专利名称：一种超级电容的放电装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电器技术领域，特别涉及一种超级电容的放电装置。
背景技术：
超级电容也叫做电化学电容器，具有性能稳定、使用寿命长等特点，近年来在电动汽车、太阳能发电、重型机械等领域表现出前有未有的发展趋势，很多发达国家都已把关于超级电容的项目作为国家重点科研方向，超级电容在国内市场上也呈现出蓬勃发展的景象。
发明内容针对现有技术存在的不足，本实用新型提供一种超级电容放电装置。本实用新型的技术方案是这样实现的:该超级电容放电装置包括微处理器、IGBT、放电电阻和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT与超级电容及限流电阻相连接，超级电容和放电电阻相连接。装置工作时，微处理器发出控制信号，IGBT导通，放电回路导通，超级电容开始放电。本实用新型的优点:该超级电容放电装置结构简单、操作方便、装置可靠性高。
图1为本实用新型超级电容放电装置结构图。
具体实施方式
本实用新型的详细结构结合实施例加以说明。该超级电容放电装置结构如图1所示，IGBT型号选取1MBI200L-120、微控制器选取型号为PIC16F877，放电电阻选择RXG20-F型线绕电阻。该超级电容放电装置由微处理器(PIC16F877)、IGBT (1MBI200L-120)、放电电阻(RXG20-F型线绕电阻)和超级电容组成，微处理器PIC16F877A与IGBT相连接，超级电容和IGBT1MBI200L-120及放电电阻相连接。装置工作时，微处理器PIC16F877A发出控制信号，IGBT 1MBI200L-120导通，超级电容通过放电电阻进行放电。
权利要求1.一种超级电容的放电装置，其特征在于:该超级电容放电装置包括微处理器、IGBT、放电电阻和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT与超级电容及限流电阻相连接，超级电容和放电电阻相连接。
专利摘要一种超级电容的放电装置，属于电器技术领域。该超级电容放电装置包括微处理器、IGBT、放电电阻和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT与超级电容及限流电阻相连接，超级电容和放电电阻相连接。装置工作时，微处理器发出控制信号，IGBT导通，放电回路导通，超级电容开始放电。本实用新型的优点该超级电容充电装置结构简单、操作方便、装置可靠性高。
文档编号H02J7/00GK203014401SQ20122058117
公开日2013年6月19日 申请日期2012年11月7日 优先权日2012年11月7日
发明者李翠, 王淳 申请人:沈阳创达技术交易市场有限公司