专利名称：启动器的过流保护装置以及启动器的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种过流保护装置，特别涉及一种用于启动器的过流保护装置，以及带有所述过流保护装置的启动器。
背景技术：
芯片启动器是内置于芯片中的元件，用于在芯片启动时逐渐升高启动电流，避免瞬间电流增长而将芯片烧毁。而要控制芯片启动电流，一个重要的手段就是在启动器中增加过流保护装置。过流保护装置的作用在于在芯片启动之后，通过电学元件将芯片的工作电流限制在某一范围内，避免大电流烧毁芯片。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种启动器的过流保护装置，以及带有所述过流保护装置的启动器，能够起到限流作用。为了解决上述问题，本发明提供了一种启动器的过流保护装置，包括一上拉晶体管、一输入采样晶体管和一控制晶体管；所述输入采样晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的控制端，源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极接地；所述控制晶体管的栅极电学连接至一控制信号端；源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极电学连接至高电平端；所述上拉晶体管的漏/源极电学连接至高电平端，源/漏极电学连接至过流保护装置的输出端。可选的，进一步包括一密勒电容，所述电容的一端电学连接至控制晶体管的栅极，另一端电学连接至控制晶体管的源/漏极。可选的，进一步包括一电阻，所述电阻设置于控制晶体管漏/源极与系统高电平端之间。本发明进一步包括了一种启动器，包括一启动模块和一负载电流采样装置，其特征在于，进一步包括一上述过流保护装置，所述启动模块的输入端电学连接至启动信号端，输出端连接至启动器的输出端；所述负载电流采样装置的输入端电学连接至启动信号端，第一输出端电学连接至启动器的输出端，第二输出端电学连接至过流保护装置的输入端；所述过流保护装置的输出端电学连接至启动信号端。可选的，所述负载电流采样装置进一步包括一输出晶体管，所述输出晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的输入采样晶体管的栅极，与之呈镜像关系，所述输出晶体管的漏/源极接地。可选的，所述启动装置中进一步包括一下拉晶体管，所述下拉晶体管的源/漏极电学连接至启动器的启动信号端，漏/源极接地。在本发明提供的技术方案中，过流保护电路采样负载电流。当负载电流在正常范围内时，采样电流较小，过流保护电路不起作用；当负载电流增大(输出降低)到一定值以致于使启动电路重新工作或者输出短路，此时上拉晶体管可以保证把启动信号端限制在某个值以下，从而起到限流作用。
附图I所示是本发明的具体实施方式
所述启动器的架构图。附图2是附图I所示架构的一种电路图。
具体实施例方式接下来结合附图详细介绍本发明所述用于启动器的过流保护装置以及带有所述过流保护装置的启动器的具体实施方式
。附图I所示是本具体实施方式
所述启动器的架构图，包括启动模块10、负载电流采样装置11以及过流保护装置12。 附图2是附图I所示架构的一种电路图。参考附图I和附图2所示，所述启动模块10的输入端电学连接至启动信号端，输出端连接至启动器的输出端。当系统刚加电时，启动器的输出端信号为零，由于误差放大器U5的电源偏置为OUT (L0UT !)，误差放大器不能工作，其输出信号无法启动调整管工作，所以增加了启动模块10。启动模块10由一使能控制端ENCA控制，只有当使能控制端ENCA为低电平时，启动模块10工作，控制调整管的栅极，即启动信号端⑶RIVER而使调整管工作起来；当输出达到一定值(该值至少可以使误差放大器开始工作)，输出反馈将启动电路关闭。完成启动后，启动信号端GDRIVER由误差放大器输出控制。具体地说，启动模块10可以分成两个部分，即启动开始和启动关闭。启动开始电路由晶体管M317、电阻R26is2t!、和晶体管M267等组成；启动关闭电路由晶体管M32(i、晶体管M319、晶体管M318、和电阻R24is2tl等组成。正常工作时使能控制端ENCA为低电平，即晶体管M317的栅极接地，漏极由电阻R26is6接到晶体管M267的栅极，由于此时输出为零，晶体管M32tl无电流流过，所以，晶体管M317迅速进入深线性区，晶体管M267的栅极电压很高(几乎是电源电位)，于是启动信号端⑶RIVER被迅速地拉低。当输出达到一定值(稍大于一Vthp + Vthn)时，晶体管M318、晶体管M319导通，这路电流经晶体管M32tl比例放大后，将晶体管M267的栅极电压拉低，从而使M267截止，启动关闭。此时必须保证误差放大器可以开始工作，因为只有这样才能保证输出继续上升，电路正常工作，从误差放大器的结构看，此时必须有
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因此这里的电阻民4132(|较大，晶体管M318用的是倒管，保证电路在启动关闭后，误差放大器能够维持输出启动。所述负载电流采样装置11的输入端电学连接至启动信号端，第一输出端电学连接至启动器的输出端，第二输出端电学连接至过流保护装置12的输入端。负载电流采样电路是为了得到与负载电流成比例关系的小电流Is，考虑到MOS管是压控器件，所以通过采样调整管的漏、栅、源三端电压，得到采样电流Is。该部分电路是采样调整管的源、栅、漏电压而得到与负载电流k成比例的采样电流Is。晶体管M2和调整管M1的源栅极互联，因此，只要两者的漏端电压相等，则
权利要求
1.一种启动器的过流保护装置，其特征在于，包括一上拉晶体管、一输入采样晶体管和一控制晶体管；所述输入采样晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的控制端，源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极接地；所述控制晶体管的栅极电学连接至ー控制信号端；源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极电学连接至高电平端；所述上拉晶体管的漏/源极电学连接至高电平端，源/漏极电学连接至过流保护装置的输出端。
2.根据权利要求I所述的过流保护装置，其特征在干，进ー步包括ー密勒电容，所述电容的一端电学连接至控制晶体管的栅极，另一端电学连接至控制晶体管的源/漏扱。
3.根据权利要求I所述的过流保护装置，其特征在干，进ー步包括ー电阻，所述电阻设置于控制晶体管漏/源极与系统高电平端之间。
4.一种启动器，包括一启动模块和ー负载电流米样装置，其特征在于，进ー步包括ー权利要求I所述的过流保护装置，所述启动模块的输入端电学连接至启动信号端，输出端连接至启动器的输出端；所述负载电流采样装置的输入端电学连接至启动信号端，第一输出端电学连接至启动器的输出端，第二输出端电学连接至过流保护装置的输入端；所述过流保护装置的输出端电学连接至启动信号端。
5.根据权利要求4所述的启动器，其特征在于，所述负载电流采样装置进ー步包括一输出晶体管，所述输出晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的输入采样晶体管的栅极，与之呈镜像关系，所述输出晶体管的漏/源极接地。
6.根据权利要求4所述的启动器，其特征在于，所述启动装置中进ー步包括一下拉晶体管，所述下拉晶体管的源/漏极电学连接至启动器的启动信号端，漏/源极接地。
7.根据权利要求4所述的启动器，其特征在于，所述过流保护装置进ー步包括ー密勒电容，所述电容的一端电学连接至控制晶体管的栅极，另一端电学连接至控制晶体管的源/漏极。
8.根据权利要求4所述的启动器，其特征在于，所述过流保护装置进ー步包括ー电阻，所述电阻设置于控制晶体管漏/源极与系统高电平端之间。
全文摘要
本发明是有关于一种启动器的过流保护装置，包括一上拉晶体管、一输入采样晶体管和一控制晶体管；所述输入采样晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的控制端，源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极接地；所述控制晶体管的栅极电学连接至一控制信号端；源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极电学连接至高电平端；所述上拉晶体管的漏/源极电学连接至高电平端，源/漏极电学连接至过流保护装置的输出端。
文档编号H02H9/02GK102842899SQ20121026669
公开日2012年12月26日 申请日期2012年7月30日 优先权日2012年7月30日
发明者汪宁, 李国宏, 汪辉, 陈杰, 章琦, 袁盾山 申请人:上海中科高等研究院