专利名称：一种逆变焊机igbt模块保护电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种IGBT逆变焊机，尤其是涉及一种逆变焊机IGBT模块保护电路。
背景技术：
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT (双极型三极管)和MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20 30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。在现有IGBT逆变式焊机中，驱动电路与IGBT控制极连接采用方法有如下方式:1.驱动电路出线至IGBT模块栅极处采用插片插接。2.驱动电路出线处采用接插座插接，IGBT模块栅极处采用焊接。采用上述方式连接的电路，当在安装过程中，或维修更换驱动电路板时，由于要将驱动线拔出，从而导至IGBT栅极处于悬空状态，极易受静电击穿，损坏IGBT。同时，即使在正常使用过程中，由于电气干扰等原因，也容易对IGBT栅极造成干扰击穿。
发明内容本实用新型的目的在于:针对现有技术存在的问题，提供一种逆变焊机IGBT模块保护电路，解决了 IGBT模块易受静电干扰而损坏的问题。本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:一种逆变焊机IGBT模块保护电路，连接在驱动电路和IGBT模块之间，其特征在于，该保护电路包括第一稳压二极管和第二稳压二极管，所述的驱动电路的正、负电极分别与IGBT模块的栅极、源极相连，所述的第一稳压二极管的阳极连接驱动电路正极，第一稳压二极管的阴极连接第二稳压二极管的阴极，第二稳压二极管的阳极连接驱动电路的负极。优选的，所述的第一稳压二极管和第二稳压二极管均为16V的稳压二极管。 优选的，所述的保护电路还包括保护电阻，该保护电阻连接在IGBT模块的栅极和源极之间。优选的，所述的保护电阻的阻值为5kQ 15kQ。优选的，所述的保护电阻的阻值为10 kQ。与现有技术相比，本实用新型具有以下优点:1、对于IGBT容易受静电干扰击穿问题，而增加IGBT模块保护电路，解决了 IGBT模块易受静电干扰而损坏的问题。2、第一稳压二极管Zl和第二稳压二极管Z2为16V稳压二极管，将IGBT栅极驱动信号限制在16.7V以内，有效防止IGBT输入信号过高而损坏。[0017]3、保护电阻，栅极和源极之间，有效防止驱动电路出线插头拔出而造成IGBT栅极悬空而受静电干扰，可以有效将IGBT处于关断状态。
图1为本实用新型的电路结构示意图；图2为本实用新型的焊接结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。实施例1如图1所示，一种逆变焊机IGBT模块保护电路，连接在驱动电路I和IGBT模块2之间。该保护电路包括第一稳压二极管Zl和第二稳压二极管Z2，驱动电路的正、负电极分别与IGBT模块的栅极、源极相连。第一稳压二极管Zl的阳极连接驱动电路正极，第一稳压二极管Zl的阴极连接第二稳压二极管Z2的阴极，第二稳压二极管Z2的阳极连接驱动电路的负极。第一稳压二极管Zl和第二稳压二极管Z2均为16V的稳压二极管，将IGBT栅极驱动信号限制在16.7V以内，有效防止IGBT输入信号过高而损坏。保护电路还包括保护电阻R，该保护电阻R连接在IGBT模块2的栅极和源极之间。保护电阻的阻值为10 kQ，可有效防止驱动电路出线插头拔出而造成IGBT栅极悬空而受静电干扰，可以有效将IGBT处于关断状态。如图2所示，在IGBT栅极处增加保护电路，对IGBT易受静电干扰而损坏进行抗干扰处理与防静电击穿处理。具体为在将电子元件焊接于IGBT模块保护板上，然后将IGBT模块保护板焊接于IGBT栅极与源极上。使用IGBT模块保护电路后，既使在操作过程中拔出IGBT驱动板上连接或有用手接触到IGBT栅极，也不会对IGBT造成损坏。按图2所示，将IGBT保护板焊接于IGBT模块栅极与源极上，由于IGBT模块由2只IGBT管组合而成，故同时保护两组IGBT管。实施例1保护电阻的阻值为5kQ，其余部分与实施例1相同。实施例2保护电阻的阻值为15kQ，其余部分与实施例1相同。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，应当指出的是，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种逆变焊机IGBT模块保护电路，连接在驱动电路和IGBT模块之间，其特征在于，该保护电路包括第一稳压二极管和第二稳压二极管，所述的驱动电路的正、负电极分别与IGBT模块的栅极、源极相连，所述的第一稳压二极管的阳极连接驱动电路正极，第一稳压二极管的阴极连接第二稳压二极管的阴极，第二稳压二极管的阳极连接驱动电路的负极。
2.根据权利要求1所述的一种逆变焊机IGBT模块保护电路，其特征在于，所述的第一稳压二极管和第二稳压二极管均为16V的稳压二极管。
3.根据权利要求1所述的一种逆变焊机IGBT模块保护电路，其特征在于，所述的保护电路还包括保护电阻，该保护电阻连接在IGBT模块的栅极和源极之间。
4.根据权利要求3所述的一种逆变焊机IGBT模块保护电路，其特征在于，所述的保护电阻的阻值为5k Q 15k Q。
5.根据权利要求4所述的一种逆变焊机IGBT模块保护电路，其特征在于，所述的保护电阻的阻值为10 kQ。
专利摘要本实用新型提供一种逆变焊机IGBT模块保护电路，其属于IGBT逆变焊机领域；解决了IGBT模块易受静电干扰而损坏的问题；主要技术方案包括第一稳压二极管和第二稳压二极管，所述的驱动电路的正、负电极分别与IGBT模块的栅极、源极相连，所述的第一稳压二极管的阳极连接驱动电路正极，第一稳压二极管的阴极连接第二稳压二极管的阴极，第二稳压二极管的阳极连接驱动电路的负极。可以有效防止因IGBT输入信号过高而损坏，同时还能有效防止因驱动电路出线插头拔出而造成IGBT栅极悬空而受静电干扰。
文档编号H02H7/20GK203056558SQ20122070083
公开日2013年7月10日 申请日期2012年12月18日 优先权日2012年12月18日
发明者张志桃 申请人:成都埃森普特焊接设备有限责任公司