专利名称：一种igbt过流锁定保护电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及电学领域，特别涉及一种IGBT过流锁定保护电路。
背景技术：
随着电子开关电源的日益发展，电源的功率做得越来越大，IGBT(Insulated GateBipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管应运而生,在开关电源的应用中，要求对IGBT的饱和导通压降进行监控，当IGBT过流的时候，即器件中流过的大于额定值的电流时，极易使器件管芯结温升高，导致器件烧坏，这就要求电源要做出迅速的反应，切断主电路的工作，以免IGBT损坏造成更严重的损失。传统方法是用专用的锁存芯片进行锁定保护，价格相对比较高。专门设计一款低成本，反应速度快的过流锁定保护电路。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种结构简单，反应速度快的IGBT过流锁定保护电路。为实现上述目的，本发明之一种IGBT过流锁定保护电路，其包括过流信号检入单元、与所述过流信号检入单元依次相连的过流检入处理单元及过流检出处理单元、及连接所述过流检出处理单元的PWM控制单元、反馈锁定单元、电源单元及上电处理单元，其特征在于:所述反馈锁定单元的一端连接所述过流检出处理单元输出端，其另一端与所述过流检入处理单元相连，所述电源单元与所述过流检入处理单元、上电处理单元和过流检出处理单元分别相连，且所述上电处理单元的输出端连接所述过流检出单元。在上述方案的基础上优选，所述过流检入处理单元包括电阻R1、与所述电阻Rl连接的反相器及电阻R3，所述电阻Rl的输入端与所述过流信号检入单元相连，所述电阻R3的输入端与所述电源单元相连，且反相器的输出端与所述过流检出处理单元相连。在上述方案的基础上优选，所述反馈锁定单元包括电阻R2，所述电阻R2与所述反相器的输出端相连。在上述方案的基础上优选，所述反馈锁定单元还包括第一二极管，所述第一二极管的一端与所述反相器的输入端相连，其另一端与所述过流检出处理单元相连。在上述方案的基础上优选，所述上电处理单元包括第二二极管、与所述二极管连接的电容和电阻R4，所述第二二极管与所述电阻R2的输出端相连，所述电阻R4的一端与所述电源单元相连，其另一端连接所述第二二极管的输出端，所述电容的输出端接地。在上述方案的基础上优选，所述电源为5V直流电源。本发明与现有技术相比，其有益效果是:通过本发明采用了过流锁定单元，当检测到过流信号时，可以将PWM控制单元强制锁死在关闭状态，确保IGBT过流保护可靠性，同时本发明结构简单，可降低生产陈本。
图1是本发明的一种IGBT过流锁定保护电路的电路 图2是本发明的一种IGBT过流锁定保护电路的方块图。
具体实施例方式为详细说明本发明之技术内容、构造特征、所达成目的及功效，以下兹例举实施例并配合附图详予说明。请参阅图1至图2所示，本发明提供一种IGBT过流锁定保护电路，其包括过流信号检入单元10、与所述过流信号检入单元10依次相连的过流检入处理单元20及过流检出处理单元40、及连接所述过流检出处理单元40的PWM控制单元70、反馈锁定单元30、电源单元60及上电处理单元50,其中:
所述过流检入处理单元20包括电阻R1、与所述电阻Rl连接的反相器及电阻R3，所述电阻Rl的输入端与所述过流信号检入单元10相连，所述电阻R3的输入端与所述电源单元60相连，且该反相器的输出端与所述过流检出处理单元40相连。所述过流检出处理单元40包括一第一反相器，所述第一反相器可以为奇数个反相器想串联。作为本发明的优选方案，所述第一反相器优选一个。所述反馈锁定单元30的一端连接所述过流检出处理单元40输出端，其另一端与所述过流检入处理单元20相连，且该反馈锁定单元30包括第第一二极管，所述第一二极管的一端与所述反相器的输入端相连，其另一端与所述过流检出处理单元40相连。作为本发明的一种优选方案，所述反馈锁定单元30还包括一电阻R2，所述电阻R2 —端与所述反相器的输出端相连，其另一端连接所述过流检出处理单元40的第一反相器的输入端。所述电源单元60与所述过流检入处理单元20、上电处理单元50和过流检出处理单元40分别相连，且所述上电处理单元50的输出端连接所述过流检出单元。其中所述的电源单元60优选5V直流电源。该上电处理单元50包括第二二极管、与所述第二二极管连接的电容和电阻R4，所述第二二极管与所述电阻R2的输出端相连，所述电阻R4的一端与所述电源单元60相连，其另一端连接所述第二二极管的输出端，所述电容的输出端接地。工作时，当IGBT出现过流的时候，过流信号检入单元10会输入会发出IOmS时间的低电平信号过来，导致过流检出处理单元40的反相器的输入端电平转为低电平，该低电平信号经反相器反相后其输出端变为高电平，这样过流检出输出单元的输入端也强制拉为高电平，经检出输出单元的第二反相器反相后变为低电平，输送至PWM控制单元70，让PWM控制芯片强制关闭，同时通过第一二极管D1，把第一反相器的当输入端也强制拉低电平，第一反相器的输出端也一直为高电平，第二反相器的输入端也会一直持续高电平，自然第二反相器的输出端也会一直是低电平，从而强制把PWM芯片强制锁死在关闭状态下，达到了保护IGBT的作用。这种情况下，只有把电源切断后，此锁死电路才会恢复正常。在该过程中，所述电流检入处理单元的电阻Rl主要是反相器提供一偏置电压，所述上电处理单元50的电容Cl主要是在电源供电初期稳定电流，同时通过第二二极管强制把第一反相器的强制拉到低电平。综上所述，仅为本发明之较佳实施例，不以此限定本发明的保护范围，凡依本发明专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆为本发明专利涵盖的范围之内。
权利要求
1.一种IGBT过流锁定保护电路，其包括过流信号检入单元、与所述过流信号检入单元依次相连的过流检入处理单元及过流检出处理单元、及连接所述过流检出处理单元的PWM控制单元、反馈锁定单元、电源单元及上电处理单元，其特征在于:所述反馈锁定单元的一端连接所述过流检出处理单元输出端，其另一端与所述过流检入处理单元相连，所述电源单元与所述过流检入处理单元、上电处理单元和过流检出处理单元分别相连，且所述上电处理单元的输出端连接所述过流检出单元。
2.如权利要求1所述IGBT过流锁定保护电路，其特征在于:所述过流检入处理单元包括电阻R1、与所述电阻Rl连接的反相器及电阻R3，所述电阻Rl的输入端与所述过流信号检入单元相连，所述电阻R3的输入端与所述电源单元相连，且反相器的输出端与所述过流检出处理单元相连。
3.如权利要求2所述IGBT过流锁定保护电路，其特征在于:所述反馈锁定单元包括一电阻R2，所述电阻R2与所述反相器的输出端相连。
4.如权利要求3所述IGBT过流锁定保护电路，其特征在于:所述反馈锁定单元还包括第一二极管，所述第一二极管的一端与所述反相器的输入端相连，其另一端与所述过流检出处理单元相连。
5.如权利要求3所述IGBT过流锁定保护电路，其特征在于:所述上电处理单元包括第二二极管、与所述二极管连接的电容和电阻R4，所述第二二极管与所述电阻R2的输出端相连，所述电阻R4的一端与所述电源单元相连，其另一端连接所述第二二极管的输出端，所述电容的输出端接地。
6.如权利要求1 所述IGBT过流锁定保护电路，其特征在于:所述电源为5V直流电源。
全文摘要
一种IGBT过流锁定保护电路，其包括过流信号检入单元、与所述过流信号检入单元依次相连的过流检入处理单元及过流检出处理单元、及连接所述过流检出处理单元的PWM控制单元、反馈锁定单元、电源单元及上电处理单元，其特征在于所述反馈锁定单元的一端连接所述过流检出处理单元输出端，其另一端与所述过流检入处理单元相连，所述电源单元与所述过流检入处理单元、上电处理单元和过流检出处理单元分别相连，且所述上电处理单元的输出端连接所述过流检出单元。
文档编号H02H7/10GK103219706SQ201310102868
公开日2013年7月24日 申请日期2013年3月28日 优先权日2013年3月28日
发明者黄华杰 申请人:深圳市安众电气有限公司