载子晶体管)可提供第一高压端VB到电位转换电路3的电流传输路径。
〔静电放电保护电路的又一实施例〕
请参见图4，图4所示为依据本发明又一实施例的静电放电保护电路的电路示意图。图4与图1相同的地方在于，图4的静电放电保护电路Id同样是利用电源箝制模块进行静电放电电流的侦测，进而控制开关模块产生第一高压端VB到电位转换电路3的电流传输路径。然而，图4与图1不同的地方在于，图1的功率半导体元件Qla是选用NMOS功率金氧半晶体管，而图4的功率半导体元件Qla是选用pnp双载子晶体管(BJT)，且图4是从节点A撷取控制信号。
在稳态时，电容C1是在被充饱电的状态，节点A的电压几乎等于第一高压端VB的电压，而静电放电电流的出现会瞬间将节点A的电压拉低(接近第一低压端VS的电压)。在此，由于pnp双载子晶体管的基极受低电平(low)电压的驱动而导通，恰好可以将节点A上的电压变化量当作控制信号，因此图4的节点A可直接耦接到pnp双载子晶体管的基极。
〔静电放电保护电路的又一实施例〕
请参见图5,图5所示为本发明又一实施例的静电放电保护电路的电路示意图。图5与图4相同的地方在于，图5的静电放电保护电路Ie的开关模块12e、12f同样选用功率半导体元件Qla是选用pnp双载子晶体管(BJT)，用以提供第一高压端VB到电位转换电路3的电流传输路径。然而，图5与图4不同的地方在于，图5的电源箝制模块IOc并不具有反相器，且晶体管104a是选用PMOS功率金氧半晶体管。
本领域技术人员应可明白的是，由于静电放电电流的出现会瞬间将节点A的电压拉低，因此图5的节点A上突降的电压变化可同时驱动电源箝制模块IOc的晶体管104a与开关模块12e、开关模块12f中的pnp双载子晶体管导通。
〔静电放电保护电路的又一实施例〕
请参见图6，图6所示为依据本发明又一实施例的静电放电保护电路的电路示意图。图6与图1相同的地方在于，图6的静电放电保护电路If同样是利用电源箝制模块10进行静电放电电流的侦测，进而控制开关模块12g与开关模块12h产生第一高压端VB到电位转换电路3的电流传输路径。然而，图6与图1不同的地方在于，图6的功率半导体元件Qla是选用硅控整流器(SCR)。
在此，硅控整流器的栅极在接收高电平(high)电压时，分别会驱动硅控整流器导通，使得硅控整流器同样可提供第一高压端VB到电位转换电路3的电流传输路径。此外，电源箝制模块10的作动方式是与图1的静电放电保护电路Ia相同，不需另外设计。
〔静电放电保护电路的又一实施例〕
请参见图7,图7所示为本发明又一实施例的静电放电保护电路的电路示意图。图7与图6相同的地方在于，图7的静电放电保护电路Ig的开关模块也是选用硅控整流器，依据控制信号以产生第一高压端VB到电位转换电路3的电流传输路径。然而，图7与图6不同的地方在于，图7的电源箝制模块IOa并不具有反相器。也就是说，相对于前一实施例所述的电源箝制模块10，图7的电源箝制模块IOa由于元件减少了，当然生产的成本也会随着减少。
在此，电源箝制模块IOa改变了电阻R1与电容C1的串联顺序，使得在稳态时，由于电容C1被充饱电，节点A的电压几乎等于第一低压端VS的电压。当静电放电电流出现时，节点A的电压会瞬间被拉高(接近第一高压端VB的电压)。这个瞬间被抬高的的电压即为控制信号，藉此导通了晶体管104、以及开关模块12g、12h中的硅控整流器，使得硅控整流器可提供第一高压端VB到电位转换电路3的电流传输路径。
〔静电放电保护电路的又一实施例〕
请参见图8，图8所示为依据本发明又一实施例的静电放电保护电路的电路示意图。图8与图4相同的地方在于，图8的静电放电保护电路Ih同样是利用电源箝制模块IOb进行静电放电电流的侦测，并从节点A撷取控制信号。图8与图4不同的地方在于，图8的开关模块12j、12k是选用PMOS功率金氧半晶体管。
在稳态时，电容C1是在被充饱电的状态，节点A的电压几乎等于第一高压端VB的电压，而静电放电电流的出现会瞬间将节点A的电压拉低(接近第一低压端VS的电压)。在此，由于PMOS功率金氧半晶体管的栅极受低电平(low)电压的驱动而导通，恰好可以将节点A上的电压变化量当作控制信号，因此图8的节点A可直接耦接到PMOS功率金氧半晶体管的栅极。
〔静电放电保护电路的又一实施例〕
请参见图9，图9所示为依据本发明又一实施例的静电放电保护电路的电路示意图。图9与图5相同的地方在于，图9的静电放电保护电路Ii同样是利用电源箝制模块IOc进行静电放电电流的侦测，并从节点A撷取控制信号。图9与图6不同的地方在于，图9的开关模块12j、12k是选用PMOS功率金氧半晶体管。
本领域技术人员应可明白的是，由于静电放电电流的出现会瞬间将节点A的电压拉低，因此图9的节点A上突降的电压变化可同时驱动电源箝制模块IOc的晶体管104a与开关模块12j、开关模块12k中的PMOS功率金氧半晶体管导通。
综上所述，本发明实施例提供的用于超高压晶片的静电放电保护电路，可通过电源箝制模块跨接第一高压端与第一低压端之间，藉以侦测第一高压端或第一低压端上是否产生静电放电电流。当电源箝制模块判断静电放电电流产生时，可即时提供适当的电流传输路径以释放静电放电电流。换句话说，当电源箝制模块侦测到静电放电电流时，所述静电放电保护电路会导通内部开关模块中的一个功率半导体元件，而开放自高电压隔离阱区的电源线至电位转换电路的电流传输路径，避免操作于一般电压的电路受到破坏。
以上所述仅为本发明的实施例，其并非用以局限本发明的权利要求范围。
权利要求
1.一种用于超高压晶片的静电放电保护电路，耦接一电位转换电路，并通过该电位转换电路耦接一接地端，该静电放电保护电路包括: 一电源箝制模块，稱接于一第一高压端与一第一低压端之间，用以自该第一高压端或该第一低压端侦测一静电放电电流，据以产生一控制信号；以及 至少一开关模块，该开关模块包括: 一第一电阻，耦接于该第一高压端与该电位转换电路之间；以及 一第一功率半导体元件，并联耦接该第一电阻，受控于该控制信号以选择性地导通一第一电流传输路径，使得该第一高压端通过该第一电流传输路径电性连接至该电位转换电路； 其中该第一低压端与该接地端的电位差大于一第一电压临界值。
2.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中该静电放电保护电路与该电位转换电路是经由同一半导体工艺形成于同一超高压晶片中。
3.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其中该超高压晶片中还包括一栅极驱动器，且该栅极驱动器与该静电放电保护电路位于同一高电压隔离阱区中，且该栅极驱动器耦接于该第一高压端与该第一低压端之间。
4.如权利要求3所述的静电放电保护电路，还包括: 至少一二极管，耦接于该第一高压端与该第一低压端之间，用以提供该第一低压端至该第一高压端的一第二电流传输路径； 其中该栅极驱动器具有多个传输界面，该多个传输界面中至少一个传输界面耦接该第一高压端，以及该多个传输界面中至少一个传输界面耦接该第一低压端。
5.如权利要求4所述的静电放电保护电路，其中该多个传输界面分别耦接一电器设备，该栅极驱动器通过该多个传输界面驱动该电器设备，且该电器设备操作于一工作电压区间中，该第一电压临界值为该工作电压区间的下限。
6.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中该第一功率半导体元件的控制极耦接该电源箝制模块以接收该控制信号，该第一功率半导体元件的第一电极耦接该第一高压端，且该第一功率半导体元件的第二电极耦接该电位转换电路。
7.如权利要求6所述的静电放电保护电路，其中该第一功率半导体元件为功率金氧半晶体管、双载子晶体管或硅控整流器。
8.如权利要求6所述的静电放电保护电路，其中该电源箝制模块至少包括一第二电阻与一第一电容，该第二电阻与该第一电容稱接于该第一高压端与该第一低压端之间，且该第二电阻通过一第一节点串联耦接该第一电容，该电源箝制模块侦测该第一节点上的电位变化量，据以产生该控制信号。
9.如权利要求1所述的静电放电保护电路，还包括: 至少一第二功率半导体元件，该第二功率半导体元件的控制极耦接该第一低压端，该第二功率半导体元件的第一电极耦接该第一高压端，且该第二功率半导体元件的第二电极耦接该电位转换电路。
全文摘要
本发明揭示一种用于超高压晶片的静电放电保护电路。所述静电放电保护电路包括电源箝制模块与至少一个开关模块。电源箝制模块用以自第一高压端或第一低压端侦测静电放电电流，据以产生控制信号。开关模块包括第一电阻与第一功率半导体元件，第一电阻耦接于第一高压端与电位转换电路之间，第一功率半导体元件并联耦接第一电阻，且第一功率半导体元件受控于控制信号使第一高压端通过第一电流传输路径电性连接至电位转换电路的接地端，其中第一低压端与接地端的电位差大于第一电压临界值。通过所述静电放电保护电路，本发明可避免操作于一般电压的电路受到破坏。
文档编号H02H9/04GK103178510SQ20121000443
公开日2013年6月26日 申请日期2012年1月4日 优先权日2011年12月21日
发明者邓志辉, 林欣逸, 任永星 申请人:盛群半导体股份有限公司