一种基于rtv涂料的中压电缆附件缺陷处理方法
【专利摘要】本发明涉及一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷处理方法，其主要特点是：进行电缆及附件选材；确定四种缺陷模型；对每组缺陷制作缺陷模型和缺陷处理模型，在每组模型中均包括正常相、缺陷相和缺陷处理相；将前三种缺陷模型分电压等级串联在一条电缆回路中，分别通过交流耐压、红外热成像、局部放电检测对处理情况进行检验；对于第四缺陷模型，从电缆其中一端线芯注入1～2MPa的水压，验证防水效果；验证处理结果。本发明对现场施工过程中多发的问题进行模拟，并利用RTV处理缺陷，通过试验及对比分析，能够有效地消除电缆附件安装施工过程中遗留的缺陷，确保电缆线路的可靠运行，对提高电缆供电可靠性、降低运行及维护成本有着重要意义。
【专利说明】—种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷处理方法
【技术领域】
[0001]本发明属于中压电缆【技术领域】，尤其是一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷处理方法。
【背景技术】
[0002]随着电网的发展，中压(额定电压6?35kV)电缆附件的使用量逐年增加，运行中电缆附件也时常发生故障。电缆附件在电网中运行的质量取决于多方面的因素，包括设计、产品本身质量、施工安装工艺、电缆线路运行状况等。随着现代科技的不断发展及材料技术、生产工艺的不断提高，产品本身质量原因造成故障的概率越来越少，而现场的安装质量已直接影响中压电缆附件的故障率。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷处理方法，解决中压电缆施工过程中多发故障的分析及处理问题。
[0004]本发明解决现有的技术问题是采取以下技术方案实现的:
[0005]一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷处理方法，包括以下步骤:
[0006]步骤1、根据IOkV及35kV两个电压等级，进行电缆及附件选材；
[0007]步骤2、根据IOkV及35kV两个电压等级确定缺陷模型，缺陷模型包括如下四种类型:电缆导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型、半导电断口划伤缺陷模型、主绝缘划伤缺陷模型、中间接头防水缺陷模型；
[0008]步骤3、对每组缺陷制作缺陷模型和缺陷处理模型，在每组模型中均包括正常相、缺陷相和缺陷处理相；
[0009]步骤4、将电缆导体与主绝缘间气隙缺陷模型、半导电断口划伤缺陷模型、主绝缘划伤缺陷模型分电压等级串联在一条电缆回路中，分别通过交流耐压、红外热成像、局部放电检测对处理情况进行检验；对于中间接头防水缺陷模型，从电缆其中一端线芯注入I?2MPa的水压，验证防水效果；
[0010]步骤5、通过收集试验数据，根据其中的正常相与缺陷相、缺陷处理相进行比对分析，验证处理结果。
[0011]而且，所述缺陷模型均包括主绝缘体、绝缘屏蔽层、导体压接管，绝缘屏蔽层设置在主绝缘体的两端，导体压接管将两端电缆连接后，在整体外部设有冷缩中间接头，所述的冷缩中间接头采用透明硅橡胶制成，其中，电缆导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型是在导体压接管与主绝缘体之间制有气隙；半导电断口划伤缺陷模型是在绝缘屏蔽层与主绝缘体的断口处制有沿断口走向的环状划伤；主绝缘划伤缺陷模型是在主绝缘体上制有划伤；中间接头防水缺陷模型是在主绝缘体的导体压接处制有渗水缝隙。
[0012]而且，所述电缆导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型的制作方法为:电缆主绝缘体剥切及导体压接后，在缠绕半导电带时在主绝缘体和导体压接管之间留出约l_2mm的缝隙；所述半导电断口划伤缺陷模型的制作方法为:当完成电缆绝缘屏蔽体的剥除后，在绝缘屏蔽体与主绝缘体的断口处留下半导电断口划伤，划痕的宽度及深度为，IOkV:宽
0.5mm,深Imm ；35kV:宽Imm,深1.5mm ;所述主绝缘划伤缺陷模型的制作方法为:在完成电缆绝缘屏蔽层的剥除后，在电缆主绝缘体上留下主绝缘划伤，划痕的深度及位置，IOkV:
0.5-lmm,划痕约长25mm,末端距主绝缘端部约40_50mm ；35kV:0.5-1.5mm,划痕约长30mm,末端距主绝缘端部约60-80mm ;所述中间接头防水缺陷模型的制作方法为:在主绝缘体的导体压接处制有渗水缝隙。
[0013]而且，所述的缺陷处理模型是使用RTV对缺陷处进行填充处理。
[0014]本发明的优点和积极效果是:
[0015]本发明通过制作中压电缆附件典型缺陷模型，对现场施工过程中多发的问题进行模拟，并利用RTV处理缺陷，通过试验及对比分析，能够有效地消除电缆附件安装施工过程中遗留的缺陷，确保电缆线路的可靠运行，对提高电缆供电可靠性、降低运行及维护成本有着重要意义。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是本发明的处理方法示意图；
[0017]图2是本发明的电缆导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型示意图；
[0018]图3是本发明的半导电断口划伤缺陷模型示意图；
[0019]图4是本发明的主绝缘划伤缺陷模型示意图；
[0020]图5是本发明的防水缺陷模型示意图；
[0021]图中，1:主绝缘体，2:导体压接管与主绝缘间气隙，3:绝缘屏蔽层，4:半导电断口划伤，5:导体压接管，6:主绝缘划伤，7:渗水缝隙，8:冷缩中间接头。
【具体实施方式】
[0022]以下结合附图对本发明实施例做进一步详述。
[0023]一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷处理方法，如图1所示，包括以下步骤:
[0024]步骤1、根据IOkV及35kV两个电压等级，进行电缆及附件选材；
[0025]步骤2、根据电压等级确定缺陷模型，缺陷模型包括如下四种类型:(I)电缆导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型、(2)半导电断口划伤缺陷模型、(3)主绝缘划伤缺陷模型、⑷中间接头防水缺陷模型。
[0026]如图2至图5所示，四种缺陷模型均包括主绝缘体1、绝缘屏蔽层3，绝缘屏蔽层设置在主绝缘体的两端，导体压接管5将两端电缆连接后，在整体外部设有冷缩中间接头8，所述的冷缩中间接头采用透明硅橡胶制成，其中，电缆导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型如图2所示，在导体压接管与主绝缘体之间制有气隙；如图3所示，半导电断口划伤缺陷模型是在绝缘屏蔽层与主绝缘体的断口处制有沿断口走向的环状划伤；如图4所示，主绝缘划伤缺陷模型是在主绝缘体上制有划伤；如图5所示，中间接头防水缺陷模型是在主绝缘体的导体压接处制有渗水缝隙。
[0027]步骤3、对每组缺陷制作缺陷模型和缺陷处理模型，在每组模型中均包括正常相、缺陷相和缺陷处理相。
[0028]由于10kV、35kV电缆均为三芯结构，因此，每组缺陷包括三相，在其中的两相上制作缺陷模型，另外一相作为正常相留作对比。在两个缺陷相中再选取一相用RTV进行处理，得到缺陷处理相，这样就保证了一组模型中包含正常相、缺陷相和缺陷处理相。
[0029]所述缺陷模型的制作方法为:
[0030]第(I)种缺陷模型的制作方法为:电缆主绝缘体剥切及导体压接后，在缠绕半导电带时在主绝缘体和导体压接管之间留出约l_2mm的缝隙。如果进行RTV处理，则使用RTV填补导体压接管与主绝缘体之间的气隙，得到相应的缺陷处理模型。
[0031]第(2)种缺陷模型的制作方法为:当完成电缆绝缘屏蔽层的剥除后，在绝缘屏蔽层与主绝缘体的断口处留下半导电断口划伤，划痕的宽度及深度为，IOkv:宽0.5mm,深Imm ；35kV:宽1mm，深1.5mm。如果进行RTV处理，则使用RTV沿断口均匀涂抹一周，并在其干燥后打磨平滑，得到相应的缺陷处理模型。
[0032]第(3)种缺陷模型的制作方法为:在完成电缆绝缘屏蔽层的剥除后，在电缆主绝缘体上留下主绝缘划伤，划痕的深度及位置，IOkV:0.5-lmm,划痕约长25mm,末端距主绝缘端部约40_50mm ；35kV:0.5-1.5mm,划痕约长30mm,末端距主绝缘端部约60_80mm。如果进行RTV处理，则使用RTV沿断口均匀涂抹一周，并在其干燥后打磨平滑，得到相应的缺陷处理模型。
[0033]第(4)种缺陷模型的制作方法为:在主绝缘体的导体压接处制有渗水缝隙。如果进行RTV处理，使用RTV对中间接头中的渗水缝隙进行填补，得到相应的缺陷处理模型。
[0034]步骤4、将前三种模型分电压等级串联在一条电缆回路中，分别通过交流耐压、红外热成像、局部放电检测对处理情况进行检验；对于第四组模型，从电缆其中一端线芯注入I?2MPa的水压，验证防水效果。
[0035]步骤5，通过收集试验数据，根据其中的正常相与缺陷相、缺陷处理相进行比对分析，验证处理结果。
[0036]需要强调的是，本发明所述的实施例是说明性的，而不是限定性的，因此本发明包括并不限于【具体实施方式】中所述的实施例，凡是由本领域技术人员根据本发明的技术方案得出的其他实施方式，同样属于本发明保护的范围。
【权利要求】
1.一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷处理方法，其特征在于包括以下步骤: 步骤1、根据1kv及35kV两个电压等级，进行电缆及附件选材； 步骤2、根据1kV及35kV两个电压等级确定缺陷模型，缺陷模型包括如下四种类型:电缆导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型、半导电断口划伤缺陷模型、主绝缘划伤缺陷模型、中间接头防水缺陷模型； 步骤3、对每组缺陷制作缺陷模型和缺陷处理模型，在每组模型中均包括正常相、缺陷相和缺陷处理相； 步骤4、将电缆导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型、半导电断口划伤缺陷模型、主绝缘划伤缺陷模型分电压等级串联在一条电缆回路中，分别通过交流耐压、红外热成像、局部放电检测对处理情况进行检验；对于中间接头防水缺陷模型，从电缆其中一端线芯注入I?2MPa的水压，验证防水效果； 步骤5、通过收集试验数据，根据其中的正常相与缺陷相、缺陷处理相进行比对分析，验证处理结果。
2.根据权利要求1所述的一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷处理方法，其特征在于:所述缺陷模型均包括主绝缘体、绝缘屏蔽层、导体压接管，绝缘屏蔽层设置在主绝缘体的两端，导体压接管将两端电缆连接后，在整体外部设有冷缩中间接头，所述的冷缩中间接头采用透明硅橡胶制成，其中，电缆导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型是在导体压接管与主绝缘体之间制有气隙；半导电断口划伤缺陷模型是在绝缘屏蔽体与主绝缘体的断口处制有沿断口走向的环状划伤；主绝缘划伤缺陷模型是在主绝缘体上制有划伤；中间接头防水缺陷模型是在主绝缘体的导体压接处制有渗水缝隙。
3.根据权利要求1所述的一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷处理方法，其特征在于:所述电缆导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型的制作方法为:电缆主绝缘体剥切及导体压接后，在缠绕半导电带时在主绝缘体和导体压接管之间留出约l_2mm的缝隙；所述半导电断口划伤缺陷模型的制作方法为:当完成电缆绝缘屏蔽体的剥除后，在绝缘屏蔽体与主绝缘体的断口处留下半导电断口划伤，划痕的宽度及深度为，1kV:宽0.5mm,深Imm ；35kV:宽1mm，深1.5mm ;所述主绝缘划伤缺陷模型的制作方法为:在完成电缆绝缘屏蔽体的剥除后，在电缆主绝缘体上留下主绝缘划伤，划痕的深度及位置，1kV:0.5-lmm，划痕约长25mm,末端距主绝缘端部约40_50mm ；35kV:0.5-1.5mm,划痕约长30mm,末端距主绝缘端部约60-80mm ;所述中间接头防水缺陷模型的制作方法为:在主绝缘体的导体压接处制有渗水缝隙。
4.根据权利要求1所述的一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷处理方法，其特征在于:所述的缺陷处理模型是使用RTV对缺陷处进行填充处理。
【文档编号】H02G1/00GK104078876SQ201410329491
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2014年7月11日 优先权日:2014年7月11日
【发明者】朱晓辉, 李旭, 郭勇 申请人:国家电网公司, 国网天津市电力公司