一种自带隔离电源的单项全桥下桥igbt驱动器的制造方法
【专利摘要】一种自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，包括电路板和设置在电路板的驱动电路，驱动电路包括隔离电源变换器电路和IGBT驱动电路；隔离电源变换器电路包括振荡频率发生电路和整流输出电路，IGBT驱动电路包括信号输入电路、信号判断电路、信号隔离电路、信号放大电路、电源欠压保护电路、故障检测电路、故障封锁输出电路。本实用新型采用全新的单项全桥下桥驱动电路技术，有效的降低了外部器件数量，同时也更合理的利用的隔离电源。通过光耦实现隔离传输驱动信号，传输延迟时间短，共模抑制比高，信号失真小，可能性强，可保证驱动开关管的一致性和稳定性，也增加了电路的集成度，可靠性高，实用性强，可广泛应用于各类IGBT或MOSFET的驱动。
【专利说明】—种自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种驱动器，具体是一种自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器。
【背景技术】
[0002]由于绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有较高的电流容量及电压耐量，开关频率高，低导通饱和压降，输入阻抗高，驱动简单等特点。使其在中，大功率变换系统中广泛应用。驱动电路作为控制电路与功率半导体之间的桥梁，在充分利IGBT的性能及提高功率系统可靠性和稳定性方面有着至关重要的作用。IGBT驱动电路的功能是将来自于控制电路的控制信号经隔离转换为具有足够功率的驱动信号，来保证IGBT的可靠开通与关断。同时，IGBT驱动电路也为控制器和功率管之间提供安全的电气隔离。为了使IGBT在出现过流或短路时得到有效的保护，保护功能也被集成到驱动电路中。IGBT驱动器的具体性能要求主要体现在以下几方面:由于IGBT栅极输入具有电容特性，为了能使IGBT具有较快的开关速度，驱动器必须能够提供较大瞬时驱动电流，从而减小开关损耗；要求为IGBT提供完善的过流和短路保护功能；由于驱动器位于控制电路与功率电路之间，还要求驱动器提供足够的安全距离和较高的绝缘电压耐量和较高的共模信号抑制比。
[0003]目前市场上的IGBT驱动器产品相对也比较多，但多数为不带隔离电源的单管IGBT驱动器或半桥驱动器，也有自带电源的单管IGBT驱动和半桥IGBT驱动器，在应用时单管IGBT驱动器需用数量多，电路比较复杂，分布参数较大；而半桥驱动器则体积大，成本也较高，在中小功率逆变器上应用则受到严重的限制，而专用于单项全桥的下桥IGBT驱动器目前市场上还没有。
实用新型内容
[0004]本实用新型的目的在于提供一种功能完善、性能可靠、成本低廉的自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0006]一种自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，包括电路板和设置在电路板的驱动电路，电路板上设有直插型或接线型连接接口，驱动电路与连接接口相连接，驱动电路包括隔离电源变换器电路和IGBT驱动电路；所述隔离电源变换器电路包括振荡频率发生电路和整流输出电路，所述IGBT驱动电路包括信号输入电路、信号判断电路、信号隔离电路、信号放大电路、电源欠压保护电路、故障检测电路、故障封锁输出电路。
[0007]作为本实用新型进一步的方案:所述振荡频率发生电路包括振荡器U1、电容Cl、电容C2、功率放大管Ql和功率放大管Q2，电容Cl接于电源输入端，振荡器Ul的I脚和3脚并联后分别连接电源正极、电容C2和变压器的2脚，振荡器Ul的2脚、4脚、7脚和电容C2另一端均接电源地，振荡器Ul的8脚通过电阻Rl连接功率放大管Ql的栅极，振荡器Ul的6脚通过电阻R2连接功率放大管Q2的栅极，功率放大管Ql与功率放大管Q2的源极相连后接于电源地，功率放大管Ql的漏极连接变压器T的I脚，功率放大管Q2的漏极连接变压器的3脚。
[0008]作为本实用新型进一步的方案:所述整流输出电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电容C3、电容C4、电阻R3和电阻R4 ;其中二极管Dl的正极连接变压器T的4脚，二极管Dl的负极分别连接二极管D2、电容C3、电阻R3和隔离电源Viso+，二极管D2正极连接变压器T的6脚，电容C3另一端分别连接变压器T的5脚、变压器T的8脚、电阻R3另一端、电容C4、电阻R4和隔离电源C0M，电容C4另一端分别连接二极管D3、二极管D4、电阻R4另一端和隔离电源Viso-，二极管D3另一端连接变压器T的7脚，二极管D4另一端连接变压器T的9脚。
[0009]作为本实用新型进一步的方案:所述的信号输入电路中信号VINl分别连接电阻Rl和电阻R2，电阻R2另一端分别连接二极管D1、二极管D2和与非门UlA的I脚，信号VIN2分别连接电阻R7和电阻R8，电阻R8另一端分别连接二极管D3、二极管D4和与非门UlB的12脚。
[0010]作为本实用新型进一步的方案:所述的信号判断电路包括与非门UlA和与非门UlB,与非门UlA的2脚连接电阻R3，与非门UlA的3脚连接光耦U3的I脚至信号隔离电路，与非门UlB的13脚连接电阻R6，与非门UlA的11脚连接光耦U5的I脚至信号隔离电路。
[0011]作为本实用新型进一步的方案:所述的信号隔离电路中光耦U3的5脚分别连接电容Cl、电阻R9、电阻RlO和电阻RlI，光耦U3的2脚分别连接电阻RlO另一端和运算放大器U7A的反相输入端，光耦U3的3脚分别连接电容Cl另一端和电阻R12，电阻R12另一端连接运算放大器U7A的同相输入端；光耦U5的5脚分别连接电容C2、电阻R24、电阻R250和电阻R26，光耦U5的2脚分别连接电阻R25另一端和运算放大器U7D的反相输入端，光耦U5的3脚分别连接电容C2另一端和电阻R27，电阻R27另一端连接运算放大器U7D的同相输入端；电阻R3另一端分别连接电阻R6另一端、电阻R4、光耦U4的I脚、反向器U2A的I脚、反向器U2B的4脚，光耦U4的2脚连接反向器U6A的2脚；
[0012]作为本实用新型进一步的方案:所述的信号放大电路中运算放大器U7A的输出端分别连接运算放大器U7D的输出端、反向器U6A的I脚、运算放大器U7C的输出端、三极管Q2的基极、三极管Q4的基极、电阻R16、三极管Q6的基极、三极管Q8的基极和电阻R28 ；电阻R16另一端分别连接三极管Q2的集电极、三极管Q3的集电极，三极管Q2的发射极连接三极管Q3的基极，三极管Q4的发射极分别连接电阻R17和三极管Q5的基极，电阻R17另一端连接三极管Q5的发射极，三极管Q5的集电极连接三极管Q3的发射极后输出信号；电阻R28另一端分别连接三极管Q6的集电极、三极管Q7的集电极，三极管Q6的发射极连接三极管Q7的基极，三极管Q8的发射极分别连接电阻R29和三极管Q9的基极，电阻R29另一端连接三极管Q9的发射极，三极管Q9的集电极连接三极管Q7的发射极后输出信号；
[0013]作为本实用新型进一步的方案:所述的电源欠压保护电路中运算放大器U7B的反相输入端分别连接电阻R14和二极管D5，运算放大器U7B的同相输入端分别连接电阻R13和电阻R15，电阻R14另一端和电阻R13另一端并联后接隔离电源Viso+，二极管D5正极与电阻R15另一端并联后连接隔离电源COM。
[0014]作为本实用新型进一步的方案:所述的故障检测电路运算放大器U7C的同相输入端分别连接电阻R19、电阻R20和电阻R21，电阻R19另一端分别连接电阻R18、并补电容C3和运算放大器U7C的输出端，电阻R18另一端分别连接电阻R20另一端和电阻R22，电阻R22另一端分别连接可变电阻R23、DESAT端口和运算放大器U7C的反相输入端，可变电阻R23另一端连接电阻R21另一端。
[0015]作为本实用新型再进一步的方案:所述的故障封锁输出电路中反向器U2A的2脚分别连接反向器U2B的3脚、电阻R5和RESET端口，电阻R5另一端连接功率放大管的栅极，功率放大管Ql的漏极连接FAULT端口。
[0016]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:
[0017]本实用新型采用全新的单项全桥下桥驱动电路技术，有效的降低了外部器件数量，同时也更合理的利用的隔离电源。通过光耦实现隔离传输驱动信号，传输延迟时间短，共模抑制比高，信号失真小，可能性强，可保证驱动开关管的一致性和稳定性，也增加了电路的集成度，可靠性高，实用性强，可广泛应用于各类IGBT或MOSFET的驱动。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1为本实用新型隔离电源变换器电路图。
[0019]图2为本实用新型IGBT驱动电路图。
[0020]图3为本实用新型IGBT驱动电路原理框图。
[0021]图4为本实用新型IGBT驱动电路中信号输入电路图。
[0022]图5为本实用新型IGBT驱动电路中信号放大电路图。
[0023]图6为本实用新型IGBT驱动电路中电源欠压保护电路图。
[0024]图7为本实用新型IGBT驱动电路中故障检测电路图。
[0025]图8为本实用新型IGBT驱动电路中故障封锁输出电路图。
【具体实施方式】
[0026]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0027]请参阅图1?8，本实用新型实施例中，一种自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，包括电路板和设置在电路板的驱动电路，电路板上设有直插型或接线型连接接口，驱动电路与连接接口相连接，驱动电路包括隔离电源变换器电路和IGBT驱动电路；隔离电源变换器电路包括振荡频率发生电路和整流输出电路，IGBT驱动电路包括信号输入电路、信号判断电路、信号隔离电路、信号放大电路、电源欠压保护电路、故障检测电路、故障封锁输出电路。
[0028]请参阅图1，振荡频率发生电路包括振荡器U1、电容Cl、电容C2、功率放大管Ql和功率放大管Q2，电容Cl接于电源输入端，振荡器Ul的I脚和3脚并联后分别连接电源正极、电容C2和变压器的2脚，振荡器Ul的2脚、4脚、7脚和电容C2另一端均接电源地，振荡器Ul的8脚通过电阻Rl连接功率放大管Ql的栅极，振荡器Ul的6脚通过电阻R2连接功率放大管Q2的栅极，功率放大管Ql与功率放大管Q2的源极相连后接于电源地，功率放大管Ql的漏极连接变压器T的I脚，功率放大管Q2的漏极连接变压器的3脚。
[0029]整流输出电路，包括二极管Dl、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电容C3、电容C4、电阻R3和电阻R4 ;其中二极管Dl的正极连接变压器T的4脚，二极管Dl的负极分别连接二极管D2、电容C3、电阻R3和隔离电源Viso+，二极管D2正极连接变压器T的6脚，电容C3另一端分别连接变压器T的5脚、变压器T的8脚、电阻R3另一端、电容C4、电阻R4和隔离电源C0M，电容C4另一端分别连接二极管D3、二极管D4、电阻R4另一端和隔离电源Viso-，二极管D3另一端连接变压器T的7脚，二极管D4另一端连接变压器T的9脚。
[0030]隔离电源变换器电路通过振荡器Ul提供推挽的振荡信号，经功率放大管Ql和功率放大管Q2的功率放大后经过变压器T，从而将电能传递到次级侧，通过次级侧的整流和滤波之后输出彼此隔离的正、负双输出隔离电源，从而为单项全桥驱动器下桥驱动供电。
[0031]请参阅图2?8，IGBT驱动电路中，两路驱动信号经信号输入电路后分别通过限流电阻进入故障判断电路，通过与非门判断后，驱动信号输入至信号隔离电路，通过光耦将驱动信号传输到驱动侧至信号放大电路，将信号放大后输出；
[0032]信号输入电路中，信号VINl分别连接电阻Rl和电阻R2，电阻R2另一端分别连接二极管D1、二极管D2和与非门UlA的I脚，信号VIN2分别连接电阻R7和电阻R8，电阻R8另一端分别连接二极管D3、二极管D4和与非门UlB的12脚。其中电阻R2和电阻R8为限流电阻，电阻Rl和电阻R7为下拉电阻，分别与输入信号和地相接，二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4提供信号输入保护。
[0033]信号判断电路包括与非门UlA和与非门U1B，与非门UlA的2脚连接电阻R3，与非门UlA的3脚连接光耦U3的I脚至信号隔离电路，与非门UlB的13脚连接电阻R6，与非门UlA的11脚连接光耦U5的I脚至信号隔离电路。
[0034]信号隔离电路中，光耦U3的5脚分别连接电容Cl、电阻R9、电阻RlO和电阻RlI，光耦U3的2脚分别连接电阻RlO另一端和运算放大器U7A的反相输入端，光耦U3的3脚分别连接电容Cl另一端和电阻R12，电阻R12另一端连接运算放大器U7A的同相输入端；光耦U5的5脚分别连接电容C2、电阻R24、电阻R250和电阻R26，光耦U5的2脚分别连接电阻R25另一端和运算放大器U7D的反相输入端，光耦U5的3脚分别连接电容C2另一端和电阻R27，电阻R27另一端连接运算放大器U7D的同相输入端；电阻R3另一端分别连接电阻R6另一端、电阻R4、光耦U4的I脚、反向器U2A的I脚、反向器U2B的4脚，光耦U4的2脚连接反向器U6A的2脚；
[0035]信号放大电路中，运算放大器U7A的输出端分别连接运算放大器U7D的输出端、反向器U6A的I脚、运算放大器U7C的输出端、三极管Q2的基极、三极管Q4的基极、电阻R16、三极管Q6的基极、三极管Q8的基极和电阻R28 ；电阻R16另一端分别连接三极管Q2的集电极、三极管Q3的集电极，三极管Q2的发射极连接三极管Q3的基极，三极管Q4的发射极分别连接电阻R17和三极管Q5的基极，电阻R17另一端连接三极管Q5的发射极，三极管Q5的集电极连接三极管Q3的发射极后输出信号；电阻R28另一端分别连接三极管Q6的集电极、三极管Q7的集电极，三极管Q6的发射极连接三极管Q7的基极，三极管Q8的发射极分别连接电阻R29和三极管Q9的基极，电阻R29另一端连接三极管Q9的发射极，三极管Q9的集电极连接三极管Q7的发射极后输出信号；
[0036]电源欠压保护电路中，运算放大器U7B的反相输入端分别连接电阻R14和二极管D5，运算放大器U7B的同相输入端分别连接电阻R13和电阻R15，电阻R14另一端和电阻R13另一端并联后接隔离电源Viso+，二极管D5正极与电阻R15另一端并联后连接隔离电源COM。隔离电源Viso+与隔离电源COM，通过电阻R13、电阻R14、电阻R15和二极管D5的电压比较来判断隔离电源是否欠压，当驱动隔离电源电压低于设定电压，设定电压通常为12.0V?12.8V时，电阻R15上分压就小于二极管D5压降，运算放大器U7B输出就会反向，将驱动输出信号拉低，同时通过反向器U6A和光耦U4将故障信号传递到信号输入侧，从而进行欠压保护。
[0037]故障检测电路，运算放大器U7C的同相输入端分别连接电阻R19、电阻R20和电阻R21，电阻R19另一端分别连接电阻R18、并补电容C3和运算放大器U7C的输出端，电阻R18另一端分别连接电阻R20另一端和电阻R22，电阻R22另一端分别连接可变电阻R23、DESAT端口和运算放大器U7C的反相输入端，可变电阻R23另一端连接电阻R21另一端。故障信号通过DESAT端口进入电阻R22/电阻R23，通过与电阻R20/电阻R21的电压比较来确定故障状态，同时也可以通过调节可变电阻R23的阻值来设定故障电压，故障信号经过运算放大器U7C进行故障保护，也可以通过改变电容C3来调节盲区时间；当发生过流或短路后，电阻R23分压大于电阻R20的分压，从而使运算放大器U7C反向，将驱动输出信号拉低，同时通过反向器U6A和光耦U4将故障信号传递到信号输入侧。
[0038]故障封锁输出电路中，反向器U2A的2脚分别连接反向器U2B的3脚、电阻R5和RESET端口，电阻R5另一端连接功率放大管的栅极，功率放大管Ql的漏极连接FAULT端口。故障信号通过光耦U4传递到信号侧，通过反向器U2A和反向器U2B进行故障状态封锁，当故障解除后，给通过外部加一个低电平信号到RESET端，即给封锁电路一个复位信号，封锁电路就可以复位解锁，电路进入正常模式；故障信号通过反向器U2A和电阻R5驱动功率放大管Q1，从而将故障信号输出到信号控制端。
[0039]本实用新型采用全新的单项全桥下桥驱动电路技术，有效的降低了外部器件数量，同时也更合理的利用的隔离电源。通过光耦实现隔离传输驱动信号，传输延迟时间短，共模抑制比高，信号失真小，可能性强，可保证驱动开关管的一致性和稳定性，也增加了电路的集成度，可靠性高，实用性强，可广泛应用于各类IGBT或MOSFET的驱动。
[0040]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0041]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【权利要求】
1.一种自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，包括电路板和设置在电路板的驱动电路，其特征在于，电路板上设有直插型或接线型连接接口，驱动电路与连接接口相连接，驱动电路包括隔离电源变换器电路和IGBT驱动电路；所述隔离电源变换器电路包括振荡频率发生电路和整流输出电路，所述IGBT驱动电路包括信号输入电路、信号判断电路、信号隔离电路、信号放大电路、电源欠压保护电路、故障检测电路、故障封锁输出电路。
2.根据权利要求1所述的自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，其特征在于，所述振荡频率发生电路包括振荡器U1、电容C1、电容C2、功率放大管Q1和功率放大管Q2，电容C1接于电源输入端，振荡器U1的1脚和3脚并联后分别连接电源正极、电容C2和变压器的2脚，振荡器U1的2脚、4脚、7脚和电容C2另一端均接电源地，振荡器U1的8脚通过电阻R1连接功率放大管Q1的栅极，振荡器U1的6脚通过电阻R2连接功率放大管Q2的栅极，功率放大管Q1与功率放大管Q2的源极相连后接于电源地，功率放大管Q1的漏极连接变压器T的1脚，功率放大管Q2的漏极连接变压器的3脚。
3.根据权利要求1所述的自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，其特征在于，所述整流输出电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电容C3、电容C4、电阻R3和电阻R4 ;其中二极管D1的正极连接变压器T的4脚，二极管D1的负极分别连接二极管D2、电容C3、电阻R3和隔离电源Viso+，二极管D2正极连接变压器T的6脚，电容C3另一端分别连接变压器T的5脚、变压器T的8脚、电阻R3另一端、电容C4、电阻R4和隔离电源COM,电容C4另一端分别连接二极管D3、二极管D4、电阻R4另一端和隔离电源Viso-，二极管D3另一端连接变压器T的7脚，二极管D4另一端连接变压器T的9脚。
4.根据权利要求1所述的自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，其特征在于，所述的信号输入电路中信号VIN1分别连接电阻R1和电阻R2，电阻R2另一端分别连接二极管D1、二极管D2和与非门U1A的1脚，信号VIN2分别连接电阻R7和电阻R8，电阻R8另一端分别连接二极管D3、二极管D4和与非门U1B的12脚。
5.根据权利要求1所述的自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，其特征在于，所述的信号判断电路包括与非门U1A和与非门U1B，与非门U1A的2脚连接电阻R3，与非门U1A的3脚连接光耦U3的1脚至信号隔离电路，与非门U1B的13脚连接电阻R6，与非门U1A的11脚连接光耦U5的1脚至信号隔离电路。
6.根据权利要求1所述的自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，其特征在于，所述的信号隔离电路中光耦U3的5脚分别连接电容C1、电阻R9、电阻R10和电阻R11，光耦U3的2脚分别连接电阻R10另一端和运算放大器U7A的反相输入端，光耦U3的3脚分别连接电容C1另一端和电阻R12，电阻R12另一端连接运算放大器U7A的同相输入端；光耦U5的5脚分别连接电容C2、电阻R24、电阻R250和电阻R26，光耦U5的2脚分别连接电阻R25另一端和运算放大器U7D的反相输入端，光耦U5的3脚分别连接电容C2另一端和电阻R27，电阻R27另一端连接运算放大器U7D的同相输入端；电阻R3另一端分别连接电阻R6另一端、电阻R4、光耦U4的1脚、反向器U2A的1脚、反向器U2B的4脚，光耦U4的2脚连接反向器U6A的2脚。
7.根据权利要求1所述的自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，其特征在于，所述的信号放大电路中运算放大器U7A的输出端分别连接运算放大器U7D的输出端、反向器U6A的1脚、运算放大器U7C的输出端、三极管Q2的基极、三极管Q4的基极、电阻R16、三极管Q6的基极、三极管Q8的基极和电阻R28 ；电阻R16另一端分别连接三极管Q2的集电极、三极管Q3的集电极，三极管Q2的发射极连接三极管Q3的基极，三极管Q4的发射极分别连接电阻R17和三极管Q5的基极，电阻R17另一端连接三极管Q5的发射极，三极管Q5的集电极连接三极管Q3的发射极后输出信号；电阻R28另一端分别连接三极管Q6的集电极、三极管Q7的集电极，三极管Q6的发射极连接三极管Q7的基极，三极管Q8的发射极分别连接电阻R29和三极管Q9的基极，电阻R29另一端连接三极管Q9的发射极，三极管Q9的集电极连接三极管Q7的发射极后输出信号。
8.根据权利要求1所述的自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，其特征在于，所述的电源欠压保护电路中运算放大器U7B的反相输入端分别连接电阻R14和二极管D5，运算放大器U7B的同相输入端分别连接电阻R13和电阻R15，电阻R14另一端和电阻R13另一端并联后接隔离电源Viso+，二极管D5正极与电阻R15另一端并联后连接隔离电源COM。
9.根据权利要求1所述的自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，其特征在于，所述的故障检测电路中运算放大器U7C的同相输入端分别连接电阻R19、电阻R20和电阻R21，电阻R19另一端分别连接电阻R18、并补电容C3和运算放大器U7C的输出端，电阻R18另一端分别连接电阻R20另一端和电阻R22，电阻R22另一端分别连接可变电阻R23、DESAT端口和运算放大器U7C的反相输入端，可变电阻R23另一端连接电阻R21另一端。
10.根据权利要求1所述的自带隔离电源的单项全桥下桥IGBT驱动器，其特征在于，所述的故障封锁输出电路中反向器U2A的2脚分别连接反向器U2B的3脚、电阻R5和RESET端口，电阻R5另一端连接功率放大管的栅极，功率放大管Q1的漏极连接FAULT端口。
【文档编号】H02M1/08GK204089574SQ201420545481
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年9月22日 优先权日:2014年9月22日
【发明者】姜奋平, 张黎, 汪华芳 申请人:中山市易川电子科技有限公司