一种浪涌电流抑制电路的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种抑制电路，特别是涉及一种浪涌电流抑制电路。
【背景技术】
[0002]浪涌电流指电源接通瞬间，流入电源设备的峰值电流。由于输入滤波电容迅速充电，所以该峰值电流远远大于稳态输入电流。电源应该限制AC开关、整流桥、保险丝、EMI滤波器件能承受的浪涌水平。反复开关环路，AC输入电压不应损坏电源或者导致保险丝烧断。浪涌电流也指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流，因此浪涌电流需要进行抑制才能确保电路的精准性，目前常用的浪涌电流抑制电路大多使用电阻抑制或继电器结构，这些方式会产生较大的损耗或较大的体积，且电路复杂，因此有待于改进。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种浪涌电流抑制电路，已解决上述背景中提到的问题。
[0004]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
一种浪涌电流抑制电路，包括整流桥BD、电阻R2、电容C1和DC/DC转换器，所述整流桥BD的端口 2连接电阻R2、电容C1和DC/DC转换器，电阻R2的另一端连接电阻R3、电容C4、二极管ZD1的阴极、M0S管Q1的栅极好二极管ZD1的阴极，电阻R3的另一端连接电阻R1、电容C4的另一端、二极管ZD1的阳极、M0S管Q1的源极和整流桥BD的端口 4，M0S管Q1的漏极连接电容C1的另一端、电阻R1的另一端和DC/DC转换器，DC/DC转换器还连接PWM芯片，PWM芯片还连接二极管D2的阳极，二极管D2的阴极连接二极管ZD1的阳极和电容C5，电容C5的另一端接地。
[0005]作为本发明的优选方案:所述整流BD的端口 1通过变压器NF和保险丝FUSE连接220V交流电。
[0006]与现有技术相比，本发明的有益效果是:本发明具有以下优点:1，电路简单，2，拓宽M0SFET的应用范围(随着M0SFET的技术发展，M0SFET的体积越来越小，为M0SFET)，3，实现产品体积小型化。
【附图说明】
[0007]图1为本发明的的电路图；
图2为现有技术电阻型浪涌电流抑制电路的电路图；
图3为现有技术继电器型浪涌电流抑制电路的电路图；
图4为本发明的工作时序图。
【具体实施方式】
[0008]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0009]请参阅图1~4，一种浪涌电流抑制电路，包括整流桥BD、电阻R2、电容C1和DC/DC转换器，所述整流桥BD的端口 2连接电阻R2、电容C1和DC/DC转换器，电阻R2的另一端连接电阻R3、电容C4、二极管ZD1的阴极、M0S管Q1的栅极好二极管ZD1的阴极，电阻R3的另一端连接电阻R1、电容C4的另一端、二极管ZD1的阳极、M0S管Q1的源极和整流桥BD的端口 4，M0S管Q1的漏极连接电容C1的另一端、电阻R1的另一端和DC/DC转换器，DC/DC转换器还连接PWM芯片，PWM芯片还连接二极管D2的阳极，二极管D2的阴极连接二极管ZD1的阳极和电容C5，电容C5的另一端接地。
[0010]整流BD的端口 1通过变压器NF和保险丝FUSE连接220V交流电。
[0011]本发明的工作原理是:现有技术的原理及缺点如下:图2是在电路中将桥堆BD的正极和电容C1正极之间串联一个电阻R4，在上电的瞬间，桥堆整流后的高压通过电阻R4给C1充电，这样整个电路的电流值为:I=Vin/R4，从公式中可以看中，R4的阻值越大，瞬间产生的电流值就越小，这样就抑制了浪涌电流的作用，此电路的缺点是电路正工作时，R4上有电流流过，所以产生较大的损耗。
[0012]图3中是在图2的原理改良而来，是在R4的2端并联一个继电器，当电容C1上的电压由0V通过R4充电至300V时，由检测电路发出指令，驱动继电器的线圈开始工作，将并联在R4两端的开关闭合，这样正常工作时在R4上就没有损耗产生，但是此电路的缺点是:1，在产品工作时，需要持续地给继电器供电，消耗能量。2，继电器体积较大，占用产品较大的体积。3，外围电路较为复杂。
[0013]本发明电路中的抑制浪涌电流的元器件是R1和图2，图3中的R4相同，不同是桥堆的正极和C1的正极相连结，负极是通过电阻R1连结到C1的负极，在R1的两端并联一个MOSFET，M0SFET的G极和电阻R2，R3串联分压相连结。在G极、S极并联一个电容C4和一个稳压二极管(DZ1=12V)，在G极又连结一个稳压二极管DZ2至B点。PWM芯片的控制脚和B点之间串联一个二极管，此控制方式为高电平PMW芯片工作，低电平PWM芯片不工作。电容C5起到软启动的作用。
[0014]t0时刻，产品接通220VAC交流电，通过桥堆BD整流后成300VDC直流后，通过R1给C1充电，同时R2和R3分压得到一个电压给C4充电，到tl时刻，A点的电压达到DZ2值时，此时MOSFET的G极电压达到开通MOSFET的要求，MOSFET开始导通，将R1两端短路，这样就避开了瞬间浪涌电流的产生，此时后面的DC/DC转换器还未达到工作的条件，通过DZ2的漏电流给C5充电，t2时刻，C5的电压充至高电平=VD5+Vcotrol时，PWM芯片开始工作，驱动DC/DC转换器开始工作。具体时序详细见下图4。
【主权项】
1.一种浪涌电流抑制电路，包括整流桥BD、电阻R2、电容C1和DC/DC转换器，其特征在于，所述整流桥BD的端口 2连接电阻R2、电容C1和DC/DC转换器，电阻R2的另一端连接电阻R3、电容C4、二极管ZD1的阴极、MOS管Q1的栅极好二极管ZD1的阴极，电阻R3的另一端连接电阻R1、电容C4的另一端、二极管ZD1的阳极、MOS管Q1的源极和整流桥BD的端口 4，MOS管Q1的漏极连接电容C1的另一端、电阻R1的另一端和DC/DC转换器，DC/DC转换器还连接PWM芯片，PWM芯片还连接二极管D2的阳极，二极管D2的阴极连接二极管ZD1的阳极和电容C5，电容C5的另一端接地。2.根据权利要求1所述的一种浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述整流BD的端口1通过共模电感NF和保险丝FUSE连接220V交流电。
【专利摘要】本发明公开一种浪涌电流抑制电路，包括整流桥BD、电阻R2、电容C1和DC/DC转换器，所述整流桥BD的端口2连接电阻R2、电容C1和DC/DC转换器，电阻R2的另一端连接电阻R3、电容C4、二极管ZD1的阴极、MOS管Q1的栅极好二极管ZD1的阴极，电阻R3的另一端连接电阻R1、电容C4的另一端、二极管ZD1的阳极、MOS管Q1的源极和整流桥BD的端口4。本发明具有以下优点：1，电路简单，2，拓宽MOSFET的应用范围（随着MOSFET的技术发展，MOSFET的体积越来越小，为MOSFET的应用范围进一步扩大），3，实现整体产品体积的小型化。
【IPC分类】H02H9/02
【公开号】CN105429120
【申请号】CN201510811650
【发明人】王中于
【申请人】广州中逸光电子科技有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年11月19日