三相阻容吸收装置制造方法

文档序号:7399387阅读:1182来源:国知局
三相阻容吸收装置制造方法
【专利摘要】本实用新型属于电器电子元件,特别涉及一种三相阻容吸收装置,外壳体(4)内分别装有电容一(6)、电容二(8)、电容三(11)、电阻一(7)、电阻二(9)、电阻三(10),电阻一(7)连接电容一(6)、电阻二(9)连接电容二(8)、电阻三(10)连接电容三(11),电容一(6)连接接线环一(1)、电容二(8)连接接线环二(13)、电容三(11)连接接线环三(12),外壳体(4)内用阻燃环氧树脂(3)灌封,外壳体(4)右侧底部固定连接固定座(5),固定座(5)上设有固定孔(5-1),三相阻容吸收装置结构简单,占用空间小,体积轻,性能优良,质量可靠。
【专利说明】三相阻容吸收装置
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电器电子元件,特别涉及一种三相阻容吸收装置。
【背景技术】
[0002]为防止系统内部瞬间电压冲击对重要电气设备的损伤,通行的做法是靠近断路器或接触器位置加装阻容冲击保护,阻容吸收装置优点主要是在于起始工作电压低,可有吸收小电流冲击对设备的影响,但是多数阻容器吸收电路采用分立元件,受爬电距离的限制,体积和占空比较大,不适于特殊场合的使用。

【发明内容】

[0003]本实用新型的目的在于克服上述技术不足,提供一种结构简单,体积小,质量可靠的三相阻容吸收装置。
[0004]本实用新型解决技术问题采用的技术方案是:三相阻容吸收装置包括外壳体、电容一、电容二、电容三、电阻一、电阻二、电阻三、接线环一、接线环二、接线环三,其特点是外壳体内分别装有电容一、电容二、电容三、电阻一、电阻二、电阻三,电阻一连接电容一、电阻二连接电容二、电阻三连接电容三,电阻一、电阻二、电阻三之间Y形连接,电容一连接接线环一、电容二连接接线环二、电容三连接接线环三,电阻一、电阻二、电阻三之间和电容一与接线环一、电容二与接线环二、电容三与接线环三之间均用高压硅胶软线连接,外壳体内用阻燃环氧树脂灌封,外壳体右侧底部固定连接固定座,固定座上设有固定孔,接线环三为A相,接线环二为B相,接线环一为C相。
[0005]本实用新型的有益效果是:三相阻容吸收装置结构简单,占用空间小,体积轻,性能优良,质量可靠,不受爬电距离的限制,适用于特殊场合的使用,广泛适用于隔爆型真空、电磁启动器、馈电开关、晶闸管保护等领域。
【专利附图】

【附图说明】
[0006]以下结合附图以实施例具体说明。
[0007]图1是三相阻容吸收装置结构及局剖图。
[0008]图中,1-接线环一 ;2_高压硅胶软线;3_阻燃环氧树脂;4_外壳体;5_固定座;5-1-固定孔;6_电容一 ;7-电阻一 ;8-电容二 ;9-电阻二 ;10_电阻三;11_电容三;12_接线环三;13-接线环二。
【具体实施方式】
[0009]实施例,参照附图1,外壳体4内分别装有电容一 6、电容二 8、电容三11、电阻一 7、电阻二 9、电阻三10,电阻一 7连接电容一 6、电阻二 9连接电容二 8、电阻三10连接电容三11,电阻一 7、电阻二 9、电阻三10之间Y形连接。电容一 6连接接线环一 1、电容二 8连接接线环二 13、电容三11连接接线环三12,电阻一 7、电阻二 9、电阻三10之间和电容一 6与接线环一 1、电容二 8与接线环二 13、电容三11与接线环三12之间均用高压硅胶软线2连接。外壳体4内用阻燃环氧树脂3灌封,外壳体4右侧底部固定连接固定座5,固定座5上设有固定孔5-1,接线环三12为A相,接线环二 13为B相,接线环一 I为C相。
【权利要求】
1.一种三相阻容吸收装置,包括外壳体(4)、电容一(6)、电容二(8)、电容三(11)、电阻一(7)、电阻二(9)、电阻三(10)、接线环一(I)、接线环二(13)、接线环三(12),其特征在于外壳体(4)内分别装有电容一(6)、电容二(8)、电容三(11)、电阻一(7)、电阻二(9)、电阻三(10),电阻一(7)连接电容一(6)、电阻二(9)连接电容二(8)、电阻三(10)连接电容三(11),电阻一(7)、电阻二(9)、电阻三(10)之间Y形连接,电容一(6)连接接线环一(I)、电容二(8)连接接线环二(13)、电容三(11)连接接线环三(12),电阻一(7)、电阻二(9)、电阻三(10)之间和电容一(6)与接线环一(I)、电容二(8)与接线环二(13)、电容三(11)与接线环三(12)之间均用高压硅胶软线(2)连接,外壳体(4)内用阻燃环氧树脂(3)灌封,外壳体(4)右侧底部固定连接固定座(5),固定座(5)上设有固定孔(5-1),接线环三(12)为A相,接线环二( 13 )为B相,接线环一(I)为C相。
【文档编号】H02H9/04GK203787955SQ201420155576
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年4月2日 优先权日:2014年4月2日
【发明者】刘崇新, 刘智欣, 李立棠, 刘惠渤 申请人:阜新新普电子有限公司
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