专利名称：过压保护电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种过压保护电路。
背景技术：
便携式电子产品所需要的电压一般比较低，一般情况下为1.5V、2. 5V、3. 3V或5V电压。在电路中，由于电路信号受到干扰、短路或供电电压不稳定等因素，可能会造成电压突然升高的情况，过高的电压会影响电路的性能，还有烧坏电路的风险。过压保护电路是解决过压的问题的必要电路，现有技术的电路的结构比较复杂，所需器件和节点较多，器件多造成成本和功耗较高，节点较多造成坏点的风险大
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于针对上述存在的问题，提供一种结构简单、节点少的过压保护电路。本实用新型采用的技术方案是这样的一种过压保护电路，包括电压输入端和电压输出端，在电压输入端和电压输出端之间串接一第一电阻，还包括与所述第一电阻并联一调压电路，所述调压电路包括第一 NPN双极型三极管、第二 NPN双极型晶体管、第一 PNP双极型晶体管、第二 PNP双极型晶体管、第二电阻、第三电阻、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管。所述第二电阻串接于第一 NPN双极型晶体管的源极和基极之间；所述电压输入端连接至第一NPN双极型晶体管的基极、第二PNP双极型晶体管的集电极和第一雪崩二极管或第一齐纳二极管的正极端；所述第一雪崩二极管或第一齐纳二极管的负极端连接至第一 NPN双极型晶体管的集电极和第二 PNP双极型晶体管的基极；所述电压输出端连接至第一 NPN双极型晶体管的源极和第一 PNP双极型晶体管的源极；所述第三电阻串接与第二 NPN双极型晶体管的基极和源极之间；第二雪崩二极管或第二齐纳二极管的正极端连接至第一 PNP双极型晶体管的集电极和第二 NPN双极型晶体管的基极，负极端连接至第一 PNP双极型晶体管的基极和第二 NPN双极型晶体管的集电极；所述第二 NPN双极型晶体管的源极和第二 PNP双极型晶体管的源极均接地。综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，以及减少坏点风险。
图I是本实用新型过压保护电路的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型作详细的说明。为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。如图I所示，是本实用新型过压保护电路的电路原理图。本实用新型的一种过压保护电路，包括电压输入端VIN和电压输出端V0UT，在电压输入端VIN和电压输出端VOUT之间串接一第一电阻R1，还包括与所述第一电阻Rl并联一调压电路，所述调压电路包括第一 NPN双极型三极管NI、第二 NPN双极型晶体管N2、第一PNP双极型晶体管P1、第二 PNP双极型晶体管P2、第二电阻R2、第三电阻R3、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管D1、第二雪崩二极管或第二齐纳 二极管D2。
以下结合附图I对本实用新型上述电子元器件间的连接关系做详细的说明所述第二电阻R2串接于第一 NPN双极型晶体管NI的源极和基极之间；所述电压输入端VIN连接至第一 NPN双极型晶体管NI的基极、第二 PNP双极型晶体管P2的集电极和第一雪崩二极管或第一齐纳二极管Dl的正极端；所述第一雪崩二极管或第一齐纳二极管Dl的负极端连接至第一 NPN双极型晶体管NI的集电极和第二 PNP双极型晶体管P2的基极；所述电压输出端VOUT连接至第一 NPN双极型晶体管NI的源极和第一 PNP双极型晶体管Pl的源极；所述第三电阻R3串接与第二 NPN双极型晶体管N2的基极和源极之间；第二雪崩二极管或第二齐纳二极管D2的正极端连接至第一 PNP双极型晶体管Pl的集电极和第二 NPN双极型晶体管N2的基极，负极端连接至第一 PNP双极型晶体管Pl的基极和第二 NPN双极型晶体管N2的集电极；所述第二 NPN双极型晶体管N2的源极和第二 PNP双极型晶体管P2的源极均接地。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种过压保护电路，包括电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)，在电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)之间串接一第一电阻(Rl )，其特征在于，还包括与所述第一电阻(Rl)并联一调压电路，所述调压电路包括第一 NPN双极型三极管(NI )、第二 NPN双极型晶体管(Ν2)、第一 PNP双极型晶体管(Ρ1)、第二 PNP双极型晶体管(Ρ2)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2)； 所述第二电阻(R2)串接于第一 NPN双极型晶体管(NI)的源极和基极之间；所述电压输入端(VIN)连接至第一 NPN双极型晶体管(NI)的基极、第二 PNP双极型晶体管(Ρ2)的集电极和第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(Dl)的正极端；所述第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(Dl)的负极端连接至第一 NPN双极型晶体管(NI)的集电极和第二 PNP双极型晶体管(Ρ2)的基极；所述电压输出端(VOUT)连接至第一 NPN双极型晶体管(NI)的源极和第一 PNP双极型晶体管(PI)的源极；所述第三电阻(R3 )串接与第二 NPN双极型晶体管(Ν2 )的基极和源极之间；第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2)的正极端连接至第一 PNP双极·型晶体管(Pl)的集电极和第二 NPN双极型晶体管(Ν2)的基极，负极端连接至第一 PNP双极型晶体管(Pl)的基极和第二 NPN双极型晶体管(Ν2)的集电极；所述第二 NPN双极型晶体管(Ν2)的源极和第二 PNP双极型晶体管(Ρ2)的源极均接地。
专利摘要本实用新型公开了一种过压保护电路。该电路包括电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)，在电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)之间串接一第一电阻(R1)，其特征在于，还包括与所述第一电阻(R1)并联一调压电路，所述调压电路包括第一NPN双极型三极管(N1)、第二NPN双极型晶体管(N2)、第一PNP双极型晶体管(P1)、第二PNP双极型晶体管(P2)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2)。本实用新型的有益效果是电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，减少坏点风险。
文档编号H02H3/20GK202797879SQ20122047373
公开日2013年3月13日 申请日期2012年9月18日 优先权日2012年9月18日
发明者周晓东, 桑园, 余力 申请人:郑州单点科技软件有限公司