专利名称：适用于高压环境的雷电防护电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种雷电防护电路，更具体的说是涉及一种适用于高压环境的雷电防护电路。
背景技术：
在夏季，雷雨多发季节，雷电经常发生。在各个方面的雷电防护电路应有尽有，但是，其大多为在低电压环境中使用。而在高压环境中使用的防雷电路其电路结构都较为复杂。
发明内容
本发明提供一种适用于高压环境的雷电防护电路，其可应用于高压环境，且电路结构简单。 为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案:
适用于高压环境的雷电防护电路，它包括P型场效应管MOSl、P型场效应管M0S2、N型场效应管M0S3、N型场效应管M0S4、稳压二极管Dl和电阻Rl ;所述的P型场效应管MOSl的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；所述的P型场效应管M0S2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOSl的漏极上；所述的N型场效应管M0S3的漏极与P型场效应管M0S2的漏极相连，N型场效应管M0S3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管M0S4的漏极上；所述的N型场效应管M0S4的栅极连接在源极上且同时接地；所述的稳压二极管Dl的正极连接在N型场效应管M0S4的源极上，正极连接在VDD上，所述的电阻Rl的一端与P型场效应管M0S2的漏极相连。更进一步的技术方案是:
所述的稳压二极管Dl上串联有稳压二极管D2。所述的电阻Rl的阻值为7000欧姆。所述的P型场效应管MOSl、P型场效应管M0S2、N型场效应管M0S3和N型场效应管M0S4衬底均与其的源级相连接。在本发明中，电阻Rl的两端分别连接在设备的IO端口和内部电路之间，且与内部电路连接的一端同时连接在P型场效应管M0S2的漏极上。当雷电从IO端口进入时，电阻Rl起限流作用。P型场效应管M0S1、P型场效应管M0S2、N型场效应管M0S3、N型场效应管M0S4、稳压二极管Dl和稳压二极管D2分别提供多条雷电泄放通路讲雷电泄放掉。由于P型场效应管MOSl和P型场效应管M0S2串联，N型场效应管M0S3和N型场效应管M0S4串联，稳压二极管Dl和稳压二极管D2串联，使得该电路的抗压能力增强，使其适用于高压环境。与现有技术相比，本发明的有益效果是:
1、本发明的电路结构简单，便于实现。2、本发明的电路提供多条雷电泄放电路，有效的讲雷电泄放掉，使其具有良好的防雷效果。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细说明。图1为本发明的电路原理图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。[实施例]
如图1所示的适用于高压环境的雷电防护电路，它包括P型场效应管M0S1、P型场效应管M0S2、N型场效应管M0S3、N型场效应管M0S4、稳压二极管Dl和电阻Rl ;所述的P型场效应管MOSl的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；所述的P型场效应管M0S2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOSl的漏极上；所述的N型场效应管M0S3的漏极与P型场效应管M0S2的漏极相连，N型场效应管M0S3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管M0S4的漏极上；所述的N型场效应管M0S4的栅极连接在源极上且同时接地；所述的稳压二极管Dl的正极连接在N型场效应管M0S4的源极上，正极连接在VDD上，所述的电阻Rl的一端与P型场效应管M0S2的漏极相连。所述的稳压二极管Dl上串联有稳压二极管D2。
所述的电阻Rl的阻值为7000欧姆。所述的P型场效应管MOSl、P型场效应管M0S2、N型场效应管M0S3和N型场效应管M0S4衬底均与其的源级相连接。如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化，凡是与本发明具有相同或相近的技术方案，均落入本发明的保护范围之内。
权利要求
1.适用于高压环境的雷电防护电路，其特征在于:它包括P型场效应管M0S1、P型场效应管M0S2、N型场效应管M0S3、N型场效应管M0S4、稳压二极管Dl和电阻Rl ;所述的P型场效应管MOSl的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；所述的P型场效应管M0S2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOSl的漏极上；所述的N型场效应管M0S3的漏极与P型场效应管M0S2的漏极相连，N型场效应管M0S3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管M0S4的漏极上；所述的N型场效应管M0S4的栅极连接在源极上且同时接地；所述的稳压二极管Dl的正极连接在N型场效应管M0S4的源极上，正极连接在VDD上，所述的电阻Rl的一端与P型场效应管M0S2的漏极相连。
2.根据权利要求1所述的适用于高压环境的雷电防护电路，其特征在于:所述的稳压二极管Dl上串联有稳压二极管D2。
3.根据权利要求1所述的适用于高压环境的雷电防护电路，其特征在于:所述的电阻Rl的阻值为7000欧姆。
4.根据权利要求1所述的适用于高压环境的雷电防护电路，其特征在于:所述的P型场效应管M0S1、P型场效应管M0S2、N型场效应管M0S3和N型场效应管M0S4衬底均与其的源级相 连接。
全文摘要
本发明公开了一种适用于高压环境的雷电防护电路，P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上；N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连，N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上；N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地；稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上，正极连接在VDD上，所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。其优点是其可应用于高压环境，且电路结构简单。
文档编号H02H9/04GK103248032SQ20131015122
公开日2013年8月14日 申请日期2013年4月27日 优先权日2013年4月27日
发明者黄友华 申请人:成都市宏山科技有限公司