具有过功率保护功能的电源供应装置制造方法
【专利摘要】一种具有过功率保护功能的电源供应装置，包含一主转换器、一电压叠加电路、一电压检测电路及一脉波宽度调变控制器。该电压叠加电路电性连接至该主转换器；该电压检测电路电性连接至该主转换器及该电压叠加电路；该脉波宽度调变控制器电性连接至该主转换器及该电压检测电路。该主转换器包含一感应电阻。该电压检测电路检测该感应电阻之一感应电压；当该电源供应装置之一输出电压小于一预设输出电压时，该电压叠加电路提供一叠加电压至该电压检测电路，接着该电压检测电路传送该感应电压及该叠加电压至该脉波宽度调变控制器。
【专利说明】具有过功率保护功能的电源供应装置
【技术领域】
[0001]本实用新型是关于一种电源供应装置，特别涉及一种具有过功率保护功能的电源供应装置。
【背景技术】
[0002]电源供应装置提供电源给电子装置，藉以驱动电子装置。如果电源供应装置利用通用串行总线接口传送电源，则电子装置会通知电源供应装置需求的电压如5伏特或是20伏特。
[0003]电源供应装置包含变压器及脉波宽度调变控制器，变压器包含初级侧绕组、辅助绕组及次级侧绕组；当电子装置通知电源供应装置需求的电压时，脉波宽度调变控制器会改变初级侧绕组的电压，次级侧绕组会感应初级侧绕组的电压而产生电压以传送至电子装置；同时，辅助绕组会感应次级侧绕组的电压而产生电压以传送至脉波宽度调变控制器以供电予脉波宽度调变控制器。
[0004]一般来说，当使用通用串行总线接口传送电源时，电源供应装置的输出电流会被限制在约2安培左右；因此，电源供应装置的输出功率被限制住了。为了在被限制住的输出电流的情况能提高电源供应装置的输出功率，电源供应装置的输出电压将会被提高；例如，电源供应装置的输出电压由5伏特提高至20伏特。
[0005]一般来说，电源供应装置的过功率保护功能是固定的，如以输出电压5伏特或输出电压20伏特设计；若电源供应装置的过功率保护功能是以输出电压20伏特所设计的，则当电源供应装置的输出电压为5伏特时，电源供应装置的过功率保护功能将不能顺利地运作。
[0006]请参考图3，其为相关技术的电源供应装置之过功率保护功能在输出电压为20伏特时之过功率保护电压波形图；请参考图4，其为相关技术之电源供应装置之过功率保护功能在输出电压为5伏特时之过功率保护电压波形图。由于输出电压为5伏特的过功率保护电压的触发准位与输出电压为20伏特的过功率保护电压的触发准位相同，因此输出电压为5伏特时的输出电流必须大于输出电压为20伏特时的输出电流，以达到过功率保护电压的触发准位；如果输出电流更大，则电源供应装置中的功率元件将工作在大于额定电压或额定电流的状态，使得功率元件直接地造成伤害。
实用新型内容
[0007]为改善上述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种具有过功率保护功能的电源供应装置。
[0008]为达成本实用新型的上述目的，本实用新型的具有过功率保护功能的电源供应装置包含一主转换器；一电压叠加电路，电性连接至该主转换器；一电压检测电路，电性连接至该主转换器及该电压叠加电路；及一脉波宽度调变控制器，电性连接至该主转换器及该电压检测电路。其中该主转换器包含一感应电阻，电性连接至该电压检测电路，其中该电压检测电路检测该感应电阻的一感应电压；当该具有过功率保护功能的电源供应装置的一输出电压小于一预设输出电压时，该电压叠加电路提供一叠加电压至该电压检测电路，接着该电压检测电路传送该感应电压及该叠加电压至该脉波宽度调变控制器；当该感应电压加上该叠加电压大于一过功率保护电压时，该脉波宽度调变控制器控制该主转换器停止工作。
[0009]所述具有过功率保护功能的电源供应装置，该电压叠加电路包含:
[0010]一叠加电压产生电路，电性连接至该电压检测电路；及
[0011]一叠加电压控制电路，电性连接至该叠加电压产生电路及变压器，
[0012]其中当该输出电压小于该预设输出电压时，该叠加电压控制电路导通该叠加电压产生电路，使得该叠加电压产生电路提供该叠加电压至该电压检测电路。
[0013]所述具有过功率保护功能的电源供应装置，该主转换器更包含:
[0014]一变压器，电性连接至该电压叠加电路、该脉波宽度调变控制器及该感应电阻，其中该变压器更包含:
[0015]—初级侧绕组；
[0016]一次级侧绕组；及
[0017]一辅助绕组，电性连接至该电压叠加电路。
[0018]所述具有过功率保护功能的电源供应装置，该主转换器更包含一晶体管开关，电性连接至该初级侧绕组、该电压检测电路及该脉波宽度调变控制器。
[0019]所述具有过功率保护功能的电源供应装置，该电压叠加电路更包含:
[0020]一第一二极管，电性连接至该辅助绕组及该脉波宽度调变控制器；及
[0021]一第一电容，电性连接至该第一二极管及该脉波宽度调变控制器，
[0022]其中该叠加电压控制电路包含:
[0023]一第一齐纳二极管，电性连接至该第一二极管及该脉波宽度调变控制器。
[0024]所述具有过功率保护功能的电源供应装置，其特征在于，该叠加电压控制电路更包含:
[0025]一第一电阻，电性连接至该第一齐纳二极管；
[0026]一第二电阻，电性连接至该第一电阻；
[0027]一第一金属氧化物半导体场效应晶体管，电性连接至该第一电阻；及
[0028]—第三电阻，电性连接至该第一二极管、该第一金属氧化物半导体场效应晶体管及该脉波宽度调变控制器。
[0029]所述具有过功率保护功能的电源供应装置，该叠加电压产生电路包含:
[0030]一第二金属氧化物半导体场效应晶体管，电性连接至该第一二极管、该第一金属氧化物半导体场效应晶体管及该脉波宽度调变控制器；
[0031]一第四电阻，电性连接至该第二金属氧化物半导体场效应晶体管及该电压检测电路；及
[0032]一第二电容，电性连接至该第一二极管、该第二金属氧化物半导体场效应晶体管及该脉波宽度调变控制器。
[0033]所述具有过功率保护功能的电源供应装置，该电压检测电路包含:
[0034]一第五电阻，电性连接至该晶体管开关、该第四电阻及该感应电阻；
[0035]一第六电阻，电性连接至该第四电阻、该第五电阻及该脉波宽度调变控制器；及
[0036]—第三电容，电性连接至该第六电阻及该脉波宽度调变控制器。
[0037]所述具有过功率保护功能的电源供应装置，更包含:
[0038]一初级侧滤波电路，电性连接至该初级侧绕组；
[0039]一初级侧整流电路，电性连接至该初级侧滤波电路；
[0040]一次级侧整流电路，电性连接至该次级侧绕组；及
[0041]一次级侧滤波电路，电性连接至该次级侧整流电路。
[0042]所述具有过功率保护功能的电源供应装置，应用于一交流电源供应装置及一电子装置，该具有过功率保护功能的电源供应装置更包含:
[0043]一电磁干扰滤波器，电性连接至该初级侧整流电路及该交流电源供应装置；
[0044]一通用串行总线接口，电性连接至该次级侧滤波电路及该电子装置；
[0045]一交握电路，电性连接至该通用串行总线接口 ；及
[0046]一反馈电路，电性连接至该交握电路、该次级侧滤波电路、该通用串行总线接口及该脉波宽度调变控制器。
[0047]本实用新型的的功能在于不论电源供应装置的输出电压为何，电源供应装置的过功率保护功能皆能顺利地运作，且电源供应装置所增加的电路的成本低廉且所增加的电路位于电源供应装置的一次侧。
【专利附图】
【附图说明】
[0048]图1为本实用新型的具有过功率保护功能的电源供应装置方块图；
[0049]图2为本实用新型的电压叠加电路及电压检测电路的一实施例电路图；
[0050]图3为相关技术的电源供应装置的过功率保护功能在输出电压为20伏特
[0051]时的过功率保护电压波形图；
[0052]图4为相关技术的电源供应装置的过功率保护功能在输出电压为5伏特
[0053]时的过功率保护电压波形图；
[0054]图5为本实用新型的具有过功率保护功能的电源供应装置的过功率保护功能在输出电压为5伏特时的过功率保护电压波形图。
[0055]其中附图标记:
[0056]具有过功率保护功能的电源供应装置10
[0057]交流电源供应装置20
[0058]电子装置30
[0059]主转换器102
[0060]电压叠加电路104
[0061]电压检测电路106
[0062]脉波宽度调变控制器108
[0063]变压器110
[0064]初级侧绕组112
[0065]次级侧绕组114
[0066]辅助绕组116
[0067]晶体管开关118
[0068]初级侧滤波电路120
[0069]初级侧整流电路122
[0070]次级侧整流电路124
[0071]次级侧滤波电路126
[0072]电磁干扰滤波器128
[0073]通用串行总线接口 130
[0074]交握电路132
[0075]反馈电路134
[0076]第一二极管10402
[0077]第一电容10404
[0078]第一齐纳二极管10406
[0079]第一电阻10408
[0080]第二电阻10410
[0081]第一金属氧化物半导体场效应晶体管10412
[0082]第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414
[0083]第三电阻10416
[0084]第四电阻10418
[0085]第二电容10420
[0086]叠加电压产生电路10422
[0087]叠加电压控制电路10424
[0088]感应电阻10602
[0089]第五电阻10604
[0090]第六电阻10606
[0091]第三电容10608
【具体实施方式】
[0092]请参考图1，其为本实用新型的具有过功率保护功能的电源供应装置方块图；一具有过功率保护功能的电源供应装置10应用于一交流电源供应装置20及一电子装置30。
[0093]该具有过功率保护功能的电源供应装置10包含一主转换器102、一电压叠加电路104、一电压检测电路106、一脉波宽度调变控制器108、一初级侧滤波电路120、一初级侧整流电路122、一次级侧整流电路124、一次级侧滤波电路126、一电磁干扰滤波器128、一通用串行总线接口 130、一交握电路(handshake circuit) 132及一反馈电路134。
[0094]该主转换器102包含一变压器110、一晶体管开关118及一感应电阻10602 ;该变压器I1包含一初级侧绕组112、一次级侧绕组114及一辅助绕组116，该晶体管开关118可为例如但不限定为一金属氧化物半导体场效应晶体管。
[0095]该电压叠加电路104电性连接至该主转换器102 ;该电压检测电路106电性连接至该主转换器102及该电压叠加电路104 ;该脉波宽度调变控制器108电性连接至该主转换器102及该电压检测电路106 ;该变压器110电性连接至该电压叠加电路104、该脉波宽度调变控制器108及该感应电阻10602 ;该晶体管开关118电性连接至该初级侧绕组112、该电压检测电路106、该脉波宽度调变控制器108及该感应电阻10602 ;该辅助绕组116电性连接至该电压叠加电路104。
[0096]该初级侧滤波电路120电性连接至该初级侧绕组112 ;该初级侧整流电路122电性连接至该初级侧滤波电路120 ;该次级侧整流电路124电性连接至该次级侧绕组114 ;该次级侧滤波电路126电性连接至该次级侧整流电路124 ;该电磁干扰滤波器128电性连接至该初级侧整流电路122及该交流电源供应装置20。
[0097]该通用串行总线接口 130电性连接至该次级侧滤波电路126及该电子装置30 ;该交握电路132电性连接至该通用串行总线接口 130 ;该反馈电路134电性连接至该交握电路132、该次级侧滤波电路126、该通用串行总线接口 130及该脉波宽度调变控制器108 ;该感应电阻10602电性连接至该电压检测电路106。
[0098]请参考图2，其为本实用新型的电压叠加电路及电压检测电路的一实施例电路图。该电压叠加电路104包含一叠加电压产生电路10422、一叠加电压控制电路10424、一第一二极管10402及一第一电容10404 ;该叠加电压产生电路10422电性连接至该电压检测电路106 ;该叠加电压控制电路10424电性连接至该叠加电压产生电路10422及该变压器110的该辅助绕组116。
[0099]当该具有过功率保护功能的电源供应装置10的一输出电压小于一预设输出电压时，该叠加电压控制电路10424与该叠加电压产生电路10422导通，使得该叠加电压产生电路10422提供一叠加电压至该电压检测电路106，该第一二极管10402及该第一电容10404用作滤波器使用。
[0100]该叠加电压控制电路10424包含一第一齐纳二极管10406、一第一电阻10408、一第二电阻10410、一第一金属氧化物半导体场效应晶体管10412及一第三电阻10416，该叠加电压产生电路10422包含一第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414、一第四电阻10418 及一第二电容 10420。
[0101]该第一二极管10402电性连接至该辅助绕组116及该脉波宽度调变控制器108 ;该第一电容10404电性连接至该第一二极管10402及该脉波宽度调变控制器108 ;该第一齐纳二极管10406电性连接至该第一二极管10402及该脉波宽度调变控制器108 ;该第一电阻10408电性连接至该第一齐纳二极管10406 ;该第二电阻10410电性连接至该第一电阻10408 ;该第一金属氧化物半导体场效应晶体管10412电性连接至该第一电阻10408 ;该第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414电性连接至该第一二极管10402、该第一金属氧化物半导体场效应晶体管10412及该脉波宽度调变控制器108。
[0102]该第三电阻10416电性连接至该第一二极管10402、该第一金属氧化物半导体场效应晶体管10412、该第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414及该脉波宽度调变控制器108 ;该第四电阻10418电性连接至该第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414及该电压检测电路106 ;该第二电容10420电性连接至该第一二极管10402、该第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414及该脉波宽度调变控制器108。该第二电容10420用以供电予该脉波宽度调变控制器108。
[0103]换句话说，该第一二极管10402的阳极连接至该辅助绕组116 ;该第一二极管10402的阴极连接至该脉波宽度调变控制器108 ;该第一电容10404的一端连接至该第一二极管10402的阴极及该脉波宽度调变控制器108，该第一电容10404的另一端接地；该第一齐纳二极管10406的阴极连接至该第一二极管10402的阴极、该第一电容10404的一端及该脉波宽度调变控制器108 ;该第一电阻10408的一端连接至该第一齐纳二极管10406的阳极；该第二电阻10410的一端连接至该第一电阻10408的另一端；该第二电阻10410的另一端接地。
[0104]该第一金属氧化物半导体场效应晶体管10412的栅极连接至该第一电阻10408的另一端及该第二电阻10410的一端，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管10412的源极接地；该第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414的栅极连接至该第一金属氧化物半导体场效应晶体管10412的漏极，该第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414的漏极连接至该第一二极管10402的阴极、该第一电容10404的一端、该第一齐纳二极管10406的阴极及该脉波宽度调变控制器108。
[0105]该第三电阻10416的一端连接至该第一二极管10402的阴极、该第一电容10404的一端、该第一齐纳二极管10406的阴极、该第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414的漏极及该脉波宽度调变控制器108，该第三电阻10416的另一端连接至该第一金属氧化物半导体场效应晶体管10412的漏极及该第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414的栅极；该第四电阻10418的一端连接至该第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414的源极，该第四电阻10418的另一端连接至该电压检测电路106 ;该第二电容10420的一端连接至该第一二极管10402的阴极、该第一电容10404的一端、该第一齐纳二极管10406的阴极、该第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414的漏极、该第三电阻10416的一端及该脉波宽度调变控制器108，该第二电容10420的另一端接地。
[0106]该电压检测电路106包含一第五电阻10604、一第六电阻10606及一第三电容
10608ο
[0107]该第五电阻10604电性连接至该晶体管开关118、该第四电阻10418及该感应电阻10602 ;该第六电阻10606电性连接至该第四电阻10418、该第五电阻10604及该脉波宽度调变控制器108 ;该第三电容10608电性连接至该第六电阻10606及该脉波宽度调变控制器108。
[0108]换句话说，该感应电阻10602的一端连接至该晶体管开关118，该感应电阻10602的另一端接地；该第五电阻10604的一端连接至该晶体管开关118及该感应电阻10602的一端，该第五电阻10604的另一端连接至该第四电阻10418的另一端；该第六电阻10606的一端连接至该第四电阻10418的另一端及该第五电阻10604的另一端，该第六电阻10606的另一端连接至该脉波宽度调变控制器108 ;该第三电容10608的一端连接至该脉波宽度调变控制器108及该第六电阻10606的另一端，该第三电容10608的另一端接地。
[0109]请同时参考图1及图2，该电子装置30通过该通用串行总线接口 130、该交握电路132及该反馈电路134通知该脉波宽度调变控制器108 —需求的电压如5伏特或20伏特；因此，该脉波宽度调变控制器108控制该晶体管开关118以改变该初级侧绕组112的一初级侧绕组电压；其中，该主转换器102可为例如但不限定为一返驰式(flyback)转换器，该脉波宽度调变控制器108控制该晶体管开关118以改变该初级侧绕组112的该初级侧绕组电压为一现有技术，为简洁因素，故于此不再赘述。
[0110]该电压检测电路106检测该感应电阻10602的一感应电压；该电压检测电路106通知该脉波宽度调变控制器108该感应电压；该具有过功率保护功能的该脉波宽度调变控制器108的过功率保护功能是为了该需求的电压为20伏特所设计；因此，当该需求的电压为20伏特，过功率保护功能能够顺利地运作。
[0111]以下将叙述当该需求的电压为5伏特时，过功率保护功能如何也能够顺利地运作。
[0112]当该需求的电压为20伏特时，该辅助绕组116的一辅助绕组电压为例如80伏特；当该需求的电压为5伏特时，该辅助绕组116的该辅助绕组电压为例如20伏特；此为现有技术，为简洁因素，故于此不再赘述。
[0113]该第一齐纳二极管10406的一击穿电压为一预设电压，大于20伏特但小于80伏特，例如40伏特；因此当该辅助绕组电压为80伏特时或该需求的电压为20伏特，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管10412会导通，该第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414不会导通，该辅助绕组电压不会被传送至该电压检测电路106。
[0114]该电压检测电路106传送该感应电压至该脉波宽度调变控制器108 ;该脉波宽度调变控制器108判断是否该启动过功率保护功能；此为该具有过功率保护功能的该脉波宽度调变控制器108原本的过功率保护功能。
[0115]当该辅助绕组116的该辅助绕组电压20伏特小于该预设电压40伏特时，该需求的电压为5伏特，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管10412不会导通，该第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414会导通，该辅助绕组电压会被传送至该电压检测电路106。
[0116]换句话说，该电压叠加电路104提供该叠加电压即该辅助绕组电压至该电压检测电路106，接着该电压检测电路106传送该感应电压及该叠加电压至该脉波宽度调变控制器108 ;因此，该脉波宽度调变控制器108判断是否该启动过电压或过功率保护功能；亦即，当该感应电压加上该叠加电压大于一过功率保护电压时，该脉波宽度调变控制器108控制该主转换器102停止工作。
[0117]当该需求的电压为5伏特时，该脉波宽度调变控制器108接收了该感应电压及该叠加电压；该脉波宽度调变控制器108所接收的该感应电压被该叠加电压垫高叠以能正确地触发过功率保护功能，因此过功率保护功能能够顺利地运作。
[0118]亦即，当该具有过功率保护功能的电源供应装置10的该输出电压例如5伏特小于该预设输出电压例如10伏特时，该电压叠加电路104提供该叠加电压至该电压检测电路106。
[0119]上述实施例所述的该叠加电压为该辅助绕组电压，然本实用新型并不以此为限；该叠加电压亦可为来自该具有过功率保护功能的电源供应装置10的一次侧或二次侧的一电压源，该电压源连接至该第二金属氧化物半导体场效应晶体管10414的漏极、该第三电阻10416的一端及该第二电容10420的一端，但该电压源不连接至该第一二极管10402的阴极、该第一电容10404的一端及该第一齐纳二极管10406的阴极，亦即，图2所示的电路必需被调整。
[0120]请参考图5，其为本实用新型的具有过功率保护功能的电源供应装置的过功率保护功能在输出电压为5伏特时的过功率保护电压波形图；图5所示的电压的斜率与图4所示的电压的斜率大致相同，但图5所示的电压被该叠加电压垫高了 ；当该具有过功率保护功能的电源供应装置10的输出电流提高时，可提高该第三电容10608的电压；因此，与图4比较，同样皆为输出电压为5伏特，图5的补偿机制使得不需要更大的输出电流即可达到与输出电压为20伏特时的过功率保护电压触发准位相同的过功率保护电压触发准位；亦即，即使输出电压为5伏特，该具有过功率保护功能的电源供应装置10也能够有正确适当的过功率保护机制，以避免该具有过功率保护功能的电源供应装置10中的功率元件工作在大于额定电压或额定电流的状态。
[0121]其中，虽然上述内容针对电压来讨论，但由电压即可求得电流，而功率为电压与电流的乘积，因此对本实用新型来说，过功率保护应与过电压保护有类似的意义。
[0122]本实用新型的优点在于不论电源供应装置的输出电压为何，电源供应装置的过功率保护功能皆能顺利地运作，且电源供应装置所增加的电路的成本低廉且所增加的电路位于电源供应装置的一次侧。
[0123]本实用新型可保护该变压器110及该电子装置30 ;当该电压检测电路106检测到电压或电流已经达到过电流保护点，该脉波宽度调变控制器108会断开该晶体管开关118，藉此保护该具有过功率保护功能的电源供应装置10以及该电子装置30 ;亦即，依据该电压检测电路106所传送至该脉波宽度调变控制器108的电压，该脉波宽度调变控制器108会控制该晶体管开关118的导通状态。
[0124]综上所述，当知本实用新型已具有产业利用性、新颖性与进步性，又本实用新型的构造亦未曾见于同类产品及公开使用，完全符合新型专利申请要件，依专利法提出申请。
【权利要求】
1.一种具有过功率保护功能的电源供应装置，其特征在于，包含: 一主转换器； 一电压叠加电路，电性连接至该主转换器； 一电压检测电路，电性连接至该主转换器及该电压叠加电路；及 一脉波宽度调变控制器，电性连接至该主转换器及该电压检测电路， 其中该主转换器包含一感应电阻，电性连接至该电压检测电路； 其中该电压检测电路检测该感应电阻之一感应电压；当该具有过功率保护功能的电源供应装置的一输出电压小于一预设输出电压时，该电压叠加电路提供一叠加电压至该电压检测电路，接着该电压检测电路传送该感应电压及该叠加电压至该脉波宽度调变控制器；当该感应电压加上该叠加电压大于一过功率保护电压时，该脉波宽度调变控制器控制该主转换器停止工作。
2.如权利要求1所述具有过功率保护功能的电源供应装置，其特征在于， 该电压叠加电路包含: 一叠加电压产生电路，电性连接至该电压检测电路；及 一叠加电压控制电路，电性连接至该叠加电压产生电路及变压器， 其中当该输出电压小于该预设输出电压时，该叠加电压控制电路导通该叠加电压产生电路，使得该叠加电压产生电路提供该叠加电压至该电压检测电路。
3.如权利要求1所述具有过功率保护功能的电源供应装置，其特征在于，该主转换器更包含: 一变压器，电性连接至该电压叠加电路、该脉波宽度调变控制器及该感应电阻， 其中该变压器更包含: 一初级侧绕组； 一次级侧绕组；及 一辅助绕组，电性连接至该电压叠加电路。
4.如权利要求3所述具有过功率保护功能的电源供应装置，其特征在于，该主转换器更包含一晶体管开关，电性连接至该初级侧绕组、该电压检测电路及该脉波宽度调变控制器。
5.如权利要求4所述具有过功率保护功能的电源供应装置，其特征在于，该电压叠加电路更包含: 一第一二极管，电性连接至该辅助绕组及该脉波宽度调变控制器?’及 一第一电容，电性连接至该第一二极管及该脉波宽度调变控制器， 其中该叠加电压控制电路包含: 一第一齐纳二极管，电性连接至该第一二极管及该脉波宽度调变控制器。
6.如权利要求5所述具有过功率保护功能的电源供应装置，其特征在于，该叠加电压控制电路更包含: 一第一电阻，电性连接至该第一齐纳二极管； 一第二电阻，电性连接至该第一电阻； 一第一金属氧化物半导体场效应晶体管，电性连接至该第一电阻；及 一第三电阻，电性连接至该第一二极管、该第一金属氧化物半导体场效应晶体管及该脉波宽度调变控制器。
7.如权利要求6所述具有过功率保护功能的电源供应装置，其特征在于，该叠加电压产生电路包含: 一第二金属氧化物半导体场效应晶体管，电性连接至该第一二极管、该第一金属氧化物半导体场效应晶体管及该脉波宽度调变控制器； 一第四电阻，电性连接至该第二金属氧化物半导体场效应晶体管及该电压检测电路；及 一第二电容，电性连接至该第一二极管、该第二金属氧化物半导体场效应晶体管及该脉波宽度调变控制器。
8.如权利要求7所述具有过功率保护功能的电源供应装置，其特征在于，该电压检测电路包含: 一第五电阻，电性连接至该晶体管开关、该第四电阻及该感应电阻； 一第六电阻，电性连接至该第四电阻、该第五电阻及该脉波宽度调变控制器?’及 一第三电容，电性连接至该第六电阻及该脉波宽度调变控制器。
9.如权利要求8所述具有过功率保护功能的电源供应装置，其特征在于，更包含: 一初级侧滤波电路，电性连接至该初级侧绕组； 一初级侧整流电路，电性连接至该初级侧滤波电路； 一次级侧整流电路，电性连接至该次级侧绕组；及 一次级侧滤波电路，电性连接至该次级侧整流电路。
10.如权利要求9所述具有过功率保护功能的电源供应装置，其特征在于，该具有过功率保护功能的电源供应装置应用于一交流电源供应装置及一电子装置，该具有过功率保护功能的电源供应装置更包含: 一电磁干扰滤波器，电性连接至该初级侧整流电路及该交流电源供应装置； 一通用串行总线接口，电性连接至该次级侧滤波电路及该电子装置； 一交握电路，电性连接至该通用串行总线接口 ?’及 一反馈电路，电性连接至该交握电路、该次级侧滤波电路、该通用串行总线接口及该脉波宽度调变控制器。
【文档编号】H02H7/12GK204205956SQ201420648932
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年10月31日 优先权日:2014年10月31日
【发明者】彭左任, 王思浩 申请人:群光电能科技股份有限公司