一种应用于交流驱动led的高压levelshift电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻；上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、高压PMOS管的源极均与高压端连接，上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的栅极均与NMOS管的漏极连接，NMOS管的栅极与低压控制模块的输出端连接。其中，本发明只需要1个NMOS管、上拉电阻、限流电阻和齐纳二极管单元，即可达到LEVELSHIFT目的，且省去额外的LEVELSHIFT电源，因此，本发明电路结构简单，而且，只使用了1个NMOS管，从而大大减小电路的占用面积。
【专利说明】—种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及交流驱动LED【技术领域】，尤其涉及一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT (即 level shift,电平转换)电路。
【背景技术】
[0002]目前，交流驱动LED电路中使用到的高压PMOS管的栅源耐压(SP|Vgs|)—般小于数十伏，这就要求高压PMOS的栅极电压应相对于电源电压的压差保持恒定，而开关逻辑控制通常是使用低压电源输出(即交流驱动LED电路的低压控制模块输出)，因此需要LEVELSHIFT单元。常规的LEVELSHIFT电路需要至少4个高压MOS管(即耐高压的MOS管)，还需要产生一个额外的相对于电源电压保持恒定压差的电源，电路结构复杂；并且高压MOS管的面积很大，LEVELSHIFT电路采用多个高压MOS管，其电路占用的面积势必会较大，不利于产品的小型化。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供一种电路结构简单、电路占用面积较小的应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路。
[0004]为了实现上述目的，本发明提供一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻；所述上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的源极均与高压端连接，所述上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的栅极均与NMOS管的漏极连接，所述NMOS管的栅极与交流驱动LED电路的低压控制模块的输出端连接，所述NMOS管的源极与限流电阻一端连接，所述限流电阻另一端接地。
[0005]较佳地，所述NMOS管为高压NMOS管。
[0006]较佳地，所述齐纳二极管单元为I个齐纳二极管，该齐纳二极管的阴极为所述齐纳二极管单元的阴极端、而阳极为所述齐纳二极管单元的阳极端。
[0007]较佳地，所述齐纳二极管单元为若干个齐纳二极管串联组成。
[0008]本发明有益效果在于:
[0009]本发明只需要I个NMOS管、上拉电阻、限流电阻和齐纳二极管单元，即可达到LEVELSHIFT目的，且省去额外的LEVELSHIFT电源，因此，本发明电路结构简单，而且，只使用了 I个NMOS管，从而大大减小电路的占用面积。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明的电路原理图。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图对本发明作进一步的说明。[0012]请参考图1，本发明应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，包括NMOS管NO、上拉电阻R0、齐纳二极管单元、限流电阻Rs。上拉电阻RO—端、齐纳二极管单元的阴极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管PO的源极均与高压端(VPP)连接，上拉电阻RO另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管PO的栅极均与NMOS管NO的漏极连接，NMOS管NO的栅极与交流驱动LED电路的低压控制模块I的输出端连接，NMOS管NO的源极与限流电阻Rs —端连接，限流电阻Rs另一端接地。
[0013]其中，上述NMOS管NO为高压NMOS管(即耐高压NMOS管)。在本实施例中，齐纳二极管单元为I个齐纳二极管Z0，该齐纳二极管ZO的阴极为齐纳二极管单元的阴极端、而阳极为齐纳二极管单元的阳极端。当然，根据被控制的交流驱动LED电路的高压PMOS管PO的栅源耐压值不同，齐纳二极管单元也可以为若干个齐纳二极管串联组成。
[0014]本发明的工作原理，如下:
[0015]当交流驱动LED电路的低压控制模块I输出为“I”(即逻辑高电平)时，NMOS管NO开启，将上拉电阻R0、齐纳二极管ZO的上下端压差嵌位至齐纳二极管ZO的击穿电压，使交流驱动LED电路的高压PMOS管PO的栅极电压保持恒定，而限流电阻Rs是用来限制NMOS管NO的下拉电流；当交流驱动LED电路的低压控制模块I输出为“O”(即逻辑低电平)时，NMOS管NO关闭，齐纳二极管ZO的阳极、交流驱动LED电路的高压PMOS管PO的栅极均被上拉电阻RO上拉至高压VPP。这样，即实现了 LEVELSHIFT功能，且可省去额外的LEVELSHIFT电源。
[0016]因此，本发明电路结构简单，而且，只使用了 I个NMOS管NO，从而大大减小电路的占用面积，故本发明可广泛应用于交流驱动LED电路中。
[0017]最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
【权利要求】
1.一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于:包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻；所述上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的源极均与高压端连接，所述上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的栅极均与NMOS管的漏极连接，所述NMOS管的栅极与交流驱动LED电路的低压控制模块的输出端连接，所述NMOS管的源极与限流电阻一端连接，所述限流电阻另一端接地。
2.根据权利要求1所述的应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于:所述NMOS管为高压匪OS管。
3.根据权利要求1或2所述的应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于:所述齐纳二极管单元为I个齐纳二极管，该齐纳二极管的阴极为所述齐纳二极管单元的阴极端、而阳极为所述齐纳二极管单元的阳极端。
4.根据权利要求1或2所述的应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于:所述齐纳二极管 单元为若干个齐纳二极管串联组成。
【文档编号】H02M3/155GK103904889SQ201410076864
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2014年3月4日 优先权日:2014年3月4日
【发明者】唐飞球 申请人:东莞博用电子科技有限公司