专利名称：一种低电感的主功率母线结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种低电感的主功率母线结构。
背景技术：
现在的逆变器、变流器中主功率母线的正、负极在并联过程中，均采用沿直线方向的结构，如图I所示，将正、负极分开连接，这样正、负极之间的距离就比较大，在整个电路回路中会产生比较大的寄生电感，从而开关管的开关电压尖峰及震荡相对也会增大，对整个电路系统的稳定将产生不利的影响。
发明内容·[0003]针对现有技术中主功率母线结构存在的缺陷及不足，本实用新型提出了一种低电感的母线连接结构，这种母线的连接结构可以有效的缩短母线正、负极连接之间的距离，从而有效的降低了寄生电感的产生，使开关管的开关电压尖峰及震荡相对稳定。本实用新型低电感的主功率母线结构，包括正极板、负极板和中间绝缘板，所述正、负极板的上端分别设有用于连接电容池模组的正、负极连接端，正、负极板上设有用于连接开关管模块的正、负极端口，所述正极连接端与负极连接端分别向反方向折弯使正、负极连接端呈Y型结构排列。所述正、负极连接端的折弯角度为30° -60°。所述正、负极连接端的折弯角度为45°最佳。所述正、负极连接端分别设有若干个切槽使正、负极连接端分别切割成若干个正、负极连接子端。所述的开关管模块可以为IGBT模块、MOSFET模块、IGCT模块、IEGT模块或者其他类型的开关管模块。本实用新型将主功率母线和电容池母线的连接处设计成Y型的结构，这样母线的正、负极的等效距离比较小，电流回路路径比较短，从而所产生的寄生电感比较小，使开关管的开关电压尖峰及震荡相对稳定，可以有效的保护开关管，使整个系统性能更加稳定，同时，主功率母线和电容池母线设计成上下连接的结构，可以有效的减小机柜的宽度的尺寸。本实用新型的有益效果在于I、主功率母线和电容池母线的连接处设计成Y型的结构，这样母线的正、负极的等效距离比较小，电流回路路径比较短，从而所产生的寄生电感比较小，使开关管的开关电压尖峰及震荡相对稳定，可以有效的保护开关管，使整个系统性能更加稳定；2、主功率母线在连接处设计折弯角，这样可以将上面电容池模组因制造和安装误差造成的压力进行分解，可以减小开关管所受应力；3、主功率母线正、负极的连接端设计有切槽，是为了降低连接处铜排折弯的强度，当电容池模组产生压力的时候，可以利用切槽后的每块自生的变形来减小对开关管应力的形成。
图I为现使用的主功率母线结构示意图；图2为本实用新型的主功率母线结构示意图；图3为图2的侧视结构示意图；图4为图3中A-A剖视结构示意图；图5为本实用新型的使用安装结构示意图。图中1、电容池模组；2、主功率母线；21、正极连接子端；22、负极连接子端；23、正极端口 ；24、负极端口 ；25、中间绝缘板；26、负极板；27、正极板；28、切槽；21’正极；22’负极；3、IGBT模块。
具体实施方式
如图2-5所示，本实用新型低电感的主功率母线结构,包括正极板27、负极板26和中间绝缘板25，正极板27的上端设有用于连接电容池模组I的正极连接端，负极板26的上端设有用于连接电容池模组I的负极连接端，正极板27上还设有用于连接IGBT模块3的正极端口 23，负极板26上设有用于连接IGBT模块3的负极端口 24，正极连接端与负极连接端分别向反方向折弯45°使正、负极连接端呈Y型结构排列，且正、负极连接端分别设有若干个切槽28使正、负极连接端分别切割成若干个正连接子端21和负极连接子端22。本实用新型将主功率母线2与电容池模组I的电容池母线连接处设计成Y型的结构，这样母线的正、负极的等效距离比较小，电流回路路径比较短，从而所产生的寄生电感比较小，使IGBT模块的开关电压尖峰及震荡相对稳定，可以有效的保护IGBT模块，使整个系统性能更加稳定；主功率母线在连接处设计折弯角，这样可以将上面电容池模组因制造和安装误差造成的压力进行分解，可以减小IGBT模块所受应力；主功率母线正、负极的连接端设计有切槽，是为了降低连接处铜排折弯的强度，当电容池模组产生压力的时候，可以利用切槽后的每块自生的变形来减小对IGBT模块应力的形成；同时，主功率母线和电容池母线设计成上下连接的结构，可以有效的减小机柜的宽度的尺寸。
权利要求1.一种低电感的主功率母线结构，包括正极板、负极板和中间绝缘板，所述正、负极板的上端分别设有用于连接电容池模组的正、负极连接端，正、负极板上设有用于连接开关管模块的正、负极端口，其特征在于所述正极连接端与负极连接端分别向反方向折弯使正、负极连接端呈Y型结构排列。
2.如权利要求I所述的主功率母线结构，其特征在于所述正、负极连接端的折弯角度为 30。-60。。
3.如权利要求2所述的主功率母线结构，其特征在于所述正、负极连接端的折弯角度为 45。。
4.如权利要求I所述的主功率母线结构，其特征在于所述正、负极连接端分别设有若干个切槽使正、负极连接端分别切割成若干个正、负极连接子端。
5.如权利要求I所述的主功率母线结构，其特征在于所述开关管模块为IGBT模块、MOSFET模块、IGCT模块或IEGT模块。
专利摘要本实用新型公开了一种低电感的主功率母线结构，其包括正极板、负极板和中间绝缘板，所述正、负极板的上端分别设有用于连接电容池模组的正、负极连接端，正、负极板上设有用于连接开关管模块的正、负极端口，所述正极连接端与负极连接端分别向反方向折弯使正、负极连接端呈Y型结构排列。本实用新型将主功率母线与电容池模组的电容池母线连接处设计成Y型结构，有效的保护了IGBT模块，使整个系统性能更加稳定；主功率母线在连接处设计折弯角，减小了IGBT模块所受应力；主功率母线正、负极的连接端设计有切槽，降低了连接处铜排折弯的强度；同时，主功率母线和电容池母线设计成上下连接的结构，可以有效的减小机柜的宽度的尺寸。
文档编号H02M1/00GK202713120SQ20122030128
公开日2013年1月30日 申请日期2012年6月26日 优先权日2012年6月26日
发明者陶高周, 李国宏, 张磊, 哈达 申请人:阳光电源股份有限公司