专利名称：一种共同控制p沟道mos管的充电保护电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电路设计领域中的锂离子电池管理电路，具体为一种共同控制P沟道MOS管的充电保护电路。
背景技术：
一般高串电池管理芯片对充电的控制，仅仅只限制在过电压保护，和过温度保护，但是在实际产品应用中，往往需要根据实际情况，来对充电进行保护，比如在充电时，有如下情况之一的:1.充电电流过大，2.温度过低，3.不是专用充电器连接到电池时，如果单独使用电池管理芯片无法对以上情况进行保护。因此需要组建另外的应用电路来实现。
发明内容本实用新型的目的是提供一种共同控制P沟道MOS管的充电保护电路，使用电池管理芯片搭配单片机来对充电回路共同进行管理，无论是电池管理芯片还是单片机侦测到充电异常情况，都能阻止充电。为了实现这一目的，本实用新型的技术方案如下:一种共同控制P沟道MOS管的充电保护电路，锂电池和充电电路之间设有P沟道MOS管，充电保护电路包括电池管理芯片，该电池管理芯片设有一充电控制端，其特征在于电池管理芯片的充电控制端通过一电阻与该P沟道MOS管的栅极连接，该P沟道MOS管的栅极还与第二 MOS管的漏极连接，该第二 MOS管的源极与该P沟道MOS管的源极连接，该第二 MOS管的栅极与三极管的集电极连接，三极管的发射极接地，三极管的基极通过电阻接单片机U2的的控制输出端。根据本实用新型的具体实施例，电池管理芯片为BQ77PL900，单片机为MSP430序列单片机。在锂电池的充电主干回路中放置P沟道MOS管，使用专用电池管理芯片和单片机共同来控制该P沟道MOS管的导通和关闭，当电池管理芯片侦测到危险情况(过电压，或者过温)发生不允许充电时，关闭该P沟道MOS管，另一方面当单片机侦测到危险情况(充电电流过大，或者温度过低，或者无正确的充电握手信号)时，也能顺利关闭该P沟道MOS管，阻止充电发生；当无不利情况，需要充电时，该P沟道MOS导通，可正常充电。因此本实用新型的优点在于引进了一个单片机来共同对充电回路进行控制，弥补了专用管理芯片无法实现的一些充电保护功能，如低温充电保护，充电电流过大保护，不匹配的充电器等。
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
如图所示，一种共同控制P沟道MOS管的充电保护电路，锂电池和充电电路之间设有P沟道MOS管Q13，充电保护电路包括电池管理芯片Ul，该电池管理芯片Ul设有一充电控制端CHG，其特征在于电池管理芯片的充电控制端CHG通过一电阻R14与该P沟道MOS管Q13的栅极连接，该P沟道MOS管Q13的栅极还与第二 MOS管Q15的漏极连接，该第二 MOS管Q15的源极与该P沟道MOS管Q13的源极连接，该第二 MOS管Q15的栅极和源极之间连接有一电阻R11，该第二 MOS管Q15的栅极与三极管Q14的集电极连接，三极管Q14的发射极接地，三极管Q14的基极通过电阻R9接单片机U2的的控制输出端，即单片机MSP430的第三脚Pin3。在锂电池主干充电回路中串联P沟道MOS管Q13 (该P沟道MOS管可使用能过大电流的SUM110)，P沟道MOS管Q13的漏极通向锂电池，P沟道MOS管Q13的源极连接充电器，P沟道MOS管Q13栅极同时受控于电池管理芯片Ul和第二 MOS管Q15(可采用BSS84)，第二 MOS管Q15受控于三极管Q14 (BC538),而三极管Q14又受控于单片机U2的控制输出端。1.当电池管理芯片BQ77PL900侦测到电芯过电压或者温度过高时:充电控制端CHG脚输出高电平40V (假如电芯电压为40V)，使P沟道MOS管Q13的栅极为高电平40V，从而使P沟道MOS管Q13关闭，阻止充电发生。2.如果电池管理芯片BQ77PL900没有侦测到非正常情况，充电控制端CHG脚输出为低电平O，此时有三种情况:a.当单片机MSP430侦测到下列情况之一:充电电流过大，或者温度过低，或者无正确的充电握手信号时，单片机输出端Pin3输出为低电平O,三极管Q14关闭,从而使电池管理芯片的充电控制端CHG端低电平无法传达至P沟道MOS管Q13的G极，进而关闭P沟道MOS管Q13，阻止充电。b.当单片机MSP430无法正常工作时，其单片机输出端Pin3脚输出高阻态，三极管Q14关闭，P沟道MOS管Q13关闭，阻止充电发生。c.当单片机MSP430没有侦测到充电异常情况时，其单片机输出端Pin3持续输出
3.3V，使N沟道MOS管Q21导通，进而将电池管理芯片的充电控制端CHG低电平O传至P沟道MOS管Q13的控制脚栅极G，此时可以正常充电。
权利要求1.一种共同控制P沟道MOS管的充电保护电路，锂电池和充电电路之间设有P沟道MOS管，充电保护电路包括电池管理芯片，该电池管理芯片设有一充电控制端，其特征在于电池管理芯片的充电控制端通过一电阻与该P沟道MOS管的栅极连接，该P沟道MOS管的栅极还与第二 MOS管的漏极连接，该第二 MOS管的源极与该P沟道MOS管的源极连接，该第二MOS管的栅极与三极管的集电极连接，三极管的发射极接地，三极管的基极通过电阻接单片机U2的的控制输出端。
2.按权利要求1要求的充电保护电路，其特征在于电池管理芯片为BQ77PL900，单片机为MSP430序列单片机。
3.按权利要求1要求的充电保护电路，其特征在于P沟道MOS管的型号为SUMl10，该第二 MOS管的型号为BSS84，三极管的型号为BC538。
专利摘要本实用新型公开了一种共同控制P沟道MOS管的充电保护电路，其特征在于电池管理芯片的充电控制端通过一电阻与该P沟道MOS管的栅极连接，该P沟道MOS管的栅极还与第二MOS管的漏极连接，该第二MOS管的源极与该P沟道MOS管的源极连接，该第二MOS管的栅极与三极管的集电极连接，三极管的发射极接地，三极管的基极通过电阻接单片机的控制输出端。本实用新型使用专用电池管理芯片和单片机共同来控制该P沟道MOS管的导通和关闭，弥补了专用管理芯片无法实现的一些充电保护功能，而且单片机不会影响专用电池管理芯片对充电的保护。而且当单片机无法正常工作或者损坏时，仍然能保证电池系统的充电安全。
文档编号H02H7/18GK202930918SQ20122061047
公开日2013年5月8日 申请日期2012年11月19日 优先权日2012年11月19日
发明者胡建东 申请人:萨康电子(上海)有限公司