专利名称：一种新型igbt模块的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种IGBT (绝缘栅双极晶闸管)模块。
背景技术：
SVG采用自换相桥式电压型变流电路为基本电路，通过电抗器或变压器并联在电网上，通过调节桥式电路交流侧输出电压相对系统电压的相位和幅值，迅速吸收或发出满足要求的无功电流，实现快速动态无功补偿的目的。自换相桥式电压型变流电路中采用了绝缘栅双极晶闸管(Insulated-Gate Bipolar Transistor—IGBT)构成链式逆变器。IGBT综合了 GTR和MOSFET的优点，具有更高的耐压和通流能力，并可同时保持开关频率高的特点。工程中采用的IGBT模块通常指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路封装集成，也称作智能IGBT (Intelligent IGBT)。温升保护控制是IGBT的一项重要考核指标，常用的检测方法为IGBT模块外贴热敏电阻的方式，该方式的缺点是温度信号检测不准确，存在误差。
发明内容为解决现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供一种能有效地测量功率模块的稳态壳温的新型IGBT模块，其所采取的技术方案为该模块包括陶瓷基板、以及固定在陶瓷基板上的硅片和连接片，硅片通过连线与连接片相连接，陶瓷基板上还固定有温度传感器，以上各元件采用硅胶封装在一起。本实用新型将用于测量模块壳温的温度传感器(NTC)直接封装在模块内的陶瓷基板上，免受外界电磁干扰，避免对温度信号的干扰，NTC与IGBT位于同一陶瓷基板上,模块内使用隔离用硅胶填充，满足隔离电压的要求，可大大简化模块壳温的测量过程，实现精确温度测量和温度保护的功能。
图I为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述。如图I所示，陶瓷基板I上固定硅片2、连接片3和温度传感器5，硅片2通过连线4与连接片3相连接，以上各元件采用隔离用硅胶封装在一起。
权利要求1. 一种新型IGBT模块，包括陶瓷基板(I)、以及固定在陶瓷基板(I)上的硅片(2)和连接片(3)，硅片(2)通过连线(4)与连接片(3)相连接，其特征在于陶瓷基板(I)上还固定有温度传感器(5)，以上各元件采用硅胶封装在一起。
专利摘要本实用新型公开了一种新型IGBT模块，包括陶瓷基板、以及固定在陶瓷基板上的硅片和连接片，硅片通过连线与连接片相连接，陶瓷基板上还固定有温度传感器，以上各元件采用硅胶封装在一起。本实用新型将温度传感器封装在IGBT模块内，免受外界电磁干扰，避免对温度信号的干扰，温度传感器NTC与IGBT位于同一陶瓷基板上，实现精确温度测量和温度保护的功能。
文档编号H02M1/00GK202586720SQ20122010533
公开日2012年12月5日 申请日期2012年3月20日 优先权日2012年3月20日
发明者申宁, 康长路, 杨山, 宋岳文, 王德强 申请人:山东泰开电力电子有限公司